Ing. Quevin Barrera.

1. MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO RAM
La memoriade accesoaleatorio,eslamemoriadesde dondeel procesadorrecibe lasinstruccionesyguardalos
resultados.Esel áreade trabajopara la mayor parte del software de uncomputador.Existe unamemoriaintermedia
entre el procesadoryla RAM, llamadacaché,peroésta sóloesuna copiade acceso rápidode la memoriaprincipal
almacenadaenlosmódulosde RAM. Los módulosde RAMsonla presentacióncomercial de este tipode memoria,se
compone de integradossoldadossobre uncircuitoimpreso.
Se trata de una memoriade estadosólidotipoDRAMenla que se puede tantoleercomoescribirinformación.Se utiliza
como memoriade trabajopara el sistemaoperativo,losprogramasylamayoría del software.Esallí donde se cargan
todaslas instruccionesque ejecutanel procesadoryotras unidadesde cómputo.Se dicen"de accesoaleatorio"o"de
acceso directo"porque se puede leeroescribirenunaposiciónde memoriaconuntiempode esperaigual para
cualquierposición,nosiendonecesarioseguirunordenparaaccedera lainformaciónde lamaneramás rápidaposible.
La frase memoriaRAMse utilizafrecuentemente parareferirse alosmódulosde memoriaque se usanenlos
computadorespersonalesyservidores.
En el sentidoestricto,estosdispositivoscontienenuntipoentre variosde memoriade accesoaleatorio,yaque las
ROM, memoriasFlash,caché (SRAM) , losregistrosenprocesadoresyotrasunidadesde procesamientotambién
poseenlacualidadde presentarretardosde accesoigualesparacualquierposición.
Los módulosde memoriaRAMsontarjetasde circuitoimpresoque tienensoldadosintegradosde memoriaDRAMpor
una o ambascaras. La implementaciónDRAMse basa enuna topologíade Circuitoeléctrico que permitealcanzar
densidadesaltasde memoriaporcantidadde transistores,lograndointegradosde cientosomilesde Kilobits.Además
de DRAM, los módulosposeenunintegradoque permitenlaidentificaciónde losmismosante el computadorpormedio
del protocolode comunicaciónSPD.La conexiónconlosdemáscomponentesse realizapormediode unárea de pines
enuno de losfilosdel circuitoimpreso,que permitenque el moduloal serinstaladoenunzócaloapropiadode laplaca
base,tengabuenaconexióneléctricaconloscontroladoresde memoriaylasfuentesde alimentación.

2. • MódulosDIMM Usado encomputadoresde escritorio.Se caracterizanportenerunbusde datos de 64 bits.
• MódulosSO-DIMMUsado encomputadoresportátiles.Formatominiaturizadode DIMM.
• MódulosSIMMUn formatousadoencomputadoresantiguos. Teníanunbusde datosde 16 o 32 bits
MEMORIA DE SÓLO LECTURA ROM
Memoriade sólolectura(normalmente conocidaporsuacrónimo,ReadOnlyMemory) esuna clase de mediode
almacenamientoutilizadoenlascomputadorasyotrosdispositivoselectrónicos.LosdatosalmacenadosenlaROMno
se puedenmodificar-al menosnode manerarápidao fácil- yse utilizaprincipalmente paracontenerel firmware
(software que estáestrechamenteligadaa hardware específico,yespocoprobable que requierenactualizaciones
frecuentes).
En su sentidomásestricto,se refieresóloaROMmáscara ROM -eninglésMROM- (el másantiguotipode estadosólido
ROM), que se fabricacon losdatos almacenadosenforma permanente,yporlo tanto,nunca puede sermodificada.Sin
embargo,lasmás modernas,comoEPROMy FlashEEPROMse puede borrar y volveraprogramar variasveces,aún
siendodescritoscomo"memoriade sólolectura(ROM),porque el procesode reprogramaciónengeneral espoco
frecuente,relativamente lentoy,amenudo,nose permite laescrituraenlugaresaleatoriosde lamemoria.
Las computadorasdomésticasacomienzosde los80 veníancon todo su sistemaoperativoenROM.Nohabía otra
alternativarazonable yaque lasunidadesde discoerangeneralmente opcionales.
Algunasde lasconsolasde videojuegosque usanprogramasbasadosenlamemoriaROMsonla SúperNintendo,la
Nintendo64,la SegaMega Drive o la Game Boy. Estas memoriasROM,pegadasa cajas de plásticoaptaspara ser
utilizadase introducidasrepetidasveces,sonconocidascomocartuchos.PorextensiónlapalabraROMpuede referirse
tambiénaun archivode datosque contengauna imagendel programaque se distribuye normalmente enmemoria
ROM, como una copiade un cartucho de videojuego.
Una razón de que todavíase utilice lamemoriaROMpara almacenardatoses lavelocidadyaque losdiscossonmás
lentos.Aúnmásimportante,nose puede leerunprogramaque es necesarioparaejecutarundiscodesde el propio
disco.
La memoriaRAMnormalmente esmásrápidapara lecturaque lamayoría de lasmemoriasROM,por lo tantoel
contenidoROMse suele traspasarnormalmente alamemoriaRAMcuandose utiliza.

3. DRAM
DRAM(DynamicRandomAccessMemory) esun tipode memoriaelectrónicade accesoaleatorio,que se usa
principalmente enlosmódulosde memoriaRAMyen otrosdispositivos,comomemoriaprincipal del sistema.Se
denominadinámica,yaque paramanteneralmacenadoundato,se requiere revisarel mismoyrecargarlo,cadacierto
periodode tiempo,enunciclode refresco.Suprincipal ventajaeslaposibilidadde construirmemoriasconunagran
densidadde posicionesyque todavíafuncionenaunavelocidadalta:enlaactualidadse fabricanintegradoscon
millonesde posicionesyvelocidadesde accesomedidosenmillonesde bitporsegundo.Esunamemoriavolátil,esdecir
cuandono hay alimentacióneléctrica,lamemorianoguardala información.Inventadaafinalesde lossesentas,esuna
de las memoriasmasusadasenla actualidad.
FUNCIONAMIENTO
La celdade memoriaeslaunidadbásicade cualquiermemoria,capazde almacenarunBit enlossistemasdigitales.La
construcciónde la celdadefine el funcionamientode lamisma,enel casode la DRAMmoderna,consiste enun
transistorde efectode campoy un condensador.El principiode funcionamientobásico,essencillo:unacarga se
almacenaenel condensadorsignificandoun1y sincarga un 0. El transistorfuncionacomouninterruptorque conectay
desconectaal condensador.Este mecanismopuede implementarse condispositivosdiscretosyde hechomuchas
memoriasanterioresalaépocade los semiconductores,se basabanenarreglosde celdastransistor-condensador.
Las celdasencualquiersistemade memoria,se organizanenlaformade matricesde dosdimensiones,alascualesse
accede por mediode lasfilasylas columnas.Enla DRAMestasestructurascontienenmillonesde celdasyse fabrican
sobre la superficiede lapastillade silicioformando áreasque sonvisiblesasimple vista.Enel ejemplotenemosun
arreglode 4x4 celdas,enel cual laslíneashorizontalesconectadasalascompuertasde lostransistoressonlasllamadas
filasylas líneasverticalesconectadasaloscanalesde losFET sonlas columnas.
Para accedera unaposiciónde memoriase necesitaunadirecciónde 4bits,peroenlas DRAMlasdireccionesestán
multiplexadasentiempo,esdecirse envíanpormitades.Lasentradasmarcadascomo a0 y a1 son el busde direcciones
y por el mismoentrala direcciónde lafilaydespuéslade lacolumna.Las direccionesse diferencianpormediode
señalesde sincronizaciónllamadasRAS(del inglesRow AddressStrobe) yCAS(ColumnAddressStrobe) que indicanla
entradade cada parte de la dirección.
SRAM
StaticRandom AccessMemory (SRAM),o MemoriaEstática de AccesoAleatorioesuntipode memoriabasadaen
semiconductoresque,al contrarioque lamemoriaDRAM,es capaz de almacenarlosdatosmientrasesté alimentada,
haciendoinnecesariorefrescarlosdatosque almacenansusceldas.Sinembargo,sonvolátilesenel sentidode que los
datosque almacenase pierdenunavezse interrumpe laalimentacióneléctrica.

4. No debe serconfundidaconlaSDRAM(SyncronousDRAM).
Modos de operaciónde unaSRAM
Una memoriaSRAMtiene tresestadosdistintosde operación:standby,enel cual el circuitoestáenreposo,readingo
lectura,durante el cual losdatos sonleídosdesde lamemoria,ywritingoescritura,durante el cual se actualizanlos
datosalmacenadosenlamemoria.
Reposo
Si bus de control (WL) no estáactivado,lostransistoresde accesoM5 yM6 desconectanlaceldade losbusesde datos.
Los dosbiestablesformadosporM1 – M4 mantendránlosdatosalmacenadosmientrasdure laalimentacióneléctrica.
Lectura
Asumimosque el contenidode lamemoriaes1,y está almacenadoenQ.El ciclode lecturacomienzacargandolosbuses
de datos con el 1 lógico,y luegoactivaWL y lostransistoresde control.A continuación,losvaloresalmacenadosenQy
Q se transfierenalosbusesde datos,dejandoBLensu valorprevio,yajustandoBL a travésde M1 y M5 al 0 lógico.En el
caso del datocontenidoenlamemoriafuera0, se produce el efectocontrario:BL seráajustadoa 1 y BL a 0.
Escritura
El ciclode escriturase iniciaaplicandoel valora escribirenel busde datos.Si queremosescribirun0, ajustaremosBLto
1 y BL a 0, mientrasque paraun 1, bastacon invertirlosvaloresde losbuses.Unavezhechoesto,se activael bus WL, y
el dato quedaalmacenado.
APLICACIONES Y USOS
Características
La memoriaSRAMesmás cara, pero másrápida y con unmenorconsumo(especialmente enreposo)que lamemoria
DRAM. Es utilizada,portanto,cuandoesnecesariodisponerde unmejortiempode acceso,ounconsumoreducido,o
ambos.
Debidoa sucomplejaestructurainterna,esmenosdensaque DRAM,ypor lotanto no esutilizadacuandoesnecesaria
una altacapacidad de datos,como por ejemploenlamemoriaprincipal de losordenadorespersonales.
Frecuenciade reloj y potencia
El consumoeléctricode una SRAMvaría dependiendode lafrecuenciaconlacual se accede a lamisma:puede llegara
tenerunconsumosimilara DRAMcuandoes usadaen altafrecuencia,yalgunoscircuitosintegradospuedenconsumir
variosvatiosdurante sufuncionamiento.Porotraparte,lasSRAMutilizadasconunafrecuenciabaja,tienenunconsumo
muybajo,del ordende micro-vatios.

5. Usosde las SDRAM
• Comoproductode propósitogeneral:
--Coninterfacesasíncronascomochips32Kx8 de 28 pines(nombradosXXC256),yproductossimilaresque ofrecen
transferenciasde hasta16Mbit por chip.
--Coninterfacessíncronas,principalmentecomocachesyotras aplicacionesque requierantransferenciasrápidas,de
hasta 18Mbit por chip.
•Integradosenchip:
--ComomemoriaRAMo de cache en micro-controladores.
--Comocache primariaenmicrocontroladores,comoporejemplolafamiliax86.
--Paraalmacenarlosregistrosde microprocesadores.
--Encircuitosintegrados.
--EnFPGAsy CPLDs.
TIPOS DE SRAM
SRAM no volátiles
Las SRAMno volatines presentanunfuncionamientoestándarSRAM,conla salvedadde que guardanlosdatoscuando
se interrumpe laalimentacióneléctrica,salvaguardandoinformacióncrítica.Se utilizanensituacionesdondela
conservaciónde losdatosescrucial y el uso de baterías noes posible.
SRAM asíncrona
Las SRAMasíncronas estándisponiblesentamañosdesde4Kbhasta32Mb. Con un tiemporápidode acceso,son
adecuadaspara el usoen equiposde comunicaciones,comoswitches,routers,teléfonosIP,tarjetasDSLAM,yen
electrónicade automoción.

6. Por tipo de transistor
TransistorBipolarde Unióno BJT (de tipoTTL o ECL) — muyrápidos,peroconun consumomuyalto.
MOSFET (de tipoCMOS) — consumoreducido,muyutilizadosactualmente.
Por función
Asíncronas — independientesde lafrecuenciade reloj.
Síncronas — todas lasoperacionessoncontroladasporel reloj del sistema.