3. El diodo Schottky (también
conocido como diodo de
barrera schottky o diodo de
barrera superficial) es otro
tipo de diodo semiconductor
formado por la unión de un
metal con un semiconductor.
A esta unión se le conoce
como unión metal-
semiconductor o unión M-S.
DEFINICIÓN
4. se clasifica como un
dispositivo semiconductor
unipolar
Esta unión tiene
una baja caída de
tensión directa
(de 0.15 a 0.45 V)
Para la unión MS, el metal
suele ser tungsteno, cromo,
platino, molibdeno, algunos
siliciuros (muy comunes por
ser baratos, abundantes y
tener una buena
conductividad)
El lado metálico es el
ánodo, mientras el lado
del semiconductor
corresponde al cátodo.
7. Como podemos ver, la forma
general de las características
I-V del diodo Schottky es muy
similar a la de un diodo de
unión PN estándar, excepto
que la esquina a la que el
diodo Schottky comienza a
conducir es mucho más baja,
alrededor de 0.4 voltios.
CURVA CARACTERÍSTICA
8. ● espondiendo a la siguiente ecuación:
FÓRMULA
Donde η es el factor de
idealidad y posee un valor
entre 1 y 2. Para
diodosSchottky suele valer en
torno a η=1,2.Tambien se
explica que el diodo
polarizado en inversa
presenta un efectovaractor,
es decir, presenta una
capacidad cuyo valor
depende de la tensión
depolarización aplicada,
según la siguiente ecuación:
9. APLICACIONES
Para circuitos
de RF.
Como
rectificadores
de potencia.
Para fuentes
de
alimentación
muy diversas.
En sistemas con paneles solares
para protegerlos de la carga inversa
de las baterías a las que suelen estar
conectados.