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DIODO SCHOTTKY
INTEGRANTES
• VICTOR JAVIER CASTRO SOSSA
• DANIEL OSIRIS CHAVARRÍA NISTAUZ
• NATALIA BERROCAL GAMEZ
APLICACIÓN
FÓRMULA CURVA
CARACTERÍSTICA
DEFINICIÓN
TABLA DE CONTENIDO
El diodo Schottky (también
conocido como diodo de
barrera schottky o diodo de
barrera superficial) es otro
tipo de diodo semiconductor
formado por la unión de un
metal con un semiconductor.
A esta unión se le conoce
como unión metal-
semiconductor o unión M-S.
DEFINICIÓN
se clasifica como un
dispositivo semiconductor
unipolar
Esta unión tiene
una baja caída de
tensión directa
(de 0.15 a 0.45 V)
Para la unión MS, el metal
suele ser tungsteno, cromo,
platino, molibdeno, algunos
siliciuros (muy comunes por
ser baratos, abundantes y
tener una buena
conductividad)
El lado metálico es el
ánodo, mientras el lado
del semiconductor
corresponde al cátodo.
SÍMBOLO
Como podemos ver, la forma
general de las características
I-V del diodo Schottky es muy
similar a la de un diodo de
unión PN estándar, excepto
que la esquina a la que el
diodo Schottky comienza a
conducir es mucho más baja,
alrededor de 0.4 voltios.
CURVA CARACTERÍSTICA
● espondiendo a la siguiente ecuación:
FÓRMULA
Donde η es el factor de
idealidad y posee un valor
entre 1 y 2. Para
diodosSchottky suele valer en
torno a η=1,2.Tambien se
explica que el diodo
polarizado en inversa
presenta un efectovaractor,
es decir, presenta una
capacidad cuyo valor
depende de la tensión
depolarización aplicada,
según la siguiente ecuación:
APLICACIONES
Para circuitos
de RF.
Como
rectificadores
de potencia.
Para fuentes
de
alimentación
muy diversas.
En sistemas con paneles solares
para protegerlos de la carga inversa
de las baterías a las que suelen estar
conectados.
GRACIAS POR SU ATENCIÓN ♥️

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  • 1. DIODO SCHOTTKY INTEGRANTES • VICTOR JAVIER CASTRO SOSSA • DANIEL OSIRIS CHAVARRÍA NISTAUZ • NATALIA BERROCAL GAMEZ
  • 3. El diodo Schottky (también conocido como diodo de barrera schottky o diodo de barrera superficial) es otro tipo de diodo semiconductor formado por la unión de un metal con un semiconductor. A esta unión se le conoce como unión metal- semiconductor o unión M-S. DEFINICIÓN
  • 4. se clasifica como un dispositivo semiconductor unipolar Esta unión tiene una baja caída de tensión directa (de 0.15 a 0.45 V) Para la unión MS, el metal suele ser tungsteno, cromo, platino, molibdeno, algunos siliciuros (muy comunes por ser baratos, abundantes y tener una buena conductividad) El lado metálico es el ánodo, mientras el lado del semiconductor corresponde al cátodo.
  • 6.
  • 7. Como podemos ver, la forma general de las características I-V del diodo Schottky es muy similar a la de un diodo de unión PN estándar, excepto que la esquina a la que el diodo Schottky comienza a conducir es mucho más baja, alrededor de 0.4 voltios. CURVA CARACTERÍSTICA
  • 8. ● espondiendo a la siguiente ecuación: FÓRMULA Donde η es el factor de idealidad y posee un valor entre 1 y 2. Para diodosSchottky suele valer en torno a η=1,2.Tambien se explica que el diodo polarizado en inversa presenta un efectovaractor, es decir, presenta una capacidad cuyo valor depende de la tensión depolarización aplicada, según la siguiente ecuación:
  • 9. APLICACIONES Para circuitos de RF. Como rectificadores de potencia. Para fuentes de alimentación muy diversas. En sistemas con paneles solares para protegerlos de la carga inversa de las baterías a las que suelen estar conectados.
  • 10. GRACIAS POR SU ATENCIÓN ♥️