1. UNION P-N
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los
componentes electrónicos comúnmente denominados
semiconductores, principalmente diodos y transistoresBJT.
Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales,
generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de
Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a
nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar
cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algún otro metal o compuesto químico.
DIODO DE UNIÓN P-N
Se denomina unión P-N a la estructura fundamental de los
componentes electrónicos comúnmente denominados
semiconductores, principalmente diodos y transistores
BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos
cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se
fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su
composición a nivel atómico. Estos tipos de cristales
obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con
algún otro metal o compuesto químicoa ley de Shock ley
El modelo matemático más empleado es el de Shock ley (en honor a William Bradford Shock
ley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La
ecuación que liga la intensidad de corriente.
Esto significa que la ecuación de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la
región de ruptura e inducción por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilización de la
curva I-V en polarización activa debido a la resistencia interna.
Bajó voltajes negativos, la exponencial en la ecuación del diodo es
insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de
Is. La región de ruptura no está modelada en la ecuación de diodo
de Schockley.
Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente. Es un tipo detiristor. Este modelo que
nos brindan es la que relaciona la intensidad de corriente en el
diodo, es uno de los modelos empleados es el shock ley que
permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de
las aplicaciones.

2. CONMUTACIÓN DEL DIODO
Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales
de tipo digital o “lógico” quepresenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy
breves. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación
inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que
acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de
carga de un condensador), y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en
sentido directo. Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400
nanosegundos, en modelos demedia potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden
de los 5 nano Segundos.Diodo semiconductor diseñado para presentar una transición rápida
entre el estado de conducción y elestado de bloqueo, y a la inversa.