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EL DIODO VARISTOR
• Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de
transitorios) que, al igual que ellos pueden absorber energías transitorias
, pero además pueden suprimir los transitorios positivos y negativos.
• Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un
valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el
varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del
circuito.
• Los varistores se fabrican con un material no homogéneo. (Carburo de
silicio
DIODO VARISTOR
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Características típica V/I de un varistor de Zno
• La relación entre la tensión y corriente en un varistor viene dada por:
• V = C x ib
Donde:
• V es el voltaje
• C es el voltaje del varistor para una corriente de 1 A.
• I es la corriente actual que atraviesa el varistor.
• B es la tangente del ángulo que forma la curva con la horizontal. Este parámetro depende del material con que
está fabricado el varistor; en el caso del Zno su valor es ? = 0.035
CARACTERÍSTICAS
• Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una selección fácil del componente
correcto para una aplicación específica.
• Alta capacidad de absorción de energía respecto a las dimensiones del componente.
• Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre.
• Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
• Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la protección de circuitería en
conmutación digital.
• Alto grado de aislamiento.
DIODO SCHOTTKY
• El diodo Schottky (también conocido como diodo de barrera schottky o diodo de barrera
superficial) es otro tipo de diodo semiconductor formado por la unión de un metal con
un semiconductor.
• A esta unión se le conoce como unión metal-semiconductor o unión m-s. esta unión tiene una baja
caída de tensión directa (de 0.15 a 0.45 v) que el diodo de unión p-n y puede utilizarse en
aplicaciones de radiofrecuencia (rf) y conmutación de alta velocidad.
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO SCHOTTKY
La forma general de las características I-V del diodo Schottky es
muy similar a la de un diodo de unión PN estándar, excepto que
la esquina a la que el diodo Schottky comienza a conducir es
mucho más baja, alrededor de 0.4 voltios.

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El diodo varistor

  • 1. EL DIODO VARISTOR • Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que, al igual que ellos pueden absorber energías transitorias , pero además pueden suprimir los transitorios positivos y negativos. • Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. • Los varistores se fabrican con un material no homogéneo. (Carburo de silicio
  • 3. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS • Características típica V/I de un varistor de Zno • La relación entre la tensión y corriente en un varistor viene dada por: • V = C x ib Donde: • V es el voltaje • C es el voltaje del varistor para una corriente de 1 A. • I es la corriente actual que atraviesa el varistor. • B es la tangente del ángulo que forma la curva con la horizontal. Este parámetro depende del material con que está fabricado el varistor; en el caso del Zno su valor es ? = 0.035
  • 4. CARACTERÍSTICAS • Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una selección fácil del componente correcto para una aplicación específica. • Alta capacidad de absorción de energía respecto a las dimensiones del componente. • Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. • Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. • Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la protección de circuitería en conmutación digital. • Alto grado de aislamiento.
  • 5. DIODO SCHOTTKY • El diodo Schottky (también conocido como diodo de barrera schottky o diodo de barrera superficial) es otro tipo de diodo semiconductor formado por la unión de un metal con un semiconductor. • A esta unión se le conoce como unión metal-semiconductor o unión m-s. esta unión tiene una baja caída de tensión directa (de 0.15 a 0.45 v) que el diodo de unión p-n y puede utilizarse en aplicaciones de radiofrecuencia (rf) y conmutación de alta velocidad.
  • 6. CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO SCHOTTKY La forma general de las características I-V del diodo Schottky es muy similar a la de un diodo de unión PN estándar, excepto que la esquina a la que el diodo Schottky comienza a conducir es mucho más baja, alrededor de 0.4 voltios.