Tabla de los dispositivos de disparo y potencia, con su respectiva. PDF.

1. Av. Melchor Ocampo # 2555, Col. Cuarto Sector, C.P. 60950, Cd. Lázaro Cárdenas, Michoacán,
Teléfono (753) 53 7 19 77, 53 2 10 40, 53 7 53 91, 53 7 53 92 Dirección Ext. 101
www.tecnm.mx| www.lcardenas.tecnm.mx
Instituto Tecnológico de Lázaro Cárdenas
Dirección
“2020, Año de Leona Vicario, Benemérita Madre de la Patria”
TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO
INSTITUTO TECNOLÓGICO
DE LÁZARO CÁRDENAS
TAREA UNIDAD 1
ELECTRONICA DE POTENCIA
INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
ALUMNA:
HERNÁNDEZ RODRÍGUEZ NIMPZI YUNUEN
PROFESOR:
FELIX GOMEZ SANCHEZ
CD. Lázaro Cárdenas Mich. a 25 de febrero de 2022

2. Dispositivo Símbolo y Estructura Curva de Respuesta Característica ON / OFF
Dispositivo de disparo que con-
siste de una sola unión PN y se
utiliza generalmente para generar
señales de disparo utilizados en los
SCR y Osciladores.
Es un tristor.
U J T
El PUT no es un UJT (transistor
uniunión). El PUT (transistor uni-
unión programable) es un dispo-
sitivo que, a diferencia del tran-
sistor bipolar común (que tiene 3
capas: NPN o PNP), tiene 4 capas.
Permiten que se pueden controlar
los valores de Rbb y Vp que en el
UJT son fijos los aparatos con-
trolados por la terminal G. Es un
tristor.
P U T
Dispositivo el cual es bidire-
ccional simétrico (sin polaridad)
con dos electrodos principales:
MT1 y MT2, y ningún control. Es
un componente eléctrico que está
preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello
se le denomina bidireccional,
siempre que se llegue a su tención
de cebado o de disparo. No es un
tristor.
D I A C

3. Dispositivo Símbolo y Estructura Curva de Respuesta Característica ON / OFF
S C R
Un SCR posee tres conexiones:
ánodo, cátodo y gate (puerta). La
puerta es la encargada de controlar
el paso de corriente entre el ánodo
y el cátodo.
Es un tristor.
Los transistores se ponen en dife-
rentes encapsulados, dependiendo
del tipo de transistor y su uso dese-
ado. Algunos transistores se fabri-
can con encapsulados de plástico,
pero otros, especialmente aquellos
que generan calor, llevan encapsu-
lados de metal. Los transistores
que generan una gran cantidad de
calor a menudo tienen una placa de
metal para un disipador de calor o
un disipador de calor integrado.
No es un tristor.
S U S
Sus características consisten en
que pueden dispararse tanto en el
semiciclo positivo como en el
negativo de una fuente de voltaje
de corriente alterna, debido a que
pueden polarizarse directa e
inversamente. Es un tristor.
S B S
El TRIAC tiene 3 terminales,
puerta, a1, a2 (ánodo 1 y 2), en este
caso no se llaman ánodo y cátodo).
Es muy común llamar a los ánodos
terminal o main terminal (terminal
principal) y a la puerta Gate. Pue-
des encontrar el símbolo donde la
puerta está hacia el otro lado.
Es un tristor.
T R I A C

4. Dispositivo Símbolo y Estructura Curva de Respuesta Característica ON / OFF
La especificación de voltaje de un
LASCR puede llegar tan alto como
4 KV a 1500 a, con una potencia
de disparo luminoso de menos de
100mw. El di/dt típico es 250 a/ms
y el dv/dt puede ser tan alto como
2000v/ms. Es un tristor.
L A S C R
Un tiristor GTO es un SCR que
puede apagarse por una pulsación
suficientemente grande en su com-
puerta de entrada, aun si la corri-
ente iD excede IH.
Es un tristor.
G T O
El SCS tiene aplicaciones muy
similares a las de SCR. Este último
tiene la ventaja de poder abrirse
más rápido mediante pulsos en
cada uno de los terminales de gate.
Es un tristor.
S C S
El IGBT es un dispositivo semi-
conductor de potencia híbrido que
combina los atributos del BJT y
del MOSFET. Posee una compu-
erta tipo MOSFET y por consi-
guiente tiene una alta impedancia
de entrada. Es un tristor.
I G B T