Proceso de fabricacion de circuitos integrados

1. CENTRO DE BACHILLERATO TECNOLÓGICO
AGROPECUARIO No. 109
“Sub. 1 y 2”
“Proceso de Fabricación de Circuitos integrados”
Facilitador:
Ing. Josué Arreortua Martínez
Alumno:
Raúl López Santiago
Especialidad: Téc. en Informática
Semestre:
Febrero 2015 – Julio 2015

2. La fabricación de circuitos integrados es el proceso mediante el
cual se crean los circuitos integrados presentes hoy día en todos
los dispositivos electrónicos. Es un proceso complejo y en el que
intervienen numerosas etapas de fotolitografía y procesado
químico, durante las cuales los circuitos se generan sobre una
oblea hecha de materiales puramente semiconductores. Para
ello se emplea mayoritariamente el silicio, aunque también se
usan semiconductores compuestos para aplicaciones
específicas, como el arseniuro de galio.

3. Produce silicio puro por el crecimiento de un cristal de silicio de gran tamaño. Calienta el silicio a una
temperatura elevada de alrededor de 1.400 grados centígrados en un crisol, y luego lentamente extrae
un único cristal puro, típicamente de 200 milímetros de diámetro desde el centro de la cuba de
rotación. Enfría este cristal cilíndrico de gran tamaño, y luego corta con cuidado en finas obleas de
menos de un milímetro de espesor. Mantén la superficie de la oblea plana para tolerancias muy
precisas. Trata cada oblea con óxido de silicio, que actúa como un agente aislante.

4. Inicia la primera etapa de fotolitografía con una brillante luz ultravioleta (UV)
a través de una máscara que coincida con el diagrama del circuito de cada
oblea. Cubre la oblea entera con una capa protectora que sea sensible a la
luz UV. Realiza este proceso en una sala limpia donde se ha eliminado todo
el polvo con filtro de aire como en la habitación de un hospital.

5. Construye la primera capa del circuito con la luz UV brillando a través de la
primera máscara, colocada en la parte superior del chip recubierto. El patrón
de la máscara permite que caiga un poco de luz en el chip y degrade sólo las
áreas descritas por la máscara. Elabora el chip, eliminando las zonas
recubiertas degradadas y dejando un patrón.

6. Graba el chip con productos químicos. En este proceso, la capa aislante de
óxido de silicio se elimina dondequiera que el patrón de la máscara se haya
designado, dejando expuesto el silicio puro en un patrón de tipo plano.

7. Trata la capa expuesta de silicio puro a través de un proceso llamado "dopaje"
que añade pequeñas cantidades de elementos tales como fósforo y boro,
permitiendo que el silicio sea utilizado como un agente de conmutación.

8. Repite los pasos del 2 al 5 de esta sección si es necesario para
completar el proceso de estratificación del circuito. Las capas
adicionales de óxido de silicio, y la realización de material aislante
deben añadirse según sea necesario.