1. MEMORIA. DEFINICION. En informática , la memoria (también llamada almacenamiento) se refiere a parte de los componentes que forman parte de una computadora . Son dispositivos que retienen datos informáticos durante algún intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las principales funciones de la computación moderna, la retención o almacenamiento de información.

2. CLASIFICACIÓN DE MEMORIAS. Memorias de sólo lectura ROM Se usan principalmente en microprogramación de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. Memorias de Lectura/Escritura RAM Memoria e acceso Aleatorio. Esta memoria es como un escritorio al igual que los escritorios tienen cajones donde ordenan la información, cuanto mas grande sea el escritorio (plano de apoyo) mas cajones voy a tener de tal suerte que el micro va a perder menos tiempo en buscar y ordenar la información

3. DIRECCIONAMIENTO DE MEMORIA . En informática , una dirección de memoria es un identificador para una localización de memoria con la cual un programa informático o un dispositivo de hardware pueden almacenar un programa informático dato para su posterior reutilización. Una forma común de describir la memoria principal de un ordenador es como una colección de celdas que almacenan datos e instrucciones. Cada celda está identificada unívocamente por un número o dirección de memoria. La información que se almacena en cada celda es un byte (conjunto de ocho bits), que es la unidad mínima de almacenamiento de datos e instrucciones, puesto que un bit solo puede contener el valor cero o uno y eso no es suficiente para guardar datos o instrucciones, por lo que se debe almacenar en bytes. Para poder acceder a una ubicación específica de la memoria, la CPU genera señales en el bus de dirección , que habitualmente tiene un tamaño de 32 bits en la mayoría de máquinas actuales. Un bus de dirección de 32 bits permite especificar a la CPU 232 = 4.294.967.296 direcciones de memoria distintas.

4. DIRECCIONAMIENTO DE MEMORIA. DIRECTO En el direccionamiento directo, la instrucción contiene la dirección de la posición de memoria donde se encuentra el operando. INDIRECTO En el direccionamiento indirecto, la dirección contiene no la dirección donde se encuentra el operando, sino la dirección donde se encuentra la dirección del operando. INDEXADO En el direccionamiento indexado como en el relativo, la parte dirección de la instrucción contiene un numero N que puede ser positivo o negativo. Sin embargo para utilizar el direccionamiento indexado, el computador debe estar equipado con un registro especial empleado para permitir direccionamiento indexado, y denominado naturalmente registro índice. La posición de memoria donde se localiza el operando se encuentra mediante la suma I + N. RELATIVO En el direccionamiento relativo la parte dirección de la instrucción contiene el número N. En memoria la dirección del operando se encuentra sumando el numero N al número del contador del programa.

5. DIRECCIONAMIENTO DE MEMORIA. INMEDIATO EN el direccionamiento inmediato, la parte de dirección de la instrucción contiene no la dirección del operando sino el mismo operando. INHERENTE Ordinariamente una dirección que es parte de una instrucción se refiere a una posición de memoria. Cuando una instrucción indica una fuente o un destino de datos y no se direcciona específicamente, ya no se hace referencia a la posición de memoria, se dice que la instrucción tiene una dirección inherente. REGISTRO INDIRECTO Algunos computadores que incorporan la facultad del direccionamiento de registro indirecto tienen un registro especial, a menudo llamado registro (P). Este registro contiene la dirección de memoria del operando. Una instrucción que invoque realmente direccionamiento de registro indirecto no tiene bits significativos en su parte dirección. En lugar de ello, la instrucción completa se incluye en los bits asignados a la parte de operación de la instrucción. Una instrucción típica que use un registro de direccionamiento indirecto debería especificar "cargar" el acumulador con el operando localizado en la dirección de memoria dada en el registro (p).

6. RELACIÓN ENTRE MHz Y NANOSEGUNDOS (ns). Megahertzio (MHz) Es una frecuencia, (numero de veces que ocurre algo en un segundo) Nanosegundos Es una millonésima parte de un segundo. Es decir, en un segundo hay 1.000.000.000 de nanosegundos.

7. RELACIÓN ENTRE MHz Y NANOSEGUNDOS (ns). Muchos usuarios están acostumbrados a utilizar como unidad de medida de la velocidad de los módulos de memoria los nanosegundos (ns) en lugar de los Mhz que se utiliza hoy en día en la publicidad de los mismos. Para pasar de Mhz a ns podemos utilizar una sencilla regla: 1 Mhz = 1.000.000 de ciclos de reloj por segundo. 1 segundo = 1.000.000.000 de ns. Si nuestro módulo de memoria trabaja a 66 Mhz lo multiplicamos por 1.000.0000 para calcular los ciclos de reloj por segundo, en este caso sería 66.000.000. Ahora si dividimos los nanosegundos que tiene un segundo entre el número de ciclos de reloj por segundo que alcanza nuestro módulo de memoria: (1.000.000.000 ns por segundo) / (66.000.000 ciclos de reloj por segundo) = 15 ns En el caso de un módulo de memoria que trabaja a 100 Mhz: (1.000.000.000 ns por segundo) / (100.000.000 ciclos de reloj por segundo) = 10 ns Un último ejemplo, un módulo de memoria de 133 Mhz: (1.000.000.000 ns por segundo) / (133.000.000 ciclos de reloj por segundo) = 8 ns

9. EDO o EDO-RAM: Extended Data Output-RAM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estánsaliendolo que la hace algo más rápida. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

10. SRAM: Static Random Access Memory. Es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.

12. SDRAM funciona de manera totalmente diferente a EDO DRAM que transmiten los datos mediante señales de control. En la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj externa.

13. BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM). Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAMEra un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos

15. RDRAM: (Direct Rambus DRAM). Es un tipo de memoria de 64 bits que puede producir ráfagas de 2ns y puede alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con picos de 1,6 GB/s.Es el componente ideal para las tarjetas gráficas AGP

23. Se trata de módulos del tipo DIMM, de 184 contactos y 64bits, con una velocidad de bus de memoria de entre 100MHz y 200MHz.

25. Se trata de módulos del tipo DIMM, en este caso de 240 contactos y 64bits. Tienen unas velocidades de bus de memoria real de entre 100MHz y 266MHz, aunque los primeros no se comercializan. La principal característica de estos módulos es que son capaces de realizar cuatro accesos por ciclo de reloj (dos de ida y dos de vuelta), lo que hace que su velocidad de bus de memoria efectiva sea el resultado de multiplicar su velocidad de bus de memoria real por 4.

27. Son también memorias del tipo SDRAM DIMM, de 64bits y 240 contactos, aunque no son compatibles con las memorias DDR2, ya que se trata de otra tecnología y además físicamente llevan la muesca de posicionamiento en otra situación. Tienen una velocidad de bus de memoria real de entre 100MHz y 250MHz, lo que da una velocidad de bus de memoria efectiva de entre 800MHz y 2000MHz (el doble que una memoria DDR2 a la misma velocidad de bus de memoria real), con un consumo de entre 0 y 1.5 voltios (entre un 16% y un 25% menor que una DDR2) y una capacidad máxima de transferencia de datos de 15.0GB/s.