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1. INGENIERÍAENSISTEMASCOMPUTACIONALES
MATERIA:
MEMORIASYPERIFERICOS
INFORME“TECNOLOGÍASDEMEMORIASSEMICONDUCTORAS”
DOCENTE:
RAMON ADAN GARCIACORONADO
ALUMNO:
OMARRAFAELARELLANOORTEGA
CD.JUAREZ,DGO A 18DEOCTUBREDEL2021

2. INTRODUCCIÓN
Desde 1972 el tipo de memoria universalmente empleada como memoria principal es la memoria de
semidonductores. Las memorias de semiconductores almacenan la información en forma electrónica,
mediante circuitos simples, que pueden ser construidos automáticamente y en forma masiva con la cada vez
más sofisticada tecnología de integración de gran escala. Lamentablemente, éstas memorias son volátiles.
Dado que almacenan la información electrónicamente, al quitarse la alimentación la misma se pierde.
Una memoria es un elemento fundamental de todo sistema microordenador
 Almacenamiento
 datos
 instrucciones de programa
 variables de trabajo o datos de interés para el proceso
Unidad de memoria: dispositivo electrónico capaz de almacenar
información, de modo que el elemento que se sirva de ella pueda acceder
a la información solicitada en cualquier momento

3. CLASIFICACION
DelecturayescrituraoRAM
Estáticas(SRAM)
Dinámicasoconrefresco(DRAM)
DesólolecturaROM
1)RAM ESTÁTICAS (SRAM). MEMORIAS BIESTABLES
El componente elemental de las memorias biestables (capaz de almacenar un bit) es el Flip-Flop (FF),
un dispositivo electrónico que es a su vez un elemento ampliamente utilizado en las computadoras en
su conjunto, especialmente en los registros.
Si bien existen varios tipos de FF, consideraremos solo uno de ellos, que utilizaremos en nuestras
futuras descripciones: el Flip-Flop R-S.
El diagrama básico de un FF de este tipo es el que muestra la figura.
La tabla de funcionamiento de este tipo de Flip-Flop se muestra en la figura.

4. 2) RAM Dinámicas. (DRAM)
El componente elemental (capaz de almacenar un bit de información) es un condensador
(capacitor) que denominaremos celda capacitiva o celda.
El contenido de información de cada celda queda determinado por la carga del capacitor: una
tensión de 0 a 6 volts representa un cero, mientras que 6 a 12 volts indicará un uno lógico.
Una de las características fundamentales de los capacitores es que pierden su carga con el tiempo. Si no se tomara en cuenta
este fenómeno, la información almacenada iría "borrándose", haciéndola por lo tanto absolutamente no confiable. El proceso
destinado a mantener en un nivel adecuado el nivel de carga de celda se denomina refresco.
Cada vez que se efectúa un acceso a una celda (para lectura o grabación) se realiza el refresco de esa posición. Pero no es
suficiente, dado que ciertas posiciones de memoria pueden no ser accedidas por largo tiempo y, por lo tanto se necesita un
proceso adicional de refresco. Mediante este proceso, cada celda es refrescada a breves intervalos de tiempo.
La figura muestra las curvas características de carga (grabación de un 1) y de descarga (grabación de un 0) en una celda.

5. Una celda de memoria RAM dinámica es más simple que una estática y por lo tanto más pequeña. Por lo
tanto, la RAM dinámica es más densa (más celdas por unidad de superficie) y más barata que la
correspondiente SRAM. Por otra parte una DRAM requiere de una circuitería para el refresco. En memorias
grandes, el coste fijo de la circuitería de refresco se ve más que compensado por el menor costo de las
celdas DRAM. Así, las DRAM son preferidas para memorias grandes. Un último detalle es que las SRAM
son generalmentealgomás rápidasque lasDRAM.
Ubicación de la Memoria RAM en la Motherboard (Placa Madre)

6. III) ROM: Memorias
de Solo Lectura.
 Las memorias ROM almacenan habitualmente información pre-grabada por
el fabricante y que no puede ser modificada por el usuario. (Ejemplos típicos
son los intérpretes basic, los juegos de los family game, las rutinas del iocs,
etc.)
 Este tipo de memorias tiene dos ventajas fundamentales:
 a) su gran velocidad de acceso
b) su no volatilidad (no se "borra" al apagar la computadora)
Es muy simple imaginarse la estructura de una memoria ROM.
Supongamos tener que generar la siguiente secuencia de valores:
Que aunque es un simple contador de 0 a 9 (FIG. 1), puede ser
considerada (con un poco de imaginación), una serie de
instrucciones de un programa.
Supongamos además que disponemos de una malla de
conductores eléctricos como la de la FIG. 2: donde los puntos de
cada intersección indican que los conductores horizontales y
verticales están físicamente conectados.
Si por algún procedimiento eliminamos adecuadamente "algunas"
de estas conexiones físicas, podemos obtener la malla siguiente.

7. IV) PROM:(Programmable Read Only Memory):
Se puede advertir que, si alimentamos un "1" (por ej. 5 volts) en las "salidas" S0 S1 S2 S3 obtendremos la
secuencia de "1" de nuestro contador (programa).
Este es el principio de generación de una memoria ROM; basándonos en una matriz (malla original de
conductores), como lo nuestra la figura de la página anterior, el programador "quema" o elimina los enlaces no
necesarios, con el fin de obtener a la salida una secuencia predeterminada con el simple método de alimentar
sucesivamente cada una de las entradas.
Existen equipos simples para la programación de memorias ROM, normalmente asociados a un
microprocesador que facilita la operación.
Son ROMs programables, es decir suministradas vírgenes (todas las posiciones en 0 o en 1). Son grabadas
por el usuario mediante un equipo especial, convirtiéndose en ROMs, ya que sólo pueden grabarse una sola
vez. Son unitariamente más caras que las ROMs pero dan una flexibilidad que estas no tienen

8. V) EPROM: (Erasable Programmable Read Only Memory)
Son ROMs programables y borrables. Son más caras que las PROM, pero pueden borrarse y
volver a grabarse. El borrado se hace sacando los chips de sus zócalos en las plaquetas de
memoria y exponiéndolos a luz ultravioleta de alta intensidad durante 15 o 20 minutos. Son
muy útiles cuando el software que se carga en ella está en etapa de desarrollo. Desde el punto
de vista de la computadoras son ROMs ya que esta solo puede leer y no escribir en ellas.
Tipos de Borradores de EPROM
EEPROM: (Electricaly Erasable Programable Read Only Memory).
Similar a la EPROM pero pueden ser borradas mediante elevadas corrientes y
reprogramadas en milisegundos

9. CONCLUSIÓN:
Para concluir con este tema en mi caso había escuchado
solamente de las memorias RAM, ya que no tenia un basto
conocimiento de todos los tipos de memorias
semiconductoras y sus características vistas en este tema, me
complace decir que lo que mas me llamo la atención fueron
las memorias ROM ya que almacenan habitualmente
información pre-grabada por el fabricante y que no puede
ser modificada por el usuario, es un tema muy interesante y
de gran importancia en nuestra carrera, de ante mano espero
seguir adquiriendo mas conocimientos sobre esta materia
“MEMORIASY PERIFERICOS” .

10. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
portalhuarpe.com. (18 de OCTUBRE de 2021). portalhuarpe.com. Obtenido de
http://www.portalhuarpe.com.ar/medhime20/Sitios%20con%20Medhime/Computaci%
C3%B3n/COMPUTACION/Menu/modulo%204/paginas/4-4.htm
Anonymous. (18 de octubre de 2021). nanopdf.com. Obtenido de
https://nanopdf.com/download/tema-9-memorias-semiconductoras-ocw-usal_pdf