5. Curva Característica del Diodo Real I D = Corriente del diodo I S = Corriente inversa de saturación V D = Voltaje aplicado T K = Temperatura absoluta en ºK = 273º + ºC K = 11600/n n =1, Ge n =2, Si
6. Corrientes de Difusión Producida por el flujo de portadores mayoritarios hacia el otro material, contribuyendo al incremento de portadores minoritarios en esa región. No depende de un campo magnético externo.
7.
8. Efecto de la Temperatura La corriente inversa de saturación I S se duplicará en magnitud por cada 10ºC de incremento en la temperatura.