Caracteristicas de los transistores

1. H E L M E R E D U A R D O C A L L E S A N C H E Z
CARACTERISTICAS DE
LOS TRANSISTORES

2. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
• TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET
• TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
• TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION
• TRANSISTOR SILICON COMPLEMENTARY
• TRANSISTOR SILICON POWER

3. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET
• Voltaje drenaje-Gate, VDG. ... ……….. 40V
• Invierta Voltaje puerta-fuente, VGSR. . 40V
• Forward puerta actual, IG (f). . .. . . 10mA
• Disipación total del dispositivo (TA = 25 °
C), PD. . . . 310mW
• Degradación por encima de 25 ° C 2.82mW /°
C
• Rango de temperatura de unión, TJ.. . -65 ° a
+135 ° C
• Rango de temperatura de
almacenamiento, Tstg. . . . .. . . . . . . . . . . -55 ° a
150 ° C
NTE326
http://www.talonix.com

4. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
• Baja resistencia: 2,5?
• Bajo Umbral: 2,1 V
• Baja capacitancia de entrada: 22 pF
• Rápido velocidad de conmutación: 7 ns
• Bajo entrada y fuga de salida
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
littlemachineshop.com

5. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION
• Programable - RBB, IV e IP
• Baja tensión en estado activado - 1,5 V
Máxima @ IF = 50 mA
• Bajo Puerta de fuga del ánodo actual - 10 nA
máximo
• Tensión de salida High Peak - 11 V Típico
• tensión de offset bajo - 0,35 V Típica (RG = 10 k)
• Paquetes Pb gratuitos están disponibles *
2N6027, 2N6028
http://www.unicrom.com

6. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR SILICON COMPLEMENTARY
• Zona Alta de
funcionamiento seguro:
250W @ 50V
• Una baja distorsión
Diseños Complementarios
• Alta Ganancia de CC:
hFE = 25 Min @ IC = 5A
NTE60 (NPN) & NTE61 (PNP)
octopart.com

7. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR SILICON POWER
• Alta Ganancia de
CC: hFE = 25 - 100 @
IC = 7,5
• Excelente área de
funcionamiento
seguro
NTE180 (PNP) & NTE181 (NPN)
orig-10001.allied.att-dsa.net