1. UNIVERSIDAD PRIVADA
TELESUP
TRANSISTORES

2. 1.Transistor ndp6030pl
(MOSFET)
CARACTERISTICAS
 Los valores máximos absolutos TC = 25 ° C a
menos que se indique lo contrario
 Símbolo de los parámetros NDP6030PL
NDB6030PL unidades
 VDSS drenaje-fuente de tensión -30 V
 VGSS puerta-fuente de tensión - Continuo ± 16 V
 Identificación Consumo de corriente - continua -30 A
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
 RqJC Resistencia térmica, conexión a Caso 2 ° C /
W
 RqJA Resistencia térmica, Junction-a-ambiente 62.5
°C/W
 NDP6030PL Rev.B1
 Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5 V
 RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.
 Críticos de los parámetros eléctricos de corriente
continua especificadas a temperaturas elevadas

3. 2.Transistor J201 Low Noise N-
Channel JFET
 Popular Fairchild JFET transistor para los pedales de guitarra y preamplificadores en un
caso de TO-92.Compatible con RoHS.

4. 3.Transistor 2N3055-3
CARACTERISTICAS
 Material: Si
 La estructura de transistor: npn
 Máxima disipación de potencia continua colector
del transistor (Pc): 117W
 Limite el colector DC-base (Ucb): 110V
 Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 100V
 Límite de tensión emisor-base (Ueb): 7V
 Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 15A
 Temperatura límite de unión pn (Tj): 200°C
 Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
 Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -
 Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común (Hfe),
min/max: 20/70
 Fabricante: KELTRON
 Caso: TO3

5. 4.Transistor 2n6099
CARACTERISTICAS
 Material: Si
 La estructura de transistor: npn
 Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 75W
 Limite el colector DC-base (Ucb): 70V
 Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 60V
 Límite de tensión emisor-base (Ueb): 8V
 Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 10A
 Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
 Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
 Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf:
-
 Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 20/80
 Fabricante: STI
 Caso: TO220

6. 5.Transistor mc140
CARACTERISTICAS
 Material: Si
 La estructura de transistor: npn
 Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 3.5W
 Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
 Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 40V
 Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
 Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 1A
 Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
 Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
60MHz
 Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 25
 Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 40/300
 Fabricante: PHO
 Caso: TO126