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1. TEMPORIZACIÓN DE
MEMORIAS DRAM

2. BREVE EXPLICACIÓN.
Significa memoria dinámica de acceso
aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de
tecnología de memoria RAM basada en condensadores,
los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando
de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto
período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo
de refresco.

3. Funcionamiento
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar
un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el
funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en
un transistor de efecto de campo y un condensador.
Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices
de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas.
Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero
en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por
mitades.

4. Memoria DDR

5. Tipos de memoria DRAM y su funcionamiento
DDR:
Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips
de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras
de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con
conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

6. 1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0.
3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde.
4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden a
descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1, esto se le llama "refrescar
la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco eficaces.
Explicación

7. Partes que componen a un memoria DDR.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:
Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.
Chips: son módulos de memoria volátil.
Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria
DDR.
Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR.

8. La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de
los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la
velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:
Velocidad de la DDR.
Nombre asignado
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side
Bus")
PC-2100 266 MHz
PC-2700 333 MHz
PC-3200 400 MHz

9. Tiempo de acceso de la memoria DDR
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le
solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
DDR PC2100 7.5 nseg
DDR PC2700 6 nseg,
DDR PC3200 5 nseg

10. Latencia de la memoria DDR
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre
cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su
destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (Mega Hertz),
ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.
Tipo de memoria Latencias (CL)
DDR PC2100 2.5
DDR PC2700 2.5
DDR PC3200 2.5 hasta 4

11. Memoria DDR2

12. • Todos las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.
• Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
• Como sus antecesores, pueden estar o no ocupadas todas sus ranuras
para memoria.
• Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.
Características generales de la memoria DDR-2

13. La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en Mega Hertz (MHz).
En el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se
tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se
comercializaron las siguientes:
Velocidad de la memoria DDR-2
Nombre asignado
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side
Bus")
PC5300 667 MHz
PC6400 800 MHz

14. El tiempo de acceso de la memoria DDR-2
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto
resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos
(nseg):
Tipo de memoria
Tiempo de respuesta en nanosegundos
(nseg)
DDR-2 PC5300 6 nseg
DDR-2 PC6400 5 nseg,

15. Latencia de las memorias DDR2
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta
celda de memoria, otra definición es: Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino.
Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al
aumentar está, también aumenta la latencia.
Tipo de memoria Latencias (CL)
DDR2 PC5300 4 y 5
DDR2 PC6400 4, 5 hasta 6

16. Memoria DDR3

17. Velocidad de la memoria DDR3
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en Mega Hertz (MHz). En
el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene
que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se
comercializaron las siguientes:
Nombre asignado
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side
Bus")
DDR3 PC3-8500 1066 MHz
DDR3 PC3-10600 1333 MHz
DDR3 PC3-12800 1600 MHz
DDR3 PC3-14900 1866 MHz
DDR3 PC3-16000 2000 MHz
DDR3 PC3-17000 2133 MHz
DDR3 PC3-19400 2400 MHz

18. El tiempo de acceso de la memoria DDR-3
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado
que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
DDR3 PC3-8500 7.5 nseg.
DDR3 PC3-10666 6 nseg,
DDR3 PC3-12800 5 nseg,
DDR3 PC3-14900 ±4 nseg,
DDR3 PC3-16000 ± No disponible nseg,

19. Latencia de la memoria DDR-3
Tipo de memoria Latencias (CL)
DDR3 PC3-8500 6 hasta 8
DDR3 PC3-10666 7 hasta 10
DDR3 PC3-12800 8 hasta 11
DDR3 PC3-14900 11 hasta 13
DDR3 PC3-16000 9

20. Integrantes:
*Camas López Itzel
*Cruz Sánchez Mayra R.
*Quiroga Gamboa Yarenis
*Rodríguez Fuentes Itzel
*Santos Reyes Erika
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