trabajo de estudiante

2.  Están normalmente formados por metales como el
platino y silicio, es decir un diodo schottky surge de
la unión de un platino, con silicio de tipo n.
 Son dispositivos que tienen una caída de voltaje
directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o
menos
 Reciben también el nombre de diodos de
recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores
calientes.

3.  La alta velocidad de conmutación permite rectificar
señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos
de corriente en circuitos de alta intensidad.
 A diferencia de los diodos convencionales de silicio,
que tienen una tensión umbral de 0,7 V, los diodos
Schottky tienen una tensión umbral de
aproximadamente 0,2 V a 0,4 V.

4.  La principal aplicación de este tipo de diodos, se
realiza en fuentes de baja tensión, en las cuales las
caídas en los rectificadores son significativas.
 Circuitos de alta velocidad para computadoras
donde se necesiten grandes velocidades de
conmutación y mediante su poca caída de voltaje
en directo permite poco gasto de energía.

5.  Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen
una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña,
del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas
velocidades y se utilizan en fuentes de potencia.
 circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales.
Reciben también el nombre de diodos de
recuperación rápida (Fast recovery) o de
portadores calientes.

6.  Tiene poca capacidad de conducción de corriente en
directo (en sentido de la flecha). No puede ser
utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de
rectificación en que la cantidad de corriente que
tiene que conducir en sentido directo es bastante
grande.
 No acepta grandes voltajes que lo polaricen
inversamente pues requiere que la tensión inversa
que tiene que soportar el diodo sea grande.

7.  El diodo schoottky tiene un segmento muy especialtiene un segmento muy especial
dentro de la electrónica y sus aplicaciones y esdentro de la electrónica y sus aplicaciones y es
específicamente el de trabajar a altas frecuencias deespecíficamente el de trabajar a altas frecuencias de
hasta 300MHz, eliminando picos de corriente y enhasta 300MHz, eliminando picos de corriente y en
conmutación altísima, con bajos niveles de tensión,conmutación altísima, con bajos niveles de tensión,
umbral bajo y, debido a su construcción, tiempos deumbral bajo y, debido a su construcción, tiempos de
respuesta mucho más rápidos.respuesta mucho más rápidos.

8. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos
materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos
bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la
barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente
alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para
este tipo de diodo está alrededor de los 100V.
APLICACIONES
La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en las
cuales las caídas en los rectificadores son significativas.