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SISTEMAS ELECTRONICOS
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TRANCISTOR BJT
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Tepexi de Rodríguez, Pue. 04 de JULIO de 2016
Contenido
Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez
Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla
Academia de Ingeniería Mecánica
Reporte de Prácticas de Laboratorio
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En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de unión, un
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como las señales de radio y de televisión. El transistor ha llevado a
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Este capítulo presenta el transistor de unión bipolar (BJT), el cual utiliza
tanto electrones libres como huecos. La palabra bipolar quiere decir "dos
polaridades". En los siguientes capítulos se verá cómo el BJT puede
utilizarse como amplificador y como conmutador.
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Describir las relaciones entre las corrientes de base, emisor y colector de
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Antecedentes
En la tarde del 23 de diciembre de 1947, Walter H. Brattain y John
Bardeen demostraron la función amplificadora del primer transistor en
los laboratorios Bell Telephone Laboratorios. El primer transistor se
llamó transistor de punto de contacto, y fue el predecesor del transistor
de unión inventado por Schockley.
El transistor a veces se denomina transistor de unión bipolar, o BJT
(bipolar junction transistor). Sin embargo, la mayoría de las personas
relacionadas con la industria electrónica todavía emplean sólo la palabra
transistor, sobreentendiendo que se refieren al transistor de unión
bipolar.
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• En seguida se elaboró un diagrama eléctrico el cual nos sirvió para realizar las
conexiones en el protoboard, realizando las conexiones debidas del potenciómetro (al
centro), los transistores NPN 2222A (a los costados) y por último los leds ambos
conectados a tierra.
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Fuentes de información
• PRINCIPIOS DE ELECTRONICA. SEPTIMA EDICION. ALVERT MALVINO, DAVID J. BATES
• ANALISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA Mc GRAW HILL. JOHN J. GRAIGER, WILLIAM D.
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transistor BJT (reporte de practica)

  • 1. Secretaría de Educación Pública TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE TEPEXI DE RODRÍGUEZ DIVISIÓN DE INGENIERÍA MECÁNICA E INDUSTRIAL INGENIERÍA MECÁNICA SISTEMAS ELECTRONICOS Reporte de Práctica: TRANCISTOR BJT Nombres de los alumnos: MARTINEZ MAURICIO EDUARDO Nombres del Docente ING. PEDRO CRUZ ORTEGA Tepexi de Rodríguez, Pue. 04 de JULIO de 2016 Contenido
  • 2. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio Contenido Contenido................................................................................................................................................1 Contenido................................................................................................................................................2 Página 2
  • 3. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio CARRERA PLAN DE ESTUDIO CLAVE DE ASIGNATURA NOMBRE DE LA ASIGNATURA UNIDAD INGENERIA MECÁNICA IMEC-2010-228 MEC-1030 SISTEMAS ELECTRONICOS 1 PRACTICA No. LABORATORIO DE NOMBRE DE LA PRACTICA DURACIÓN (HORAS) 1 MECANICA TRANSISTOR BJT 3 Página 3
  • 4. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio Introducción En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de unión, un dispositivo semiconductor que puede amplificar señales electrónicas como las señales de radio y de televisión. El transistor ha llevado a inventar muchos otros dispositivos semiconductores, incluyendo el circuito integrado (CI), un pequeño dispositivo que contiene miles de transistores miniaturizados. Las modernas computadoras y otros milagros electrónicos han sido posibles gracias a los circuitos integrados. Este capítulo presenta el transistor de unión bipolar (BJT), el cual utiliza tanto electrones libres como huecos. La palabra bipolar quiere decir "dos polaridades". En los siguientes capítulos se verá cómo el BJT puede utilizarse como amplificador y como conmutador. Página 4
  • 5. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio Objetivo Describir las relaciones entre las corrientes de base, emisor y colector de un transistor de unión bipolar Enumerar varios de los parámetros del transistor de unión bipolar. Página 5
  • 6. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio Antecedentes En la tarde del 23 de diciembre de 1947, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la función amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone Laboratorios. El primer transistor se llamó transistor de punto de contacto, y fue el predecesor del transistor de unión inventado por Schockley. El transistor a veces se denomina transistor de unión bipolar, o BJT (bipolar junction transistor). Sin embargo, la mayoría de las personas relacionadas con la industria electrónica todavía emplean sólo la palabra transistor, sobreentendiendo que se refieren al transistor de unión bipolar. Página 6
  • 7. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio Desarrollo • Se inició la práctica identificando los materiales a utilizar así mismo las capacidades eléctricas de cada uno, y su funcionamiento en este caso con mayor énfasis en el transistor BJT Página 7
  • 8. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio • En seguida se elaboró un diagrama eléctrico el cual nos sirvió para realizar las conexiones en el protoboard, realizando las conexiones debidas del potenciómetro (al centro), los transistores NPN 2222A (a los costados) y por último los leds ambos conectados a tierra. • Se midieron voltajes para evitar algún corto, así como también continuidad en todo el circuito. Página 8
  • 9. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio • Por último se realizó la prueba del circuito con una alimentación de 9 V. y se obtuvo una amplificación de voltaje para encender dos diodos emisores de luz mejor conocidos como led, la intensidad del voltaje también fue regulado por un potenciómetro para evitar alguna incremento de voltaje no deseado Página 9
  • 10. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio CONCLUSIONES. Obtuvimos una regulación de voltaje a 2.5 V con un potenciómetro de 10K y dos transistores 2N2222A, el cual sirvió para encender los dos leds. Y por lo cual dedujimos la relación entre la corriente de colector y la corriente de base se conoce como ganancia de corriente y se simboliza mediante (Beta dc) o hFE. En los transistores de baja potencia, normalmente toma valores entre 100 y 300. La corriente de emisor es la más grande de las tres corrientes, la corriente de colector es casi igual de grande y la corriente de base es mucho más pequeña. Página 10
  • 11. Instituto Tecnológico Superior de Tepexi de Rodríguez Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla Academia de Ingeniería Mecánica Reporte de Prácticas de Laboratorio Fuentes de información • PRINCIPIOS DE ELECTRONICA. SEPTIMA EDICION. ALVERT MALVINO, DAVID J. BATES • ANALISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA Mc GRAW HILL. JOHN J. GRAIGER, WILLIAM D. STEVESON Jr Página 11