El documento describe el proceso de fabricación de circuitos integrados. Se inicia con el silicio de alta pureza que se corta en obleas circulares delgadas. Luego se realizan etapas como oxidación, difusión, deposición por vapor químico y fotolitografía para generar los circuitos en la oblea. Finalmente, las obleas se cortan en pastillas individuales que son empacadas con alambres de oro y selladas para formar los circuitos integrados finales.
Fabricación de circuitos integrados en silicio: Proceso complejo con numerosas etapas
1. CENTRO DE BACHILLERATO
TECNOLOGICO AGROPECUARIO
NO.109
PRCESO DE FABRICACION DLOS
CIRCUITOS INTEGRADOS
SUBMODULO 1,2
DOCENTE JOSUE ARREORTUA
MATINEZ
ALUMNO: Jonathan Matías Mendoza
2. Es un proceso complejo y
en el que intervienen
numerosas etapas de
fotolitografía y procesado
químico, durante las cuales
los circuitos se generan
sobre una oblea hecha de
materiales puramente
semiconductores. Para ello
se emplea mayoritariamente
el silicio.
3. El silicio puede ser refinado por medio de
técnicas bien establecidas de purificación y
crecimiento de cristales. Este elemento químico
también exhibe propiedades físicas apropiadas
para la fabricación de dispositivos activos .
4. FABRICACION DE OBLEA.
el material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de
muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color
gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de
longitud . este cristal se rebana para producir obleas circulares de
400 μm a 600 μm de espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros).
5. Oxidación
. El Dióxido de Silicio es una película delgada, transparente y su superficie es
altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la
interferencia constructiva y destructiva hará que ciertos colores se reflejen.
DIFUCION
Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta
concentración a una de baja a través del cristal semiconductor a altas
temperaturas (1000 a 1200 °C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado
6. Deposición por medio de vapor químico
Es un proceso mediante el cual gases o vapores se
hacen reaccionar químicamente, lo cual conduce a
la formación de sólidos en un sustrato. Las
propiedades de la capa de óxido que se deposita
por medio de vapor químico no son tan buenas
como las de un óxido
7. Fotoligrafia
. La capa fotosensible puede utilizarse para
proteger por debajo los materiales contra el ataque
químico en húmedo o contra el ataque químico de
iones reactivos. Este requerimiento impone
restricciones mecánicas y ópticas muy críticas en el
equipo de fotolitografía
8. Empacado . Después de haber probado los circuitos eléctricamente se
separan unos de otros (rebanándolos) y los buenos
(“pastillas”) se montan en cápsulas (“soportes”).
Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las
terminales del paquete al patrón de metalización en la
pastilla; por último, se sella el paquete con plástico o resina
epódica al vacío o en una atmósfera inerte.