Los Semiconductores Intrínsecos y Dopados

1. Los semiconductores
intrínsecos y dopados
Bolivar Herrada Manuel Antonio Abel

2. A temperatura ambiente se
comporta como Aislante pues
debido a la energía térmica
tiene pocos electrones libres y
térmicos.
Es un Semiconductor Purose,
contiene una cantidad mínima
de átomos impuros.
n = p =ni
Semiconductores intrínsecos
http://electronicageneralenet1.blogspot.com/20
13/05/semiconductor-puro-de-silicio.html

3. Flujo estable de electrones
libres y huecos dentro del
semiconductor
Al llegar los electrones lires
al extremo derecho del
cristal, entran al conductor
externo y circulan hacie el
terinal positivo de la
batería.
Los electrones libres en el terminal negativo de
la batería fluirán hacie el extremo izquierdo del
cristal, de esta manera entran al cristal y se
combinan con los huecos que llegan al extremo
izquierdo del cristal.
 Se produce un flujo estable de electrones libres
y huecos dentro del semiconductor.

http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1

4. La generación eléctrica de pares electrón –
hueco se explica de la siguiente manera:
Si un electrón de valencia se
convierte en electrón de conducción
deja una posición bacante, si se
aplica un campo eléctrico al
semiconductor, este hueco es
ocupado por otro electrón de
valencia que deja otro hueco.
Generación térmica de pares
Este efecto es de una carga +e
moviéndose en dirección del campo
electrón hueco
eléctrico.
http://fisicauva.galeon.com/aficiones19258
12.html

5. 



Consiste en sustituir algunos atomos
de silicio por atomos de otros
elementos conocidos como
impurezas.
Según el tipo de impureza con el que
se dope el semiconductor puros o
intrinsecos, aparecen 2 tipos de
conductores:
Semiconductores Tipo P
Semiconductores Tipo N
Los semiconductores dopados

6. Semiconductores tipo p y tipo n
http://commons.wikimedia.org/wiki/F
ile:Diodo_pn__zona_de_carga_espacial.png

7. Para los semiconductores
del grupo IV como el
Germanio, Silicio y Carburo
los dopantes mas comunes
son elementos del grupo III
o del grupo V, Boro,
Fósforo, Arsénico, y
ocasionalmente el Galio,
son utilizados para dopar al
http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(
semiconductores)
Elementos dopantes
silicio.


8. 
El dopaje tipo P, se
crean agujeros
mediante la
incorporación en caso
del silicio de átomos
con 3 electrones de
valencia, por lo general
se utiliza el Boro.
http://www.textoscientific
os.com/energia/celulas
Dopaje tipo p