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átomos de carbono
dispuestos en una de la
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Este material también presenta puntos en contra.
Las hojas de este material al ser
cultivado en un laboratorio casi nunca
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A: imagen de defecto en un grafeno celosía.
B: estructura atómica simulada obtenida.
C: Una experimental STM imagen de una sola vacante, que aparece como una
protuberancia debido a un aumento en el DOS local en el vínculo que cuelga
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Método Estructura Medio Ambiente Rendimiento Ancho
Exfoliación micromecánica. Nanoláminas Bajo Grande de 100 m
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Nanocintas 10-6 Torr, 300 °C durante
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CVD de baja presión. Películas monocapa 350 Torr, 1000 °C
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Tabla recuperada de: Jinlian Hu, Haibo Zeng, Xiufeng Song. Jinlian Hu, Haibo Zeng, Xiufeng Song. (282013). Two-dimensional
semiconductors: recent progress and future perspectives.. Journal of Materials Chemistry C, 17, 2952-2969.
Método “Exfoliación micromecánica” para la obtención de grafeno.
• El grafeno se puede obtener a partir de precursores de bajo costo; el más
común de éstos es el grafito natural, ya que es una estructura tridimensional
de láminas de grafeno superpuestas.
• Método de exfoliación micromecánica, denominado habitualmente método
“Scotch tape”.
• Mejor método para la obtención de grafeno.
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• Seriamente limitado por la pequeña cantidad de material
obtenido y por su baja calidad y reproducibilidad.
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Existen multitud de métodos alternativos al “Scotch tape”, sin
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MÉTODO CVD DE BAJA PRESIÓN.
Imágenes de grafeno sobre cobre cultivadas por CVD.
(A) El grafeno dominio cultiva a 1,035 ° C en el cobre a una tasa de crecimiento
promedio de 6 micras min -1.
(B) de grafeno núcleos forman durante la etapa inicial de crecimiento.
(C) de alta energía superficial grafeno frente de crecimiento mostrado por la flecha
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Derechos de Autor 2011 American Chemical Society.
• Se ha especulado al grafeno para el posible remplazo del silicio como el
componente básico de la industria electrónica.
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movilidad de electrones que
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más económico, sencillo y
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electron observations of the SiC (0001) surface. Surface Science 48(2): pp.
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Novoselov, K. S., Geim, A. K., Morozov, S. V., Jiang, D., Zhang, Y., Dubonos, S.
V., Grigorieva, I. V., Firsov, A. A. (2004). Electric field effect in atomically thin carbon
film. Science 306(5696): pp. 666-669.
Novoselov, K. S., Geim, A. K., Morozov, S. V., Jiang, D., Zhang, Y., Dubonos, S. V.,
Grigorieva, I. V., Firsov, A. A. (2004). Electric field effect in atomically thin carbon
film. Science 306(5696): pp. 666-669.
RECUPERADO DE:
http://www.sciencemag.org/content/306/5696/666.full.pdf?sid=c00f3
dc1-8ec5-467a-ac96-d2ef6d026cd3
Lin Li, Zhong Wu, Shuang Yuan, Xin-B Zhang. (21 Mar 2014). Advances and
challenges for flexible energy storage and conversion devices and
systems. Energy & Environmental Science, 7, 2101-2122.
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Jingquan Liu, Jianguo Tang, J. Justin Gooding . (2 de abril 2012). Strategies for
chemical modification of graphene and applications of chemically
modified graphene. Journal of Materials Chemistry, 22, 12435-12452.
RECUPERADO DE:
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Grafeno nuevas espectativas

  • 1.
  • 2. Búsqueda de un material como una alternativa económica e innovadora para la tecnología. El grafeno. Existe sobre explotación de materia prima en la industria. Se inició la búsqueda de nuevos materiales.
  • 3. Grafeno compuesto de una sola capa de átomos de carbono dispuestos en una de la red de nido de abeja de dos dimensiones de anillos de seis miembros.
  • 4. Este material también presenta puntos en contra. Las hojas de este material al ser cultivado en un laboratorio casi nunca tienen una estructura de hexágonos perfectos. No es posible su producción en masa.
  • 5. A: imagen de defecto en un grafeno celosía. B: estructura atómica simulada obtenida. C: Una experimental STM imagen de una sola vacante, que aparece como una protuberancia debido a un aumento en el DOS local en el vínculo que cuelga (marcados con un círculo en el panel).
  • 6. Método Estructura Medio Ambiente Rendimiento Ancho Exfoliación micromecánica. Nanoláminas Bajo Grande de 100 m Ataque químico de plasma de BNNTs. Nanocintas Los nanotubos de BN parcialmente incrustadas en una película de polímero Medio 15-500 nm Potasio-intercalación de división de BNNTs. Nanocintas 10-6 Torr, 300 °C durante 72 h en tubo de cuarzo Bajo 40 nm Exfoliación Liquida. Nanoláminas En diversos disolventes orgánicos Alto Menos de 100 nm La descomposición térmica. Nanomeshs 3 × 10-7 mbar, 800 °C en superficies metálicas Muy bajo Nano-a escala de longitud microscópica La síntesis química. Nanoláminas 900 °C en una atmósfera de nitrógeno Alto Varios cientos de nm CVD de baja presión. Películas monocapa 350 Torr, 1000 °C durante 1 h sobre una superficie de metal en un tubo de cuarzo Bajo Centímetros a escala CVD a presión atmosférica. Películas de capa Pocas 700 °C durante 1 h en una superficie de metal en un tubo de cuarzo Bajo Varios centímetros Tabla recuperada de: Jinlian Hu, Haibo Zeng, Xiufeng Song. Jinlian Hu, Haibo Zeng, Xiufeng Song. (282013). Two-dimensional semiconductors: recent progress and future perspectives.. Journal of Materials Chemistry C, 17, 2952-2969.
  • 7. Método “Exfoliación micromecánica” para la obtención de grafeno. • El grafeno se puede obtener a partir de precursores de bajo costo; el más común de éstos es el grafito natural, ya que es una estructura tridimensional de láminas de grafeno superpuestas. • Método de exfoliación micromecánica, denominado habitualmente método “Scotch tape”. • Mejor método para la obtención de grafeno. • Utilizado para la delaminación del grafito.
  • 8. • Seriamente limitado por la pequeña cantidad de material obtenido y por su baja calidad y reproducibilidad. • Ha impedido el escalado del procedimiento y su aplicación como método industrial. Existen multitud de métodos alternativos al “Scotch tape”, sin embargo la mayoría de los métodos requieren de instrumentación específica o son muy difíciles de implementar en un laboratorio convencional. MÉTODO CVD DE BAJA PRESIÓN.
  • 9. Imágenes de grafeno sobre cobre cultivadas por CVD. (A) El grafeno dominio cultiva a 1,035 ° C en el cobre a una tasa de crecimiento promedio de 6 micras min -1. (B) de grafeno núcleos forman durante la etapa inicial de crecimiento. (C) de alta energía superficial grafeno frente de crecimiento mostrado por la flecha en (a). Derechos de Autor 2011 American Chemical Society.
  • 10. • Se ha especulado al grafeno para el posible remplazo del silicio como el componente básico de la industria electrónica. •Tiene cien veces más movilidad de electrones que el silicio. Capaz de aumentar cientos o miles de veces el rendimiento de los chips. Mayor durabilidad que el acero. Principales propiedades del grafeno utilizadas en la industria de telecomunicaciones.
  • 11. Alta conductividad del calor (disipadores). Enorme flexibilidad. Gran dureza.
  • 12. Prototipos de la industria en telecomunicaciones basados en grafeno.
  • 13. El grafeno mas rápido que la fibra óptica. (B) La transferencia independiente grafeno - polímero de membrana en fibra óptica como componente.
  • 14. A principio del año 2013, IBM consiguió fabricar un chip con grafeno.
  • 15. El método de exfoliación micromecánica pese a ser el más económico, sencillo y eficaz no puede producir el grafeno en masa. Mientras no exista un mejor método que la exfoliación micromecánica el grafeno, seguirá siendo un tema de laboratorio e investigación.
  • 16. Novoselov, K. S., Jiang, D., Schedin, F., Booth, T. J., Khotkevich, V. V., Morozov, S. V., Geim, A. K. (2005). Two dimensional atomic crystals. Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 102(30): pp. 10451-10453. Van Bommel, A. J., Crombeen, J. E., Van Tooren, A. (1975). LEED and AUGER electron observations of the SiC (0001) surface. Surface Science 48(2): pp. 463-472. Novoselov, K. S., Geim, A. K., Morozov, S. V., Jiang, D., Zhang, Y., Dubonos, S. V., Grigorieva, I. V., Firsov, A. A. (2004). Electric field effect in atomically thin carbon film. Science 306(5696): pp. 666-669. Novoselov, K. S., Geim, A. K., Morozov, S. V., Jiang, D., Zhang, Y., Dubonos, S. V., Grigorieva, I. V., Firsov, A. A. (2004). Electric field effect in atomically thin carbon film. Science 306(5696): pp. 666-669. RECUPERADO DE: http://www.sciencemag.org/content/306/5696/666.full.pdf?sid=c00f3 dc1-8ec5-467a-ac96-d2ef6d026cd3
  • 17. Lin Li, Zhong Wu, Shuang Yuan, Xin-B Zhang. (21 Mar 2014). Advances and challenges for flexible energy storage and conversion devices and systems. Energy & Environmental Science, 7, 2101-2122. RECUPERADO DE: http://www.bibliocatalogo.buap.mx:2979/en/content/articlehtml/ 2014/ee/c4ee00318g Jingquan Liu, Jianguo Tang, J. Justin Gooding . (2 de abril 2012). Strategies for chemical modification of graphene and applications of chemically modified graphene. Journal of Materials Chemistry, 22, 12435-12452. RECUPERADO DE: http://www.bibliocatalogo.buap.mx:2979/en/content/articlehtml/ 2012/jm/c2jm31218b?page=search Jinlian Hu, Haibo Zeng, Xiufeng Song. ( 28 de enero de 2013). Two- dimensional semiconductors: recent progress and future perspectives. Journal of Materials Chemistry C, 17, 2952-2969. RECUPERADO DE: http://www.bibliocatalogo.buap.mx:2979/en/Content/ArticleLand ing/2013/TC/c3tc00710c#!divAbstract