Semiconductores intrínsecos y extrínsecos Universidad Telesup Curso: física electrónica Mijaíl Cárdenas Jáuregui

1. CARRERA PROFESIONAL DE INGENIERIA DE
SISTEMAS E INFORMATICA
CURSO: FISICA ELECTRONICA
TEMA: SEMICONDUCTORES
ALUMNO: Mijaíl Cárdenas Jáuregui

2. semiconductoresintrínsecos

5. Conducción intrínseca modelo de bandas de
energía
. 3
n: n electrones/m
. 3
p: n electrones/m
N: densidad
intrínseca de
portadores

6. Semiconductores Intrínsecos y
Extrínsecos

7. Semiconductores Intrínsecos y
ExtrínsecosEstructura de un Metal

8. Semiconductores Intrínsecos y
ExtrínsecosEstructura de un Semiconductor

9. miconductores Intrínsecos
Dependencia de Temperatura n = f(T)
i

10. Banda de energía de la conducción
intrínseca de su dependencia con la
temperatura

11. Semiconductor
Extrínseco
Así podemos
modificar las
propiedades
eléctricas
conductivas
De ser así
procedemos al
proceso de
dopado

12. Material extrínseco
Tipo N:
Impurezas del grupo V de la
tabla periódica
Con muy poca energía se
ionizan (pierden
un electrón.
Los portadores
mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo N son
Electrones libres

13. Material extrínseco
Tipo P
Impurezas del grupo III de la tabla
periódica
A T=300 K todos
los átomos de
impureza
han captado un
electrón
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo P son Huecos: Actúan
como
portadores de carga positiva

14. Material extrínseco

15. Material extrínseco
Tipo n
Se ha dopado con
elementos pentavalentes
AS, P, SB que tienen 5
electrones en la ultima capa
Impureza dorada
Al formarse la
estructura cristalina
el 5to electrón no
estará ligado a
enlaces covalente
Con 300 k de energía
térmica se separa del
átomo y pasa la banda de
conducción
La impureza fija en el
espacio quedara ionizada
cargada positivamente

16. Un semiconductor tipo n contribuyen a
la existencia lo cual aumenta
enormemente la conductividad debida
a electrones

17. Caso particular del
SilicioMaterial extrínseco Tipo P:
Cuando se sustituye un
átomo de si por un
átomo boro, galio que
tienen 3 electrones en
la ultima capa: impureza
aceptada Al formarse el cristal, los
tres electrones forman
enlace covalente con los
átomos de si pero queda
un hueco
A ese hueco se pueden mover
otros electrones q dejaran huecos
de banda valencia

18. Caso particular del
SilicioAceptadores y Donadores y para el Si

19. La fuente de información de donde he obtenido las imágenes es de los links que nos dieron:
https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:fETr8RK0P0kJ:www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-
02.pdf+semiconductores+intrinsecos&hl=es&gl=pa&pid=bl&srcid=ADGEESjhmyE4jefWQku0PWY3XRjoxu6lv1Gi2aF3xlOIz
M7X0jX65z9osOE40KqvjA6d8c-
C1UbAZYRPU08oM_QsokLk3jMWKzUMi1K4b17Kx_OdUPZe81LSueafc3v_0JQWAbYJEMUs&sig=AHIEtbTevTuF6FzP0UrVI
NaoLKXu-r8v7w
http://ocw.usal.es/eduCommons/ensenanzas-tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
También obtuve información desde google