1. Diodo y
transistores

2. Antecedentes
Materiales
conductor
SemiconductoresAislantes

3. Materiales
Diodos

4. Material Intrínseco
Material intrínseco, son aquellos
semiconductores que se han refinado
cuidadosamente con el objetivo de reducir
las impureza hasta un nivel muy bajo, tan
puros como sea posible mediante la
utilización de la tecnología moderna.
Materiales

5. Material Extrínseco
Material extrínseco es un material
semiconductor que se ha sujetado a un
proceso de dopaje.
Materiales

6. Material N
Es un material de tipo n el electrón
denomina portador mayoritario y el hueco
portador minoritario.
Materiales
Portador
minoritaria
(huecos)
Portador
mayoritario
electrones

7. Material P
Es un materia tipo p el hueco es el portador
mayoritario y el electrón es el portador
minoritario.
Materiales
Portador
mayoritario
(huecos)
Portador
Minoritario
electrones

8. Diodos

9. ¿Qué es?
Diodos
El diodo es un dispositivo de dos terminales,
que tiene como característica que
funciona como un interruptor. El diodo sólo
permite recorre la corriente en una sola
dirección de la flecha.

10. Funcionamiento
Diodos
Símbolo
Dispositivo
Físico
Sentido de la
corriente ID
Ánodo (A) Cátodo (C)
Corriente del diodo ID

11. Grafica de funcionamiento
Vd (Ge)= 0.3v
Vd (Si) = 0.7v

12. Análisis
Determinar la corriente ID y el voltaje VD en
el siguiente circuito, considere que el diodo
es de silicio.
Diodos
Datos:
KΩ1
V5


R
VDD

13. Solución
VARIV
mAAII
I
I
Iv
VVV
RR
D
DRDD
3.41000*0043.
3.4
1000
3.4
3.41000
7.51000
07.010005
0







14. Aplicaciones
Diodos

15. Transistor

16. ¿Qué es?
Transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor
de tres capas que consta de ya sea dos
capas de material tipo n y una capa tipo
p, o bien de dos capas de material tipo p y
una tipo n .

17. Transistores bipolares
El transistor bipolar (BJT) se corresponde con el siguiente dispositivo:
Está formado por la unión de tres materiales semiconductores.
Este es un transistor NPN. Análogamente existe el PNP.

18. npn pnp
Nosotros lo vamos a representar:

19. Distinguimos las siguientes regiones de funcionamiento:
Unión BE Unión BC
CORTE inversa inversa
ACTIVA directa inversa
SATURACIÓN directa directa
REGIONES DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR PNP

20. MODOS DE OPERACIÓN DEL npn
1) CORTE
0






ECB
BC
BE
III
VV
VV


2) ACTIVA
fijada
0


 VVII
V
VV
BEBC
CB
BE






3) SATURACIÓN
BCBCBEsaturaciónCE
CB
BE
IIVVV
V
VV








V2.0
V5.0
transistordelganancia
V0.7óV65.0

 V

21. Para trabajar con un transistor utilizaremos el siguiente circuito:
)4(
)3(
)2(
)1(
EECECCCC
EEBEBBBB
BECBCE
CBE
RIVRIV
RIVRIV
VVV
III




Ecuaciones que siempre se cumplen:
BBV
ANÁLISIS DEL BJT

22. El transistor puede estar en uno de los tres estados de operación:
Corte, Activa o Saturación






0
0
65.0
C
B
BE
I
I
V corteenTVSi
CORTE
BBCCCBCCCE
BBBEE
VVVVV
VVI


)2()4(
)3(0)1(
Sustituyendo

23. saturaciónoactivaenTVSi  65.0BEV
ACTIVA-SATURACIÓN






V
activaenTVSia)
65.0
65.0
BE
BC
CE
V
II
V

 
 
  EBCECBCC
EBBBBB
CECE
BE
RIVRIV
RIRIV
VV
II







1)4(
165.0)3(
65.0)2(
1)1(
V
Sustituyendo

24. 








V
VsaturaciónenTVSib)
65.0
2.065.0
BE
CE
BC
CE
V
V
II
V

 
  EBCCCCC
EBCBBBB
CE
CBE
RIIRIV
RIIRIV
V
III




2.0)4(
65.0)3(
2.0)2(
)1(
V
Sustituyendo

25. ANÁLISIS GRÁFICO
BBV
B
BEBB
B
V
V
CB
R
VV
IeII T
BE








*
el punto de intersección determina IB
CE
CC
CC
C V
RR
V
I
1

BBCEC IiVI  curvalaseleccionase:Curva
La intersección de las curvas determina el punto
de polarización del transistor Q=(IC, VCE)
BEB VI Curva

26. Ejemplo 1:
BBV
100V
V
KK
:Datos



 65.0
10
10100
V
V
RR
CC
CB
065.065.0)1  ECBBEBB IIIVV corteenTVVSi

27.  
 65.010101010)4(
100
100
65.0
100
100
65.0
65.0100)3(
65.0)2(
1100)1(
65.065.0)2




















BBCCCCECECCC
BB
BC
BB
B
BBB
CBCE
BBBBCE
BEBB
VIVVVIV
V
II
V
I
IV
VV
IIIIII
VV
K
K
V
K
V
VK
V
activaSupongamos
saturación
activa
enTVVSi

VVquehastaactivaenEstará 58.165.0  BBCE VV

28.  
)(constantemA
VKK
K
V
VK
V
saturaciónenTVVSi
98.0
2.0101010)4(
100
65.0
65.0100)3(
2.0)2(
)1(
65.058.1)3







C
CCECCC
BB
BBBB
CE
BCBCE
CEBB
I
IVIV
V
IIV
V
IIIII
VV


29. Ejemplo 2:
065.0 5V
:Datos
 V
1) No puede estar en CORTE:
SATURACIÓNOACTIVAenestáT
VV
V
V
CORTEenestáTSi










 65.05.2
00
5.20
BE
EE
BB
V
VI
VI

30. correctaSuposiciónVV
mAKmAK
KK
mA
mA
μA
K51VK
KVK
V
VV
ACTIVAenestáTqueSupongamos
65.072.15
58.1154.1525
15)4(
58.1
54.1
1.30
165.095.2
165.09)3(
65.0)2(
51)1(
65.0
)2




















CE
CE
ECECCC
E
C
B
BB
EBBB
CBCE
BBBBCE
BE
BC
V
V
IVIV
I
I
I
II
IIV
VV
IIIIII
II

