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UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
SÍLABO DE ELECTRONICA Y LABORATORIO
UNIVERSIDAD NACIONAL DE
CHIMBORAZO
FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES SÍLABO DE
LA CÁTEDRA ELECTRONICA Y LABORATORIO
PROFESOR: ING. GIOVANNY CUZCO
PERIODO LECTIVO: 2012 2013
SEMESTRES

INSTITUCIÓN: UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
FACULTAD: INGENIERÍA
NOMBRE DE LA CARRERA: ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES
AÑO O SEMESTRE: SEMESTRE
NOMBRE DE LA MATERIA: ELECTRONICA Y LABORATORIO
CÓDIGO DE LA MATERIA: EET42 +EET43
NÚMERO DE CRÉDITOS TEÓRICOS: 4 = 54 HORAS = 3.375 CRÉDITOS
NÚMERO DE CRÉDITOS PRÁCTICOS: 3 = 54 HORAS = 3.375 CRÉDITOS
DESCRIPCIÓN DEL CURSO
El curso de electrónica, cubre la teoría básica de los semiconductores, concepto de uniones pn, tipos de diodos y sus
aplicaciones, análisis y diseño de circuitos con diodos, transistores bipolares de unión y de efecto de campo,
sistemas amplificadores de pequeña señal y de potencia, porque su estudio permite conocer, comprender y aplicar
estos conocimientos en el diseño de circuitos electrónicos del futuro profesional.
PRERREQUISITOS
EET27 CIRCUITOS ELECTRICOS I
CORREQUISITOS
CIRCUITOS ELECTRICOS II
OBJETIVOS DEL CURSO
Conocer las diferentes aplicaciones de los distintos tipos de diodos.
Diseñar puntos de operación en CD de los transistores BJT.
Diseñar puntos de operación en CD de los transistores FET.
Conocer modelo hibrido, re del transistor y Calcular parámetros Zi,Zo,Av,Ai,Ap.
Diseñar amplificadores de pequeña señal con transistores BJT utilizando las distintas
configuraciones existentes tanto con parámetros h como con parámetros re.
Diseñar los amplificadores de pequeña señal para los transistores JFET y MOSFET en las
distintas configuraciones utilizando el circuito equivalente del transistor.

Conocer la respuesta de los amplificadores multietapa a alta y baja frecuencia
Conocer las diferentes clases de amplificadores de potencia

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)
CONTENIDOS – TEMAS (Que
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
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1-1 El diodo ideal
1-2 Análisis mediante la
recta de carga
1-3 Aproximaciones de
diodos
1-4 Configuraciones de
diodos en serie, paralelo
y serie-paralelo con
entradas DC
1-5 Rectificación de
Media Onda, Onda
completa
1-6 Diodos especiales,
Zener, varactores,
ópticos, Schottky, Túnel,
Pin y laser
1-7 Circuitos recortadores
y cambiadores de nivel
1-8 Aplicaciones con
diodos
36/1-2
Conoce las
distintas
configuracione
s de Diodos.
Conoce las
distintas
aplicaciones
de diodos
especiales
Diseña
circuitos
rectificadores
y cambiadores
de nivel
Trabajos de los
estudiantes en los que se
demuestra que conocen
y diseñan circuitos con
diodos (Guardar los
trabajos).
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Práctica Encendido
de 3 Leds con una
resistencia
Practica Encendido
de 3 Leds con 3
resistencia
Práctica Cambiador
de nivel
36/1-2
Calcular los valores de
resistencia.
Diseñar el cambiador
de nivel
Trabajos que demuestran
calculan y diseñan
(informes y respaldos en
discos ópticos)
TRABAJO DE
INVESTIGACIÓN

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R)
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
C
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S
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C
A
S

2-1 Construcción de
transistores
2-2 Operación de los
transistores
2-3 Configuraciones de
transistores
2-4 Parámetros y rangos
de operación de los
transistores
2-5 El transistor como
interruptor
2-6 Punto de operación en
CD
2-7 Polarizaciones de
transistores
2-8 Operaciones de
diseño
36/3-4
Conoce las
distintas
configuracione
s de los
Transistores
BJT
Calcula Punto
de operación
Diseña el
Punto Q de
operación
Trabajos de los
demuestra que conoce,
calcula y diseña punto de
operación en DC de
transistores BJT.
(Guardar los trabajos).
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Simular la polarización
de Transistor
36/3-4 Diseña y Simula
el cálculo de punto Q de
operación. (informes y
respaldos en discos
ópticos)
TRABAJO DE
INVESTIGACIÓN

UNIDAD 3 ( TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO)
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
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S

3-1 Operación y Construcción
de los JFET
3-2 Operación y Construcción
de MOSFET
3-3 Configuración y
Polarización de JFET
3-4 Configuración y
Polarización de MOSFET
3-5 FET como interruptor
3-6 Operaciones de diseño
36/5-6
Conoce las
distintas
configuraciones de
los Transistores
JFET y MOSFET
Calcula Punto de
operación
Diseña el Punto Q
de operación
Trabajos de los
demuestra que conoce,
calcula y diseña punto de
operación en DC de
transistores JFET y
MOSFET. (Guardar los
trabajos).
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S
Simular la polarización
de Transistor
operación. (Informes y
respaldos en discos
ópticos).
TRABAJO DE
INVESTIGACIÓN

UNIDAD 4 ( MODELAJE DE
TRANSISTORES BIPOLARES)
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
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S

4-1 Amplificación en el
dominio de AC.
4-2 Modelaje de transistores
BJT.
4-3 Los parámetros
importantes: Zi, Zo, Av,
Ai, Ap.
4-4 El modelo re de
transistores.
4-5 El Modelo híbrido
equivalente.
4-6 Determinación gráfica de
los parámetros h.
4-7 Variaciones de los
parámetros de transistores.
36/6-9
Conoce modelo
hibrido, re del
transistor
Calcula parámetros
Zi,Zo,Av,Ai,Ap
Trabajos de los
demuestra que conocen
los modelos hibrido, re, y
calculan Zi, Zo, Av, Ai,
Ap (Guardar los
trabajos).
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Diseñar , Calcular los
parámetros importantes
con Av y Simular el
circuito
operación. (Informes y
respaldos en discos
ópticos).
TRABAJO DE
INVESTIGACIÓN

UNIDAD 5 ( ANÁLISIS DE PEQUEÑA
SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR)
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
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S

5-1 Configuración de emisor
común con polarización
fija
5-2 Polarización mediante
divisor de voltaje
5-3 Configuración de emisor
común con polarización
en emisor
5-4 Configuración emisor –
seguidor
5-5 Configuración de base
común
5-6 Configuración con
retroalimentación en
colector y dc en colector
5-7 Circuito equivalente
híbrido aproximado y
híbrido completo
5-8 Efectos de Rs y RL en
los amplificadores de
pequeña señal
5-9 Amplificadores
Multietapa
5-10 Diseño de
amplificadores de
pequeña señal
36/9-11
Conoce las diferentes
configuraciones
aplicadas a pequeñas
señales
Diseña
amplificadores de
pequeña señal
Trabajos de los
demuestra que diseñan
amplificadores
Multietapa (Guardar los
trabajos).
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Diseñar y simular circuito
multietapa con AV dada. 36/9-11 Diseña y simula
el diseño de
amplificadores
multietapa. (Informes y
respaldos en discos
ópticos).
TRABAJO DE INV
ESTIGACIÓN

UNIDAD 6 ( ANÁLISIS DE PEQUEÑA
SEÑAL DEL JFET)
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
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6-1 Modelo de pequeña
señal del FET
6-2 Configuración de
polarización fija,
autopolarización,
divisor de voltaje para el
JFET
6-3 Configuración Fuente –
Seguidor (Drenaje
común) y compuerta
común para el JFET
6-4 MOSFET de tipo
Decremental.
6-5 MOSFET de tipo
Incremental
6-6 Configuración de
retroalimentación en
drenaje y divisor de
voltaje para el
MOSFET
6-7 Efectos de Rs y RL en los
amplificadores de
pequeña señal
6-8 Amplificadores
Multietapa.
6-9 Diseño de redes con
amplificador FET
36/11-14
Conoce las diferentes
configuraciones
aplicadas a pequeñas
señales
Diseña
amplificadores de
pequeña señal
Trabajos de los
demuestra que diseñan
amplificadores
trabajos).
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Diseñar y simular circuito
multietapa con AV dada. 36/11-14 Diseña y simula
el diseño de
amplificadores
multietapa. (Informes y
respaldos en discos
ópticos).
TRABAJO DE
INVESTIGACIÓN

UNIDAD 7 (RESPUESTA EN FRECUENCIA
DE TRANSISTORES BJT Y JFET)
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
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S

7-1 Logaritmos y decibeles
7-2 Consideraciones
generales sobre la
frecuencia
7-3 Análisis a baja
frecuencia, gráfica de
Bode
7-4 Respuesta a baja
frecuencia, amplificador
BJT y FET
7-5 Capacitancia de efecto
Millar
7-6 Respuesta a alta
frecuencia, amplificador
BJT Y FET
7-7 Efectos de frecuencia en
Multietapas
36/11-14
Conoce la
respuesta a alta y
baja frecuencia de
amplificadores de
BJT y FET
Conoce los efectos
de frecuencia en
amplificadores
multietapa
Trabajos de los
demuestra que el
estudiante conoce los
efectos amplificadores
trabajos).
Diseñe y simule un
amplificador multietapa
y analice sus efectos a
alta y baja frecuencia
36/11-14 Diseña y simula
los efectos de baja y alta
frecuencia. (Informes y
respaldos en discos
ópticos).
TRABAJO DE
INVESTIGACIÓN

UNIDAD 8 ( AMPLIFICADORES DE
POTENCIA)
debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO
APRENDIDO
C
8-1 Introducción:
definiciones y tipos de
amplificadores
8-2 Amplificador clase A
alimentado en serie
8-3 Amplificador acoplado
con transformador clase
A
8-4 Operación del
amplificador clase B
8-5 Circuitos de
amplificador clase B
8-6 Distorsión del
amplificador
8-7 Disipación de calor del
transistor de potencia
8-8 Amplificadores clase C
y clase D
36/12-15
Conoce los
distintas clases de
amplificadores de
potencia.
Trabajos de los
demuestra que el
estudiante conoce los
amplificadores de
Potencia (Guardar los
trabajos).
Diseñar y simular un
amplificador de potencia
36/15-18
Diseña y Simula
que diseñan
amplificadores de
potencia. (Informes y
respaldos en discos
ópticos).

TRABAJO DE
INVESTIGACIÓN

CONTRIBUCIÓN DEL CURSO EN LA FORMACIÓN DEL PROFESIONAL
La asignatura de Electrónica y Laboratorio aporta con el conocimiento de dispositivos
electrónicos y el diseño de amplificadores de pequeña señal para aplicaciones que se
presentan en la carrera de Ingeniería en Electrónica y telecomunicaciones
RELACIÓN DEL CURSO CON EL CRITERIO RESULTADO DE APRENDIZAJE.
La asignatura contribuye para que el estudiante tenga una conocimientos, basada en el análisis
y en el desarrollo de habilidades y destrezas para solucionar el Diseño circuitos electrónicos.
ASPECTOS DE CONDUCTA Y COMPORTAMIENTO ETICO
Se exige puntualidad, no se permitirá el ingreso de los estudiantes con retraso
La copia de exámenes será severamente castigada. Art. 207 literal g. Sanciones (b) de la
LOES
Respeto en las relaciones docente-estudiante y alumno-alumno. Art. 86 de la LOES
En los trabajos se debe incluir las citas y referencias de los autores consultados, usando
las normas APA. El plagio puede dar motivo a valorar con cero el respectivo trabajo.
No se receptarán trabajos o deberes u otro fuero de la fecha prevista, salvo justificación
debidamente aprobada.
BIBLIOGRAFÍA
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS, Décima Edición, 2009, Prentice Hall
BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA
Floy Thomas DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, Octava Edición, 2008,PEARSON.
LECTURAS RECOMENDADAS
C. J. Savant Jr, Martin S. Roden, Gordon, Diseño Electronico, 3ª Edición, 2000 Editorial Prentice-Hall
RESPONSABLE DE LA ELABORACIÓN DEL
SILABO
Ing. Giovanny Cuzco

FECHA Abril 2013

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