Este documento presenta la descripción de la asignatura "Electrónica IX" impartida en la Universidad Nacional Experimental Politécnica "Antonio José de Sucre". La asignatura se enfoca en el análisis y síntesis de circuitos con diodos, transistores BJT y FET. El programa incluye cinco unidades que cubren los fundamentos de la conducción eléctrica, circuitos con diodos, análisis de transistores BJT y FET, y amplificadores de potencia de baja frecuencia. También se describen las estrategias de enseñ

1. UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA\"
ANTONIO JOSÉ DE SUCRE\"
VICE-RECTORADO BARQUISIMETONÚCLEO CARORA<br />DEPARTAMENTOSECCIÓNSEMESTRENÚCLEO CARORAELECTRICIDADIVASIGNATURAFGFBFPPPCÓDIGOELECTRONICA IXTEL-1015HORAS /HtHaHLHTUNIDADESCREDITOHORAS /SEMESTRESPRELACIONESCO-REQUISITOSSEMANA0400030705112TIE-1115AREA DE ACTUACIÓN PROFESIONALPXIMXCODXFUNDAMENTACIÓN / APLICABILIDAD / IMPORTANCIAAsignatura teórica práctica basada en el análisis y síntesis de circuitos con diodos, BJT y FET. Esta orientada hacia el estudio de circuitos usados comúnmente en todos los equipos electrónicos industriales. Busca proporcionar las herramientas básicas necesarias para el entendimiento de sistemas electrónicos macros, debido a que son estos los que predominan en los procesos productivos del mundo industrial contemporáneo. OBJETIVOS GENERALESAl finalizar la asignatura, el alumno será capaz de: Describir los principios básicos de conducción eléctrica.Describir el funcionamiento de un diodoAnalizar circuitos con diodosDiseñar circuitos simples con diodos Describir el funcionamiento de transistores BJT y FETAnalizar y diseñar amplificadores con transistores BJTAnalizar y diseñar amplificadores de potencia para frecuencias de audio, utilizando transistores bipolares.PROGRAMA SINOPTICOUNIDAD TITULOUNIDAD I. PRINCIPIOS DE FÍSICA ELECTRÓNICAUNIDAD II. INTRODUCCIÓN AL DIODO SEMICONDUCTORUNIDAD III. CIRCUITOS RECTIFICADORES Y FUENTES DE PODERUNIDAD IV: EL TRANSISTOR BJT Y FETUNIDAD V: ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL Y BAJA FRECUENCIAFECHA DE APROBACIÓNFECHA ULTIMA REVISIÓNMAYO 2003<br />HT: horas totales; Ht: horas teoría; Ha: horas de aplicación; HL: horas laboratorio; G:formación general y autodesarrollo; FB: formación básica; FP: formación profesional; PP: prácticas profesionales; P: área de producción; I: área de instalación; M: área de mantenimiento; C: área de operación; D: área de desarrollo tecnológico. <br />METODOLOGÍA DE ENSEÑANZA- Desarrolla lógico del tema alternando con interrogatorios y pequeñas discusiones.-Exposición Oral-Realización de ejercicios y problemas. Discusión de resultados y recuperación del aprendizaje a través de una evaluación formativa.-Elaboración de proyecto, informe y exposición individual-Realización de practicas de laboratorio.ESTRATEGIAS DE EVALUACIÓN RECOMENDADAEvaluación mediante exámenes parcialesEvaluación continua por quizEvaluación mediante trabajos de investigación en el áreaPracticas de laboratorioCONTENIDO PROGRAMÁTICOHORASUNIDAD I FUNDAMENTOS TEÓRICOS DE LOS FENÓMENOS DE CONDUCCIÓN ELÉCTRICA.Naturaleza del átomo. Excitación del átomo. Ionización. Bandas de Energía. Fuerzas de unión en los materiales. Conducción en los metales. Conducción en los semiconductores.UNIDAD II ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS.Teoría básica de las uniones P-N. La unión P-N como diodo. Característica I-V de un diodo. Diodos Zener. Efectos de la temperatura. Análisis por aproximación lineal (linealización por tramos y circuitos equivalentes). Circuitos rectificadores (Media onda completa y filtrado). Circuitos recortadores. Circuitos limitadores. Circuitos reguladores de tensión.UNIDAD III TRANSISTORES BIPOLARES (BJT)Teoría básica de las uniones P-N-P y N-P-N. Curvas características. Regiones de funcionamiento (activa, saturación y corte). Recta de carga en DC y en AC. Desplazamiento del punto de reposo debido a la variación de Beta (B) Introducción al modelo de los parámetros híbridos. Análisis de las configuraciones básicas de amplificador. Diseño de amplificadores mediante el uso de las especificaciones dadas por el fabricante.UNIDAD IV TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)Funcionamiento básico de los transistores NMOS. Curvas características. Regiones de funcionamiento (ohmica, saturación y corte). Análisis de la recta de carga.UNIDAD V AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN BAJA FRECUENCIAEl amplificador de potencia clase A. El amplificador de potencia clase B. Diseño de fuentes de alimentación lineales. 8143066TOTAL HORAS64<br />PRACTICA DE LABORATORIOHORASPRACTICA Nº I CIRCUITOS CON DIODOSRectificador de media onda. Rectificador de Onda completa. Rectificador de onda completa con regulación de voltaje.PRACTICA Nº II CIRCUITOS CON DIODOSCircuitos recortadores. Circuitos fijadores.PRACTICA Nº III POLIRIZACION DEL BJTPolarización del transistor con corriente de base constante. Polarización del transistor con Vce constante. Circuito para la estabilización del punto de trabajo.PRACTICA Nº IV ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO DE UN AMPLIFICADOR DE POTENCIA.Medición de tensión de arranque. Amplificador de potencia.PRACTICA Nº V RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS.Respuesta de un amplificador Emisor Común polarización por corriente de base constante. Respuesta en frecuencia de un amplificador Emisor común con resistencia de emisor y circuito de auto polarización. Respuesta en frecuencia de amplificador multietapa. 0909090912TOTAL 48<br />BIBLIOGRAFIAHAMBLEY, ALLAN Electónica . Prentice- Hall Madrid 2da Edic. año 2001SAVANT, RODEN Y Carpenter \"
DISEÑO ELECTRÓNICO\"
. Prentice-Hall Juárez. 3eera Edi. Año 2000. <br />