Este documento presenta los resultados de dos experiencias realizadas en el laboratorio sobre transistores. La primera experiencia identifica las terminales y tipo de transistores probando con un multímetro. La segunda analiza el funcionamiento de un oscilador en corte y saturación con diodos LED. El documento concluye que se logró identificar transistores NPN y PNP y sus aplicaciones como interruptor y amplificador.

1. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES
PRACTICA DE LABORATORIO Nº 4
Fecha de elaboración: viernes 4 de octubre del 2013
Fecha de entrega: viernes 25 de octubre del 2013
YULY SANDRA CHOQUE RAMOS
CÓDIGO: 2012-36143
2do “B”
UNIVERSIDAD NACIONAL JORGE BASADRE GROHMANN
FACULTADA DE INGENIERÍA EN INFORMÁTICA Y SISTEMAS
E. A. P. INGENIERÍA EN INFORMÁTICA Y SISTEMAS
TACNA
2013
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2. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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CONTENIDO
MEDICIÓN DE VOLTAJE Y APLICACIÓN DEL DIODO.......................................... 4
OBJETIVOS ................................................................................................................. 4
FUNDAMENTO TEÓRICO ........................................................................................ 5
MATERIALES Y EQUIPOS ....................................................................................... 7
PROCEDIMIENTO Y DESARROLLO .................................................................... 10
EXPERIENCIA 1: IDENTIFICACIÓN FISICA DEL TRANSISTOR ..................... 10
EXPERIENCIA 2: OSCILADOR EN CORTE SATURACION ............................... 12
RESULTADOS Y DISCUSIONES ............................................................................ 13
RESULTADOS DE LA EXPERIENCIA 1 ................................................................ 13
RESULTADOS DE LA EXPERIENCIA 2 ................................................................ 15
CONCLUSIONES ...................................................................................................... 16
BIBLIOGRAFIAS ...................................................................................................... 17
ANEXOS .................................................................................................................... 18

3. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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Ilustración 1: Estructura de un transistor NPN ................................................................. 5
Ilustración 2: Multímetro Elenco M-1740 ........................................................................ 7
Ilustración 3: Transistores. STN2 2222, BC548, 2N 3904, BC558 ................................. 7
Ilustración 4: Cables de prueba ........................................................................................ 7
Ilustración 5: Fuente de Tensión alterna 0 - 9 V .............................................................. 8
Ilustración 6: Diodos LED................................................................................................ 8
Ilustración 7: 2 Condensadores de 100µF ........................................................................ 8
Ilustración 8: 2 Resistencia de 330 Ω y 2 Resistencias de 22 k Ω ................................... 8
Ilustración 9: Protoboard .................................................................................................. 9
Ilustración 10: Multímetro M-1740 selector en la función diodo .................................. 10
Ilustración 11: Identificación física del transistor usando un multímetro ...................... 10
Ilustración 12: Transistor en la función NPN ................................................................. 11
Ilustración 13: Grafico del circuito de corte – saturación .............................................. 12
Ilustración 14: circuito conectado a la fuente de 9 voltios ............................................. 12
Ilustración 15: Circuito armado ...................................................................................... 15
Ilustración 16: circuito conectado a la fuente de 9 V ..................................................... 15

4. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
MEDICIÓN DE VOLTAJE Y APLICACIÓN DEL DIODO
OBJETIVOS
Identificar y probar las terminales de un transistor BJT.
Identificar el tipo de transistor (NPN o PNP).
Analizar cuando un transistor entra en modo de conmutador.
Identificar las aplicaciones prácticas de un transistor.
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5. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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FUNDAMENTO TEÓRICO
Transistores BJT
-
“Los transistores de unión bipolares son similares a los diodos de unión, pero
incluyen una unión más. En la Ilustración 1, se ilustra un modo de obtener un
transistor. Aquí, una zona semiconductora tipo P aparece intercalada entre dos
zonas tipo N. La polaridad de dichas zonas la gobierna la valencia de las
sustancias empleadas en el dopado. (…)
Las zonas del transistor de la Ilustración 1 se llaman emisor, base y colector. El
emisor es muy rico en portadores de corriente y su misión es enviarlos a la base
y luego al colector. El colector recoge los portadores y el emisor los emite, la
base actúa como zona de control. Tal como veremos después, la base puede
permitir el paso de portadores desde el emisor al colector en un gran número o
pequeño número”. (Electrónica, principio y aplicaciones, 2002, pág. 67)
Ilustración 1: Estructura de un transistor NPN
-
“El transistor de unión bipolar (simbolizado por BJT, siglas de bipolar juction
transistor) es un dispositivo de tres terminales y contiene dos diodos PN uno a
continuación de otro en sentidos opuestos. Las tres zonas correspondientes a los
tres terminales tienen nombres que indican la función que realizan. El emisor

6. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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emite o lanza portadores de carga hacia el interior de la base, en la cual se ejerce
el gobierno de dichos portadores; al final, los portadores se recogen en la zona
llamada colector.” (Electrónica fundamental: dispositivos, circuitos y sistemas,
2003, pág. 51)
-
Modo de operación de un transistor de unión bipolar
“En general, los transistores bipolares de circuitos analógicos lineales están
operando en la región activa directa. En esta región existe cuatro zonas de
operación definidas por el estado de las uniones del transistor (Tabla 1):
saturación, lineal, corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la figura
3 que representa las zonas de operación de un transistor. A continuación se
describe las características del transistor en estos modos de operación
considerando el transistor NPN.
Región activa lineal: En la región activa lineal, la unión emisor-base está
directamente polarizada y la unión base-colector inversamente polarizada; la
VBE está comprendida entre 0.4 V y 0.8 V (valor típico de 0.7 V) y la VBC >
100mV.
Región de corte: En la región de corte las uniones de emisor y colector están
polarizadas en inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV.
Estas corrientes son extremadamente bajas y puede ser despreciada; a efectos
prácticos se puede considerar al transistor como si no existiese.
Región de saturación: En la región de saturación las uniones de emisor y
colector están polarizadas en directa; la VBE y la VBC tienen tensiones
superiores 100mV.

7. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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La caída de tensión entre el colector y emisor es muy baja debido a que ambas
uniones PN se encuentra directamente polarizadas.” (Dispositivos Electrónicos y
fotónicos: fundamentos, 2003, pág. 348)
MATERIALES Y EQUIPOS
MATERIALES
IMAGEN
1 MULTÍMETRO
DIGITAL
Ilustración 2: Multímetro Elenco M-1740
Transistores
Ilustración 3: Transistores. STN2 2222, BC548, 2N 3904,
BC558
Cables de prueba
Ilustración 4: Cables de prueba

8. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
1 FUENTE DE
CORRIENTE
ALTERNA
Ilustración 5: Fuente de Tensión alterna 0 - 9 V
MATERIALES
IMAGEN
2 DIODOS LED
Ilustración 6: Diodos LED
2
CONDENSADORE
S
Ilustración 7: 2 Condensadores de 100µF
RESISTENCIAS
Ilustración 8: 2 Resistencia de 330 Ω y 2 Resistencias de 22 k
Ω
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9. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
1 PROTOBOARD
Ilustración 9: Protoboard
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10. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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PROCEDIMIENTO Y DESARROLLO
EXPERIENCIA 1: IDENTIFICACIÓN FISICA DEL TRANSISTOR
Paso Nº1: Encendí el multímetro y ubiqué el selector del multímetro en la función de
Diodo tal como se aprecia en la Ilustración 9.
Ilustración 10: Multímetro M-1740 selector en la función diodo
Paso Nº2: conecté los cables al multímetro y sujeté una de las puntas, (la punta negativa
o la positiva),al transistor, probé con alguna de ellas.
Ilustración 11: Identificación física del transistor usando un multímetro

11. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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Paso Nº 3: Al momento de poner uno de los cables a una pata hay que probar las otras
dos con el otro cable, y estas deben mostrar un cierto voltaje, si es que no hubiese
funcionado así, entonces alternaba los cables seguía probando.
Paso Nº4: Repetir el Paso Nº 3 y Nº 4.
Paso Nº 5: Identifiqué las terminales del transistor y anoté los resultados (teniendo en
cuenta que el Voltaje base Emisor es siempre mayor al Voltaje Base Colector).
Resultados en la Tabla Nº 1.
Paso Nº 6: Tomé el multímetro y lo puse en la función NPN, Observe la Ilustración 11.
Ilustración 12: Transistor en la función NPN
Paso Nº 7: coloqué el transistor de todas las maneras posibles, hasta que el display del
multímetro marque una medida.
Paso Nº8: Anoté la posición correcta y su ganancia a temperatura ambiente. Apuntes en
la Tabla Nº 2

12. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
EXPERIENCIA 2: OSCILADOR EN CORTE SATURACION
Paso Nº 1: Armé en el protoborar el circuito de la ilustración
Ilustración 13: Grafico del circuito de corte – saturación
Paso Nº 2: Conecté la fuente alimentación de 9v y observe lo que ocurría.
Ilustración 14: circuito conectado a la fuente de 9 voltios
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13. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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RESULTADOS Y DISCUSIONES
RESULTADOS DE LA EXPERIENCIA 1
Tabla 1: Terminales de un transistor
Transistor
Polaridad
Gráfico
2N2904
NPN
717 V
720 V
ST2N222A
NPN
735 V
736 V
BC54813K
NPN
724 V
726 V
BC55813K
PNP
719 V
722 V
Al momento en que realicé la experiencia pude deducir que la patita del medio era la
Base.

14. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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Tabla 2: Ganancia a temperatura ambiente de un transistor
Transistor
Polaridad
hFE
2N2904
NPN
550 V
ST2N222A
NPN
165 V
BC54813K
NPN
287 V
BC55813K
PNP
Gráfico
371 V
Esta experiencia se tuvo que realizar con sumo cuidado ya que cuando probé con cada
combinación no se podía ver la ganancia a temperatura ambiente, así que se realizó con
delicadeza y con precisión.

15. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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RESULTADOS DE LA EXPERIENCIA 2
En esta experiencia lo que observé fue como un diodo LED prendida y el otro apagaba
en forma secuencial, una tras otra.
Estos diodos prenden y pagan secuencialmente es debido a que uno de estos se
encuentra en estado de saturación y el otro en estado de corte, consecutivamente
haciendo que el condensador se cargué y descargué, y hace que se prenda el diodo LED.
Ilustración 15: Circuito armado
Ilustración 16: circuito conectado a la fuente de 9 V

16. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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CONCLUSIONES
 Identifiqué y probé las terminales de los transistores BJT.
 Identifiqué los tipos de transistores, en la experiencia 1 se pudo observar los
tipos de transistores ya sean del tipo NPN o PNP, todo esto es según la posición
de la Base, Emisor y colector.
 Analice cuando un transistor entra en modo de conmutador, este se da cuando se
logra mediante uso de las regiones de saturación y corte, se alterna entre estas
dos regiones y se obtienen un transistor que algunas veces, permite el paso de
corriente y otras no.
 Identifique las aplicaciones prácticas de un transistor que pueden ser como
amplificador y como interruptor.

17. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
BIBLIOGRAFIAS
(2002). En C. A. Schuler, Electrónica, principio y aplicaciones (pág. 67). Barcelona:
Reverté S. A.
(2003). En M. M.Cirovic, Electrónica fundamental: dispositivos, circuitos y sistemas
(pág. 51). Barcelona: Reverté, S. A.
(2003). En L. P. Viñas, & J. Calder Cardona, Dispositivos Electrónicos y fotónicos:
fundamentos (pág. 348). Barcelona: UPC.
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18. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
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ANEXOS
INVESTIGUE
A.
RELACIÓN ENTRE CORRIENTE Y VOLTAJE EN UN
TRANSISTOR.
El voltaje es necesario en un transistor debido a que con este podemos saber
la polaridad del transistor y además saber las regiones correspondientes a las
mismas, tales como la de saturación, corte o activa, de las cuales la de
saturación permite el paso de la corriente y la de corte no permite el paso de
la corriente. De esa forma se ve la relación entre corriente y voltaje en un
transistor, donde se utiliza el voltaje para controlar el paso de la corriente a
través del mismo.
B.
APLICACIONES DEL TRANSISTOR EN CORTE – SATURACIÓN.
Las aplicaciones prácticas del transistor están relacionadas con la de un
interruptor y como amplificador.
C.
¿QUÉ ES Y QUE MAGNITUD MIDE LA FUNCIÓN “hFE”
(TRANSISTÓMETRO)?
Existencial dos Tipos de HFE el estático y el dinámico.
Estático: está referido a la instancia de parte de polarización de Corriente
continua del transistor.
Dinámico: está referido y Relacionado con la amplificación de la Señal en
Corriente Alterna
Generalmente sí toma el h. Que se adecue más a tu aplicación. Cuando sí
cálculo sin transistor parauna determinada aplicación sí debe Tener en
Cuenta esta dispersión evita Que el transistor PASE al corte o la saturación.
Orificio para la Hfe de los transistores: permite insertar el transistor cuya
ganancia se va a medir.
D.
¿PARA QUÉ SIRVE Y QUE MAGNITUD MIDE LA FUNCIÓN
“PRUEBA DE DIODOS” DE UN MULTÍMETRO DIGITAL?
Use la prueba de diodos para comprobar los diodos, transistores y otros
dispositivossemiconductores. La prueba de diodos envía una corriente a
través de la unión semiconductora, midiendo la caída de tensión a través de
la unión. Una buena unión de silicio cae entre 0,5 V y0.8V.

19. SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES – LABORATORIO Nº 4
E.
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¿QUÉ ES LA TECNOLOGÍA TTL?
TTL es la sigla en inglés de transistor-transistor logic, es decir, «lógica
transistor a transistor». Es una familia lógica o lo que es lo mismo, una
tecnología de construcción de circuitos electrónicos digitales. En los
componentes fabricados con tecnología TTL los elementos de entrada y
salida del dispositivo son transistores bipolares.
Características:
Su tensión de alimentación característica se halla comprendida entre
los 4,75V y los 5,25V (como se ve, un rango muy estrecho).
Normalmente TTL trabaja con 5V.
Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión
comprendida entre 0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y
Vcc para el estado H (alto).
La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor
base, si bien esta característica le hace aumentar su consumo siendo
su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes
versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y últimamente los CMOS:
HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco más de
los 250 MHz.
Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se
transmiten a través de circuitos adicionales de transmisión (no
pueden viajar más de 2 m por cable sin graves pérdidas).