Este documento resume las características de diferentes tipos de memorias como SIMM, DIMM, DDR, RIMM, EPROM, FLASH y STICK. También explica el funcionamiento de la memoria caché y su propósito de proporcionar acceso más rápido a los datos más frecuentes. Finalmente, define la latencia CAS como el tiempo que tarda la memoria en recuperarse entre accesos de columnas y recuperar los datos solicitados.

1. MEMORIAS
JOHN ESTEBAN ARANGO
DALADIER RICARDO VELEZ

2. CONTENIDO
• 1- ¿Qué son memorias estáticas?, como operan.
• 2- ¿Qué características tienen los bancos?
2.1- SIMM
2.2- DIMM
2.3- DDR
2.4- RIMM
2.5- EPROM
2.6- FLASH
2.7- STICK
• 3- ¿Qué hace la memoria cache?
3.1- Hable sobre las características del bus, de la velocidad.
• 4- ¿Qué es la latencia CAS?

3. ¿QUÉ SON MEMORIAS ESTÁTICAS?,
COMO OPERAN
• Memorias Estática
La información esta memorizada en forma permanente, por lo menos
mientras se encuentre encendida la computadora, cuando se apague la
CPU, como ya hemos dicho (todas las RAM, pierden los datos, se
volatilizan); El elemento circuital esta por adquirir dos estados estables,
equivalentes ( 0 y 1).

4. ¿QUÉ CARACTERÍSTICAS TIENE LOS
BANCOS?
• Una base de datos o banco de datos (en ocasiones
abreviada con la sigla BD o con la abreviatura b. d.)
es un conjunto de datos pertenecientes a un mismo
contexto y almacenados sistemáticamente para su
posterior uso.

5. SIMM
• Es un formato para módulos de memoria
RAM que consiste en placas de circuito
impreso sobre las que se montan los
integrados de memoria DRAM. Estos
módulos se insertan en zócalos sobre la placa
base.

6. DIMM
• Las memorias DIMM comenzaron a
reemplazar las SIMM como el tipo
predominante de memoria cuando los
microprocesadores Intel Pentium dominaron
el mercado.

7. DDR
• DDR Modulo de RAM mas empleados en la
actualidad. Estos circuitos alcanzan
velocidades de transferencia que van desde
los 266mhz hasta los 800mhz, lo que
garantiza un intercambio muy veloz.

8. RIMM
• Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184
pins y debido a sus alta frecuencias de
trabajo requieren de difusores de calor
consistente en una placa metálicas que
recubre los chips del modulo

9. EPROM
• Es un tipo de chip de memoria ROM no
volátil. Esta formada por celdas de famos o
transistores de puerta flotante. Una vez
programada la PROM se puede borrar
solamente mediante exposición de una
fuerte luz ultravioleta

10. FLASH
• Es una forma de la memoria EEPROM que
permite que múltiples posiciones de
memorias sean escritas o borradas en una
misma operación de programación mediante
impulsos eléctricos frente a los anteriores
que solo permite escribir o borrar una única
celda a la vez.

11. STICK
• Es un formato de tarjetas de memoria
extraíble es utilizada como medio de
almacenamiento de información por un
dispositivo portátil de forma que puede ser
fácilmente extraído para tener acceso a un
ordenador.

12. ¿QUÉ HACE LA MEMORIA CACHE?
• La memoria caché es una clase de memoria RAM estática (SRAM) de
acceso aleatorio y alta velocidad, situada entre el CPU y la RAM; se
presenta de forma temporal y automática para el usuario, que
proporciona acceso rápido a los datos de uso más frecuente. La
ubicación de la caché entre el microprocesador y la RAM, hace que sea
suficientemente rápida para almacenar y transmitir los datos que el
microprocesador necesita recibir casi instantáneamente. La memoria
caché es rápida, unas 5 ó 6 veces más que la DRAM (RAM dinámica), por
eso su capacidad es mucho menor. Por eso su precio es elevado, hasta 10
ó 20 veces más que la memoria principal dinámica para la misma
cantidad de memoria.

13. ¿CARACTERISTICAS DEL
BUS,VELOCIDAD?
• la velocidad de transferencia máxima del bus (la cantidad de
datos que puede transportar por unidad de tiempo) al
multiplicar su ancho por la frecuencia. Por lo tanto, un bus
con un ancho de 16 bits y una frecuencia de 133 MHz, tiene
una velocidad de transferencia de:
• 16 * 133.106 = 2128*106 bit/s, o 2128*106/8 = 266*106
bytes/s o 266*106 /1000 = 266*103 KB/s o 259.7*103 /1000 =
266 MB/s

14. ¿QUE ES LA LATENCIA CAS?
• Generalmente los datos de la memoria se organizan en columnas y filas.
A su acceso se le denomina ‘Column Access Strobe’ (CAS - acceso por
columnas) y ‘ Row Access Strobe' (RAS - acceso por filas). La latencia CAS
determina cuanto tiempo le permite el ordenador a la memoria para
recuperarse entre accesos de columnas (tiempo que la memoria emplea
desde que se solicita una lectura hasta que se ofrece el dato
correspondiente) así pues es un tiempo de espera, o sea un tiempo
perdido, que cuanto menor sea, mejor es la memoria. Se expresa en
términos de ciclos de reloj y puede tener un valor de 2- 2,5 en DDR y 2- 3
ciclos en SDR.