1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
ASIGNATURA: INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ALUMNO:
JIM WESS LAZARTE SÁNCHEZ

2. INTRODUCCIÓN
Un semiconductor es un material o
compuesto que tiene propiedades
aislantes o conductoras. Unos de los
elementos más usados como
semiconductores son el silicio, el
germanio y selenio, además hay otros
que no son elementos como los
mencionados anteriormente si no que
son compuestos como lo son el
Arseniuro de Galio, el Telururo de
Plomo y el Seleniuro de Zinc.
Describiremos la importancia y las

3. LOS SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS
Es un semiconductor puro. A temperatura
ambiente se comporta como un aislante
porque solo tiene unos pocos electrones
libres y huecos debidos a la energía térmica.
En un semiconductor intrínseco también hay
flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero. Esto se
debe a que por acción de la energía térmica
se producen los electrones libres y los
huecos por pares, por lo tanto hay tantos
electrones libres como huecos con lo que la
corriente total es cero.
Intrínseco indica un material semiconductor

4. FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES LIBRES Y HUECOS
DENTRO DEL SEMICONDUCTOR
Cuando los electrones
libres llegan la
extremo derecho del
cristal, entran al
conductor externo
(normalmente un hilo
de cobre) y circulan
hacia el terminal
positivo de la batería.
Por otro lado, los
electrones libres en el
terminal negativo de la
batería fluirían hacia el
extremos izquierdo del
cristal. Así entran en el
cristal y se recombinan
con los huecos que

5. GENERACIÓN TÉRMICA DE PARES
ELECTRÓN-HUECO
Si un electrón de
valencia se convierte en
electrón de conducción
deja una posición
vacante, y si aplicamos
un campo eléctrico al
semiconductor, este
“hueco” puede ser
ocupado por otro
electrón de
valencia, que deja a su
vez otro hueco. Este
efecto es el de una carga

6. EJEMPLO DE GENERACIÓN
TÉRMICA
El silicio en su modelo
bidimensional, Vemos como
cada átomo de silicio se
rodea de sus 4 vecinos
próximos con lo que
comparte sus electrones de
valencia.
A 0ºK todos los electrones
hacen su papel de enlace y
tienen energías
correspondientes a la
banda de valencia. Esta
banda estará
completa, mientras que la

7. LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS
El dopaje consiste
en sustituir algunos
átomos de silicio
por átomos de
otros elementos. A
estos últimos se les
conoce con el
nombre de
impurezas.
Dependiendo del
tipo de impureza con
el que se dope al
semiconductor puro
o intrínseco
Sentido del movimiento de un electrón y un
hueco en el silicio.

8. CASO 1 DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR
Impurezas de valencia 5
(Arsénico, Antimonio, Fósf
oro). Tenemos un cristal
de Silicio dopado con
átomos de valencia 5
Los átomo de valencia 5
tienen un electrón de
más, así con una
temperatura no muy
elevada (a temperatura
ambiente por ejemplo), el
5º electrón se hace
electrón libre. Esto
es, como solo se pueden
tener 8 electrones en la

9. CASO 2 DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR
Impurezas de valencia 3
(Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un
cristal de Silicio dopado con
átomos de valencia 3.
Los átomo de valencia 3 tienen un
electrón de menos, entonces como
nos falta un electrón tenemos un
hueco. Esto es, ese átomo
trivalente tiene 7 electrones en la
orbita de valencia. Al átomo de
valencia 3 se le llama "átomo
trivalente" o "Aceptor".
A estas impurezas se les llama
"Impurezas Aceptoras". Hay tantos
huecos como impurezas de valencia
3 y sigue habiendo huecos de

10. ELEMENTOS DOPANTES
Para los
semiconductores del
Grupo IV como
Silicio, Germanio y
Carburo de
silicio, los dopantes
más comunes son
elementos del Grupo
III o del Grupo V.
Boro, Arsénico, Fósfo
ro, y ocasionalmente
Galio, son utilizados
Ejemplo de dopaje de Silicio por el
Fósforo (dopaje Tipo N). En el caso
del Fósforo, se dona un electrón

11. EJEMPLO DE DOPAJE «TIPO P»
El siguiente es un
ejemplo de dopaje
de Silicio por el
Boro (P dopaje). En
el caso del boro le
falta un electrón
y, por tanto, es
donado un hueco de
electrón.La
cantidad de
portadores
mayoritarios será
función directa de
la cantidad de
En el doping tipo p, la creación de
agujeros, es alcanzada mediante la
incorporación en el silicio de átomos con 3
electrones de valencia, generalmente se
utiliza boro.(9)

12. CONCLUSIONES
Un semiconductor es “intrínseco” cuando se
encuentra en estado puro, o sea, que no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro
de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda prohibida será
igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conducción.
En la producción de semiconductores, se denomina
dopaje al proceso intencional de agregar
impurezas en un semiconductor extremadamente
puro (también referido como intrínseco) con el
fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las

13. •http://fisicadesemiconductores.blogspot.com/
•http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagin
a4.htm
•http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1
• http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html
•http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp
•http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagin
a5.htm
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•http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
•http://ecotecnologias.wordpress.com/tag/celdas-solares/
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