Transistor de efecto de Campo

1. ELECTRÓNICA I
República Bolivariana de Venezuela
Instituto Universitario Tecnológico
“Antonio José de Sucre”
Ampliación Maracaibo
Alumno:
José Parra
C.I
25778969

2. TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
• La Electrónica es la ciencia que
estudia el control del flujo de
electrones en circuitos que van a
desempeñar muchas funciones por
medio de componentes como
diodos, transistores, resistores,
inductores, capacitores y otros
dispositivos.
• La era electrónica se introdujo con
el bulbo. A la llegada del transistor
se realizaron grandes cambios,
principalmente en las necesidades
de potencia y tamaño de los
componentes y circuitos. A
continuación veremos los
Transistores Unipolares (FET´S -

3. TRANSISTOR (JFET)
• Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o
FET por sus siglas en ingles ), son un dispositivo unipolar, ya que la
corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de
canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal
p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre
la compuerta y la fuente.
Los símbolos ilustrados se refieren al transistor
de efecto de campo de juntura. Los TEC a y b han
sido indicados como tipos N y P de acuerdo al
empleo de los materiales tipo N y P en la fabricación
de estos dispositivos.
El TEC tiene tres elementos. El terminal ánodo
se conoce como el drenaje y el terminal cátodo se
conoce como fuente. El drenaje equivale al colector.
La fuente equivale al emisor de un transistor bipolar.
La puerta equivale a la base.

4. TRANSISTOR MOSFET
• La estructura de este transistor es la más
complicada de entre todos los vistos hasta
ahora. Consta de los ya conocidos
semiconductores P-N, colocados ahora de
una nueva forma, y de un original material
aislante, como es el dióxido de silicio; esta
pequeña adición de la capa del óxido va a
cambiar considerablemente las propiedades
del transistor respecto a las que tenia el
JFET.
• Existen dos tipos de MOSFET: cuando
tengamos una zona tipo P y dos tíos N lo
llamaremos MOSFET de canal n (o NMOS) y,
por el contrario, si hay una sola zona tipo N
y otras dos tipo P se llamará MOSFET de

5. POLARIZACIÓN DE LOS
FET
• Los circuitos básicos que se utilizan para
polarizar los BJT se pueden emplear para
los MOSFET. EL JFET tiene el
inconveniente de que la tensión VGS
debe ser negativa en un NJFET (positiva
en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarización característicos para este tipo
de dispositivos.
• En este apartado únicamente se
presentan dos de los circuitos más
utilizados: polarización simple (figura
1.17), se utiliza una fuente de tensión
externa para generar una VGS<0, y auto
polarización (figura 1.18), la caída de
tensión en la resistencia RS debida a ID