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DIANA CAROLINA ESLAVA ALBARRACIN
     LAURA DANIELA LINERO FLOREZ
  ARLY CAROLINA GUZMAN MORALES
             ING. QUEVIN BARRERA
                              10G
         MODALIDAD INFORMATICA
TRANSISTORES
 El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
  que cumple funciones de amplificador, oscilador,
  conmutador o rectificador.
 Los transistores son unos elementos que han facilitado, en
  gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de
  reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
 Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de
  hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la
  construcción de receptores de radio portátiles llamados
  comúnmente "transistores", televisores que se encendían
  en un par de segundos, televisores en color... Antes de
  aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que
  trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30
  segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían
  funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.
Tipo de transistores
          Transistor de contacto puntual
 Llamado también transistor de punta de contacto, fue el
 primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
 1947 por John Barden y Walter Brattain. Consta de una base
 de germanio , semiconductor para entonces mejor
 conocido que la combinación cobre –oxido de cobre , sobre
 la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que
 constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
 capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector,
 de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos
 de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de
 fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe
 podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió
 con el transistor de unión (W. Shock ley, 1948) debido a su
 mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de contacto
puntual
Tipo de transistores
              Transistor de unión bipolar
 El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés,
  se fabrica básicamente sobre un mono cristal de Germanio,
  Silicio que tienen cualidades de semiconductores, estado
  intermedio entre conductores        como los metales y
  los aislantes como el diamante . Sobre el sustrato de cristal,
  se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de
  las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
  formadas dos uniones NP.
 El mecanismo que representa el comportamiento
  semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la
  geometría asociada y del tipo de tecnología de
  contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del
  comportamiento cuántico de la unión.
Transistor de unión
bipolar
Tipo de transistores
               Transistor de efecto de campo
 El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer
  transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra
  de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
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  así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más
  básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N
  y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A
  uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
  Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y
  conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a
  la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero..
 El transistor de efecto de campo , o FET por sus siglas en inglés,
  que controla la corriente en función de una tensión; tienen
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Transistores

  • 1. DIANA CAROLINA ESLAVA ALBARRACIN LAURA DANIELA LINERO FLOREZ ARLY CAROLINA GUZMAN MORALES ING. QUEVIN BARRERA 10G MODALIDAD INFORMATICA
  • 2. TRANSISTORES  El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.  Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.  Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.
  • 3. Tipo de transistores  Transistor de contacto puntual  Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Barden y Walter Brattain. Consta de una base de germanio , semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre –oxido de cobre , sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shock ley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
  • 5. Tipo de transistores  Transistor de unión bipolar  El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante . Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.  El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
  • 7. Tipo de transistores  Transistor de efecto de campo  El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero..  El transistor de efecto de campo , o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.  Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.