UNIVERSIDAD PRIVADA
      TELESUP
CUANDO FUNCIONAN COMO AMPLIFICADOR SUMINISTRAN UNA CORRIENTE
    DE SALIDA QUE ES PROPORCIONAL A LA TENSIÓN APLICADA A LA
                          ENTRADA.



                      POR EL TERMINAL DE CONTROL NO SE
                             ABSORBE CORRIENTE.


                    UNA SEÑAL MUY DÉBIL PUEDE CONTROLAR
                               EL COMPONENTE.


                    LA TENSIÓN DE CONTROL SE EMPLEA PARA
                         CREAR UN CAMPO ELÉCTRICO.
TRANSISTORES EFECTO DE CAMPO (JFET)


 EL JFET DE CANAL N ESTÁ              EN UN JFET DE CANAL N, O
  CONSTITUIDO POR UNA                   NJFET, LA TENSIÓN DE
   BARRA DE SILICIO DE                  DRENADOR DEBE SER
MATERIAL SEMICONDUCTOR                  MAYOR QUE LA DE LA
    DE TIPO N CON DOS                 FUENTE PARA QUE EXISTA
   REGIONES (ISLAS) DE                UN FLUJO DE CORRIENTE A
MATERIAL TIPO P SITUADAS A                TRAVÉS DE CANAL.
      AMBOS LADOS.




       ES UN ELEMENTO TRI-          LA POLARIZACIÓN DE UN
         TERMINAL CUYOS               JFET EXIGE QUE LAS
    TERMINALES SE DENOMINAN           UNIONES P-N ESTÉN
    DRENADOR (DRAIN), FUENTE            INVERSAMENTE
    (SOURCE) Y PUERTA (GATE).            POLARIZADAS.
•
                  • EN LOS MOSFET DE   • EN LOS MOSFET DE    • APLICACIONES
                     ACUMULACIÓN A        DEPLEXIÓN UNA          TÍPICAS:
LA CORRIENTE DE       PARTIR DE UN     DIFUSIÓN ADICIONAL   CONVERTIDORES Y
 DRENADOR SE          CIERTO VALOR          PERMITE LA       ACCIONADORES
   CONTROLA        UMBRAL DE UGS SE    CIRCULACIÓN DE LA    ELECTRÓNICOS DE
  MEDIANTE LA      FORMA EL CANAL Y       CORRIENTE DE      POTENCIA, ETAPAS
  TENSIÓN UGS     PUEDE CIRCULAR LA    DRENADOR INCLUSO     AMPLIFICADORAS,
                      CORRIENTE DE      PARA TENSIÓN UGS        CIRCUITOS
                       DRENADOR.              NULA .            DIGITALES.
Transistor de tipo
                            especial que
                           tiene una alta
                            ganancia de
   Esta compuesto             corriente.
                                               Se utilizan ampliamente
internamente por dos                           en circuitos en donde es
transistores bipolares                        necesario controlar cargas
 que se conectan en                           grandes con corriente muy
       cascada.                                        pequeñas.




                          TRANSISTOR
                          DARLINGTON
ES UN TIPO ESPECIAL DE TRANSISTOR FET QUE TIENE UNA
VERSIÓN NPN Y OTRA PNP.


   EL NPN ES LLAMADO MOSFET DE CANAL N Y EL PNP ES
   LLAMADO MOSFET DE CANAL P.

UNA DELGADA CAPA DE MATERIAL AISLANTE FORMADA DE DIÓXIDO DE SILICIO (SIO2)
(TAMBIÉN LLAMADA "SÍLICE" O "SÍLICA") ES COLOCADA DEL LADO DEL SEMICONDUCTOR Y
UNA CAPA DE METAL ES COLOCADA DEL LADO DE LA COMPUERTA (GATE)
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
     COMO INTERRUPTOR
    UN TRANSISTOR FUNCIONA COMO UN
INTERRUPTOR PARA EL CIRCUITO CONECTADO
    AL COLECTOR (RC) SI SE HACE PASAR
  RÁPIDAMENTE DE CORTE A SATURACIÓN Y
               VICEVERSA.

     EN CORTE ES UN INTERRUPTOR ABIERTO Y EN SATURACIÓN ES UN
                       INTERRUPTOR CERRADO.


POSEE DOS RESISTENCIA QUE TIENEN COMO FUNCIÓN LIMITAR LA CANTIDAD
       DE CORRIENTE QUE CIRCULA POR LA BASE Y EL COLECTOR.



 EL TRANSISTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR CERRADO, CUANDO
 AUMENTA PROGRESIVAMENTE EL VALOR DE INTENSIDAD EN LA BASE, DE TAL
MANERA, Y HACE QUE LA INTENSIDAD DEL COLECTOR NO SIGUE AUMENTANDO


EL TRANSISTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR ABIERTO, CUANDO NO
     CIRCULA INTENSIDAD POR LA BASE, POR LO QUE, LA INTENSIDAD DE
                     COLECTOR Y EMISOR ES NULA.

Transistores

  • 1.
  • 2.
    CUANDO FUNCIONAN COMOAMPLIFICADOR SUMINISTRAN UNA CORRIENTE DE SALIDA QUE ES PROPORCIONAL A LA TENSIÓN APLICADA A LA ENTRADA. POR EL TERMINAL DE CONTROL NO SE ABSORBE CORRIENTE. UNA SEÑAL MUY DÉBIL PUEDE CONTROLAR EL COMPONENTE. LA TENSIÓN DE CONTROL SE EMPLEA PARA CREAR UN CAMPO ELÉCTRICO.
  • 3.
    TRANSISTORES EFECTO DECAMPO (JFET) EL JFET DE CANAL N ESTÁ EN UN JFET DE CANAL N, O CONSTITUIDO POR UNA NJFET, LA TENSIÓN DE BARRA DE SILICIO DE DRENADOR DEBE SER MATERIAL SEMICONDUCTOR MAYOR QUE LA DE LA DE TIPO N CON DOS FUENTE PARA QUE EXISTA REGIONES (ISLAS) DE UN FLUJO DE CORRIENTE A MATERIAL TIPO P SITUADAS A TRAVÉS DE CANAL. AMBOS LADOS. ES UN ELEMENTO TRI- LA POLARIZACIÓN DE UN TERMINAL CUYOS JFET EXIGE QUE LAS TERMINALES SE DENOMINAN UNIONES P-N ESTÉN DRENADOR (DRAIN), FUENTE INVERSAMENTE (SOURCE) Y PUERTA (GATE). POLARIZADAS.
  • 4.
    • EN LOS MOSFET DE • EN LOS MOSFET DE • APLICACIONES ACUMULACIÓN A DEPLEXIÓN UNA TÍPICAS: LA CORRIENTE DE PARTIR DE UN DIFUSIÓN ADICIONAL CONVERTIDORES Y DRENADOR SE CIERTO VALOR PERMITE LA ACCIONADORES CONTROLA UMBRAL DE UGS SE CIRCULACIÓN DE LA ELECTRÓNICOS DE MEDIANTE LA FORMA EL CANAL Y CORRIENTE DE POTENCIA, ETAPAS TENSIÓN UGS PUEDE CIRCULAR LA DRENADOR INCLUSO AMPLIFICADORAS, CORRIENTE DE PARA TENSIÓN UGS CIRCUITOS DRENADOR. NULA . DIGITALES.
  • 5.
    Transistor de tipo especial que tiene una alta ganancia de Esta compuesto corriente. Se utilizan ampliamente internamente por dos en circuitos en donde es transistores bipolares necesario controlar cargas que se conectan en grandes con corriente muy cascada. pequeñas. TRANSISTOR DARLINGTON
  • 6.
    ES UN TIPOESPECIAL DE TRANSISTOR FET QUE TIENE UNA VERSIÓN NPN Y OTRA PNP. EL NPN ES LLAMADO MOSFET DE CANAL N Y EL PNP ES LLAMADO MOSFET DE CANAL P. UNA DELGADA CAPA DE MATERIAL AISLANTE FORMADA DE DIÓXIDO DE SILICIO (SIO2) (TAMBIÉN LLAMADA "SÍLICE" O "SÍLICA") ES COLOCADA DEL LADO DEL SEMICONDUCTOR Y UNA CAPA DE METAL ES COLOCADA DEL LADO DE LA COMPUERTA (GATE)
  • 7.
    TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) COMO INTERRUPTOR UN TRANSISTOR FUNCIONA COMO UN INTERRUPTOR PARA EL CIRCUITO CONECTADO AL COLECTOR (RC) SI SE HACE PASAR RÁPIDAMENTE DE CORTE A SATURACIÓN Y VICEVERSA. EN CORTE ES UN INTERRUPTOR ABIERTO Y EN SATURACIÓN ES UN INTERRUPTOR CERRADO. POSEE DOS RESISTENCIA QUE TIENEN COMO FUNCIÓN LIMITAR LA CANTIDAD DE CORRIENTE QUE CIRCULA POR LA BASE Y EL COLECTOR. EL TRANSISTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR CERRADO, CUANDO AUMENTA PROGRESIVAMENTE EL VALOR DE INTENSIDAD EN LA BASE, DE TAL MANERA, Y HACE QUE LA INTENSIDAD DEL COLECTOR NO SIGUE AUMENTANDO EL TRANSISTOR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR ABIERTO, CUANDO NO CIRCULA INTENSIDAD POR LA BASE, POR LO QUE, LA INTENSIDAD DE COLECTOR Y EMISOR ES NULA.