El documento describe un transistor MOSFET de potencia de canal P llamado TPS1110. Ofrece una resistencia interna muy baja de 65 mΩ típicos a -4.5 V de tensión de puerta, y una alta capacidad de corriente de 6 A a la misma tensión de puerta. Puede conmutar con niveles lógicos de tensión de puerta de hasta 3 V y tiene una corriente de fuga drenador-surtidor menor a 100 nA entre 25°C y 75°C a -6 V. Viene en un pequeño paquete de montaje

1. • Curso: Física Electrónica
• Ciclo: Cuarto
Ingeniería de Sistemas
• Alumno: José G. Humalla Quiro
• Profesor: Pablo Villegas Chunga
• URL: http://www.slideshare.net/JoSeLiT0XD
2014

2. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para producir una señal de
salida en respuesta a otra señal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor»
es la contracción en inglés de transfer resistor
(«resistencia de transferencia»). Actualmente se
encuentran prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

3. Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificación más aceptada consiste
en dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor) y transistores
de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor).
La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando
los JFET, MOSFET, MISFET, etc...
TIPOS DE TRANSISTORES

4. Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unión de tres cristales de semiconductor con dopajes diferentes e
intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN.
Tecnológicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET. El transistor de unión bipolar,
o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores
como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de
electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o “huecos” (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son
del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el
emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones,
de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y
del comportamiento cuántico de la unión.

5. Transistor de contacto puntual
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J.
Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se “ve”
en el colector, de ahí el nombre de “transfer resistor”. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el
transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho
de banda. En la actualidad ha desaparecido.

6. Transistor de Unión Unipolar
También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo
N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

7. TRANSISTOR JFET

9. Description
The TPS1110 is a single, low-rDS(on), P-channel enhancement-mode power MOS transistor. The device features extremely
low-rDS(on) values coupled with logic-level gate-drive capability and very low drain-source leakage current. With a maximum
VGS(th) of -0.9 V and an IDSS of only -100 nA, the TPS1110 is the ideal high-side switch for low-voltage, portable battery-
management power-distribution systems where maximizing battery life is an important concern. The thermal performance
of the 8-pin small-outline (D) package has been greatly enhanced over the standard 8-pin SOIC, further making the
TPS1110 ideally suited for many power applications. For compatibility with existing designs, the TPS1110 has a pinout
common with other P-channel MOSFETs in small-outline integrated circuit (SOIC) packages. The TPS1110 is characterized
for an operating junction temperature range, TJ, from -40°C to 150°C. The D package is available packaged in standard
sleeves or in taped and reeled formats. When ordering the tape-and-reel format, add an R suffix to the device type number
(e.g., TPS1110DR).
Features
•Low rDS(on)...65 m
Typ at VGS = -4.5 V
•High Current Capability
6 A at VGS = -4.5 V
•Logic-Level Gate Drive (3 V Compatible)
VGS(th) = -0.9 V Max
•Low Drain-Source Leakage Current
<100 nA From 25°C to 75°C
at VDS = -6 V
•Fast Switching...5.8 ns Typ td(on)
•Small-Outline Surface-Mount Power Package
TRANSISTOR MOSFET