El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor bipolar, el transistor de efecto de campo (FET), el MOSFET y el JFET. Explica que los transistores controlan el flujo de corriente eléctrica y consisten en tres terminales (emisor, base y colector en los bipolares; o fuente, drenador y puerta en los FET).

1. TRANSISTORES

2. TRANSISTORES
• EL TRANSISTOR ES UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE TRES
CAPAS QUE CONSISTE DE DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO N Y UNA
CAPA TIPO P, O BIEN, DE DOS CAPAS DE MATERIAL TIPO P Y UNA
TIPO N. AL PRIMERO SE LE LLAMA TRANSISTOR NPN, EN TANTO QUE
AL SEGUNDO TRANSISTOR PNP.
• EMISOR, QUE EMITE LOS PORTADORES DE CORRIENTE,(HUECOS
O ELECTRONES). SU LABOR ES LA EQUIVALENTE AL CATODO EN
LOS TUBOS DE VACÍO O "LÁMPARAS" ELECTRÓNICAS.
• BASE, QUE CONTROLA EL FLUJO DE LOS PORTADORES DE
CORRIENTE. SU LABOR ES LA EQUIVALENTE A LA REJILLA
CÁTODO EN LOS TUBOS DE VACÍO O "LÁMPARAS" ELECTRÓNICAS.
• COLECTOR, QUE CAPTA LOS PORTADORES DE CORRIENTE
EMITIDOS POR EL EMISOR. SU LABOR ES LA EQUIVALENTE A LA
PLACA EN LOS TUBOS DE VACÍO O "LÁMPARAS" ELECTRÓNICAS.

3. TIPOS DE TRANSISTORES
• FOTOTRANSISTOR
• TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
• TRANSISTOR BIPOLAR
• TRANSISTOR UNIUNIÓN
• TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
• MOSFET
• TRANSISTOR JFET

4. FOTOTRANSISTOR
SE LLAMA FOTOTRANSISTOR A UN TRANSISTOR SENSIBLE A LA LUZ,
NORMALMENTE A LOS INFRARROJOS. LA LUZ INCIDE SOBRE LA REGIÓN DE BASE,
GENERANDO PORTADORES EN ELLA. ESTA CARGA DE BASE LLEVA EL TRANSISTOR
AL ESTADO DE CONDUCCIÓN. EL FOTOTRANSISTOR ES MÁS SENSIBLE QUE EL
FOTODIODO POR EL EFECTO DE GANANCIA PROPIO DEL TRANSISTOR.
• UN FOTOTRANSISTOR ES IGUAL A UN TRANSISTOR COMÚN, CON LA
DIFERENCIA QUE EL PRIMERO PUEDE TRABAJAR DE 2 FORMAS:
• COMO TRANSISTOR NORMAL CON LA CORRIENTE DE BASE IB (MODO
COMÚN).
• COMO FOTOTRANSISTOR, CUANDO LA LUZ QUE INCIDE EN ESTE ELEMENTO
HACE LAS VECES DE CORRIENTE DE BASE. IP (MODO DE ILUMINACIÓN).
• PUEDE UTILIZARSE DE LAS DOS EN FORMAS SIMULTÁNEAMENTE, AUNQUE EL
FOTOTRANSISTOR SE UTILIZA PRINCIPALMENTE CON EL PIN DE LA BASE SIN
CONECTAR.

5. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
LLAMADO TAMBIÉN TRANSISTOR DE PUNTA DE CONTACTO, FUE EL PRIMER
TRANSISTOR CAPAZ DE OBTENER GANANCIA, INVENTADO EN 1947 POR JOHN
BARDEEN Y WALTER BRATTAIN. CONSTA DE UNA BASE DE GERMANIO,
SEMICONDUCTOR PARA ENTONCES MEJOR CONOCIDO QUE LA COMBINACIÓN
COBRE-ÓXIDO DE COBRE, SOBRE LA QUE SE APOYAN, MUY JUNTAS, DOS PUNTAS
METÁLICAS QUE CONSTITUYEN EL EMISOR Y EL COLECTOR.
• LA BASE DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UN TRANSISTOR DE CONTACTO
COMÚN ES DE ALREDEDOR DE 2 A 3, MIENTRAS QUE LA DE UN DE UN
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR ES TÍPICAMENTE ENTRE 0,98 Y 0,998.
• RESISTENCIA NEGATIVA DIFERENCIAL.
• CUANDO SE UTILIZA EN EL MODO SATURADO EN LA LÓGICA DIGITAL, SE
ENGANCHAN EN EL ON-ESTADO, POR LO QUE ES NECESARIO ELIMINAR EL
PODER POR UN BREVE PERIODO DE TIEMPO EN CADA CICLO DE LA MÁQUINA
QUE SE LES DEVUELVA EL ESTADO DE DESCONEXIÓN.

6. TRANSISTOR BIPOLAR
• ESTE TIPO DE TRANSISTOR SE POLARIZA DE MANERA DIFERENTE AL
TRANSISTOR BIPOLAR. LA TERMINAL DE DRENAJE SE POLARIZA
POSITIVAMENTE CON RESPECTO AL TERMINAL DE FUENTE (VDD) Y LA
COMPUERTA SE POLARIZA NEGATIVAMENTE CON RESPECTO A LA FUENTE (-
VGG).
• A MAYOR VOLTAJE -VGG, MÁS ANGOSTO ES EL CANAL Y MÁS DIFÍCIL
PARA LA CORRIENTE PASAR DEL TERMINAL DRENADOR (DRAIN) AL TERMINAL
FUENTE O SOURCE. LA TENSIÓN -VGG PARA LA QUE EL CANAL QUEDA
CERRADO SE LLAMA PUNCH-OFF Y ES DIFERENTE PARA CADA JFET.
• EL TRANSISTOR DE JUNTURA BIPOLAR ES UN DISPOSITIVO OPERADO POR
CORRIENTE Y REQUIEREN QUE HALLA CAMBIOS EN LA CORRIENTE DE BASE
PARA PRODUCIR CAMBIOS EN LA CORRIENTE DE COLECTOR. EL JFET ES
CONTROLADO POR TENSIÓN Y LOS CAMBIOS EN TENSIÓN DE LA
COMPUERTA A FUENTE MODIFICAN LA REGIÓN DE RAREFACCIÓN
(DEPLEXIÓN) Y CAUSAN QUE VARÍE EL ANCHO DEL CANAL.

7. TRANSISTOR UNIUNIÓN
• EL TRANSISTOR UNIUNIÓN ES UN TIPO DE TIRISTOR QUE CONTIENE DOS ZONAS
SEMICONDUCTORAS.
• TIENE TRES TERMINALES DENOMINADOS EMISOR (E), BASE UNO (B1) Y BASE DOS (B2). ESTÁ
FORMADO POR UNA BARRA SEMICONDUCTORA TIPO N, ENTRE LOS TERMINALES B1-B2, EN LA
QUE SE DIFUNDE UNA REGIÓN TIPO P+, EL EMISOR, EN ALGÚN PUNTO A LO LARGO DE LA
BARRA, LO QUE DETERMINA EL VALOR DEL PARÁMETRO Η, STANDOFF RATIO, CONOCIDO
COMO RAZÓN DE RESISTENCIAS O FACTOR INTRÍNSECO.

8. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
• EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JFET), FUE EL PRIMER
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO EN LA PRÁCTICA. LO FORMA UNA BARRA
DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICIO DE TIPO N O P.
• EN LOS TERMINALES DE LA BARRA SE ESTABLECE UN CONTACTO ÓHMICO,
TENEMOS ASÍ UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO TIPO N DE LA FORMA
MÁS BÁSICA. SI SE DIFUNDEN DOS REGIONES P EN UNA BARRA DE MATERIAL N
Y SE CONECTAN EXTERNAMENTE ENTRE SÍ, SE PRODUCIRÁ UNA PUERTA. A UNO
DE ESTOS CONTACTOS LE LLAMAREMOS SURTIDOR Y AL OTRO DRENADOR.
• APLICANDO TENSIÓN POSITIVA ENTRE EL DRENADOR Y EL SURTIDOR Y
CONECTANDO LA PUERTA AL SURTIDOR, ESTABLECEREMOS UNA CORRIENTE, A
LA QUE LLAMAREMOS CORRIENTE DE DRENADOR CON POLARIZACIÓN CERO.
CON UN POTENCIAL NEGATIVO DE PUERTA AL QUE LLAMAMOS TENSIÓN DE
ESTRANGULAMIENTO, CESA LA CONDUCCIÓN EN EL CANAL.

9. CARACTERÍSTICAS:
• EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, O FET POR SUS SIGLAS EN INGLÉS,
QUE CONTROLA LA CORRIENTE EN FUNCIÓN DE UNA TENSIÓN; TIENEN ALTA
IMPEDANCIA DE ENTRADA.
• TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, JFET, CONSTRUIDO
MEDIANTE UNA UNIÓN PN.
• TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE COMPUERTA AISLADA, IGFET, EN EL
QUE LA COMPUERTA SE AÍSLA DEL CANAL MEDIANTE UN DIELÉCTRICO.
• TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOS, MOSFET, DONDE MOS
SIGNIFICA METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR, EN ESTE CASO LA COMPUERTA
ES METÁLICA Y ESTÁ SEPARADA DEL CANAL SEMICONDUCTOR POR UNA
CAPA DE ÓXIDO.

10. MOSFET
• EL TÉRMINO 'METAL' EN EL NOMBRE DE LOS TRANSISTORES MOSFET ES
ACTUALMENTE INCORRECTO DEBIDO A QUE EL MATERIAL DE LA COMPUERTA,
QUE ANTES ERA METÁLICO, AHORA SE CONSTRUYE CON UNA CAPA DE SILICIO
POLICRISTALINO.
• EN SUS INICIOS SE UTILIZÓ ALUMINIO PARA FABRICAR LA COMPUERTA, HASTA
MEDIADOS DE 1970 CUANDO EL SILICIO POLICRISTALINO COMENZÓ A DOMINAR
EL MERCADO GRACIAS A SU CAPACIDAD DE FORMAR COMPUERTAS AUTO-ALINEADAS.
• LAS COMPUERTAS METÁLICAS ESTÁN VOLVIENDO A GANAR POPULARIDAD,
DEBIDO A QUE ES COMPLICADO INCREMENTAR LA VELOCIDAD DE OPERACIÓN
DE LOS TRANSISTORES SIN UTILIZAR COMPONENTES METÁLICOS EN LA
COMPUERTA. DE MANERA SIMILAR, EL 'ÓXIDO' UTILIZADO COMO AISLANTE EN LA
COMPUERTA TAMBIÉN SE HA REEMPLAZADO POR OTROS MATERIALES CON EL
PROPÓSITO DE OBTENER CANALES FUERTES CON LA APLICACIÓN DE TENSIONES
MÁS PEQUEÑAS.

11. CARACTERÍSTICAS:
• AUNQUE EL MOSFET ES UN DISPOSITIVO DE CUATRO TERMINALES
LLAMADAS SURTIDOR (S), DRENADOR (D), COMPUERTA (G) Y SUSTRATO
(B), EL SUSTRATO GENERALMENTE ESTÁ CONECTADO INTERNAMENTE A LA
TERMINAL DEL SURTIDOR, Y POR ESTE MOTIVO SE PUEDEN ENCONTRAR
DISPOSITIVOS DE TRES TERMINALES SIMILARES A OTROS TRANSISTORES DE
EFECTO DE CAMPO
• UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE COMPUERTA AISLADA O IGFET
(INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR) ES UN TÉRMINO
RELACIONADO QUE ES EQUIVALENTE A UN MOSFET. EL TÉRMINO IGFET
ES UN POCO MÁS INCLUSIVO, DEBIDO A QUE MUCHOS TRANSISTORES
MOSFET UTILIZAN UNA COMPUERTA QUE NO ES METÁLICA, Y UN
AISLANTE DE COMPUERTA QUE NO ES UN ÓXIDO. OTRO DISPOSITIVO
RELACIONADO ES EL MISFET, QUE ES UN TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR (METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR
FIELD-EFFECT TRANSISTOR

12. TRANSISTOR JFET
• EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FIELD-EFFECT TRANSISTOR O FET, EN INGLÉS) ES EN
REALIDAD UNA FAMILIA DE TRANSISTORES QUE SE BASAN EN EL CAMPO ELÉCTRICO
PARA CONTROLAR LA CONDUCTIVIDAD DE UN "CANAL" EN UN MATERIAL
SEMICONDUCTOR. LOS FET PUEDEN PLANTEARSE COMO RESISTENCIAS CONTROLADAS
POR DIFERENCIA DE POTENCIAL.
• TIENEN TRES TERMINALES, DENOMINADAS PUERTA (GATE), DRENADOR (DRAIN) Y FUENTE
(SOURCE). LA PUERTA ES LA TERMINAL EQUIVALENTE A LA BASE DEL BJT. EL TRANSISTOR
DE EFECTO DE CAMPO SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR CONTROLADO POR
TENSIÓN, DONDE EL VOLTAJE APLICADO A LA PUERTA PERMITE HACER QUE FLUYA O NO
CORRIENTE ENTRE DRENADOR Y FUENTE.
• ASÍ COMO LOS TRANSISTORES BIPOLARES SE DIVIDEN EN NPN Y PNP, LOS DE EFECTO
DE CAMPO O FET SON TAMBIÉN DE DOS TIPOS: CANAL N Y CANAL P, DEPENDIENDO
DE SI LA APLICACIÓN DE UNA TENSIÓN POSITIVA EN LA PUERTA PONE AL TRANSISTOR EN
ESTADO DE CONDUCCIÓN O NO CONDUCCIÓN, RESPECTIVAMENTE.
• EL JFET ES UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, ES DECIR, SU FUNCIONAMIENTO SE
BASA EN LAS ZONAS DE DEPLEXIÓN QUE RODEAN A CADA ZONA P AL SER
POLARIZADAS INVERSAMENTE.

13. BIBLIOGRAFÍA ELECTRÓNICA
 HTTP://ES.WIKIPEDIA.ORG/WIKI/MOSFET
 HTTP://ES.WIKIPEDIA.ORG/WIKI/FOTOTRANSISTOR
 HTTP://WWW.GARDUZA.MX/B302/INDEX.PHP?OPTION=COMCONTENT&VIEW=AR
TICLE&ID=56&ITEMID=168
 HTTP://ES.WIKIPEDIA.ORG/WIKI/TRANSISTOR_DE_EFECTO_CAMPO
 HTTP://EN.WIKIPEDIA.ORG/WIKI/JFET
 HTTP://PEPOTE.VASCODELAZARZA.COM/TRANSISTORES.HTML
 HTTP://ES.WIKIPEDIA.ORG/WIKI/MOSFET
 HTTP://PEPOTE.VASCODELAZARZA.COM/TRANSISTORES.HTML