El documento resume las principales zonas de funcionamiento de los transistores BJT, JFET y MOSFET. Los BJT tienen 3 zonas principales: activa directa, saturación y corte. Los JFET tienen 4 zonas: corte, lineal, saturación y ruptura. Los MOSFET son transistores controlados por tensión donde la corriente de salida está controlada por la tensión de entrada en lugar de la corriente. También se describe brevemente el funcionamiento básico de los fototransistores.

2. TRANSISTOR BJT
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en
esta zona, y se comporta como una fuente de
corriente constante controlada por la intensidad
de base (ganancia de corriente).Este parámetro
lo suele proporcionar el fabricante dandonos un
máximo y un mínimo para una corriente de
colector dada (Ic); además de esto, suele
presentar una variación acusada con la
temperatura y con la corriente de colector, por lo
que en principio no podemos conocer su valor.
Algunos polímetros son capaces de medir este
parámetro pero esta medida hay que tomarla
solamente como una indicación, ya que el
polímetro mide este parámetro para un valor de
corriente de colector distinta a la que circulará
por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado
para aplicaciones de conmutación (potencia,
circuitos digitales, etc.), y lo podemos
considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones El transistor PNP es complemento del NPN de forma que
de conmutación (potencia, circuitos digitales, todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del
transistor NPN.
etc.), y podemos considerar las corrientes que lo
atraviesan practicamente nulas (y en especial
Ic).
Para encontrar el circuito PNP complementario:
3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar 1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
como carente de interés.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

3. TRANSISTORES JFET
El JFET de canal n está constituido por una barra de Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID
silicio de material semiconductor de tipo n con (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS
dos regiones (islas) de material tipo p situadas a (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS
ambos lados. (tensión drain o drenador a source o fuente). Se
definen cuatro regiones básicas de operación: corte,
lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza
Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se una descripción breve de cada una de estas regiones
denominan drenador (drain), fuente (source) y para el caso de un NJFET.
puerta (gate).
En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET
de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este
dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET
de canal P
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n
estén inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de
drenador debe ser mayor que la de la fuente para
que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más
negativa que la fuente para que la unión p-n se
encuentre polarizado inversamente. Ambas
polarizaciones se indican en la figura 1.11.
Las curvas de características eléctricas de un JFET
son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET
son dispositivos controlados por tensión a
diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.

4. TRANSISTORES MOSFET
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP.
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o "sílica") es colocada del lado del
semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)
En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso
de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente
de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se
puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.

5. FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a
cualquier tipo de transistor bipolar. Existen tanto fototransistores NPN como
PNP. Debido a que la radiación es la que dispara la base del transistor, y no
una corriente aplicada eléctricamente, usualmente la patilla correspondiente a
la base no se incluye en el transistor. El método de construcción es el de
difusión. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, así como gases,
impurezas o dopantes. Por medio de la difusión, los gases dopantes penetran
la superficie sólida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido
la difusión, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de
dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor está hecha de un
material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiación
hacia la base del transistor.
En la figura 10 se puede observar el aspecto físico de un fototransistor.

6. INFORMACION ELECTRONICA
http://www.webelectronica.com.ar/news10/nota014/optoelectronica2.htm
http://www.unicrom.com/Tut_Caracteristicas_electricas_JFET.asp
http://html.rincondelvago.com/diodos-y-transistores.html