Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo fototransistores, transistores uniunión, IGBT, JFET, MOSFET. Los fototransistores funcionan como transistores normales o detectando luz. Los transistores uniunión contienen dos zonas semiconductoras. Los IGBT combinan las características de los transistores de efecto campo y bipolares. Los JFET están formados por una pastilla semiconductor tipo P flanqueada por regiones tipo N. Los MOSFET son los transistores más utilizados, formados por una capa de aislante entre la compu

1. TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
TIPOS DE TRANSISTORES
HUGO. CH. D.

2. TIPOS DE TRANSISTORES
Fototransistor:
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide
sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al
estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2
formas:
Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base.
Ip (modo de iluminación).
Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con el pin de la base sin conectar.

3. Transistor uniunión:
El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado
por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una
región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del
parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

4. Transistor IGBT:
El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que generalmente
se aplica como interruptor controlado en circuitos de electronica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores efecto
campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.

5. JFET
Esquema interno del transistor JFET canal P.
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de
juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores
eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según
este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de
semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente)
flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales
conectados entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y fuente, las
zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID)
queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones
ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina
Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas,
cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.

6. Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para
tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa) y
una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de
la ID en función de la VGS vienen dados por una gráfica o ecuación
denominada ecuación de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una
salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensión entre el
drenador y la fuente VDS. A la gráfica o ecuación que relaciona estás dos
variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde se
distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y saturación.

7. MOSFET
Estructura del MOSFET en donde se muestran las terminales de compuerta (G), sustrato (B),
surtidor (S) y drenador (D). La compuerta está separada del cuerpo por medio de una capa de
aislante (blanco).
Dos MOSFETs de potencia con encapsulado TO-263 de montaje superficial. Cuando operan como
interruptores, cada uno de estos componentes puede mantener una tensión de bloqueo de 120
voltios en el estado apagado, y pueden conducir una corriente continua de 30 amperios.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.

8. El término 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a
que el material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una capa de silicio
policristalino. En sus inicios se utilizó aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970
cuando el silicio policristalino comenzó a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas. Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, debido
a que es complicado incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar
componentes metálicos en la compuerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la
compuerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales
fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.
Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal
del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros
transistores de efecto de campo.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es un
poco más inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es
metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el
MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-
semiconductor field-effect transistor).