El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor, y el transistor JFET. Explica sus estructuras, funciones y aplicaciones.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor, el JFET y el MOSFET. Explica sus estructuras, funciones y aplicaciones comunes en dispositivos electrónicos.
Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca información de la ficha técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y un MOSFET. Elabora una presentación en Power Point donde muestres la característica de cada diodo.
Algunas páginas que puedes visitar
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
Publica tu presentación en:
www.slideshare.net
Luego, envía la dirección de tu publicación a tu profesor
Este documento describe diferentes tipos de transistores de efecto de campo, incluyendo MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, MODFET, IGBT, FREDFET y DNAFET. Explica que los transistores de efecto de campo usan un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un semiconductor. También destaca algunas características clave de estos dispositivos como su alta resistencia de entrada, falta de voltaje de unión y menor ruido en comparación con otros tipos de transistores.
El documento describe diferentes tipos de transistores de efecto de campo (FET), incluyendo MOSFET, JFET, MESFET y otros. Explica las características de cada uno y cómo se diferencian según el método de aislamiento entre el canal y la puerta. También describe las curvas características típicas de los FET y cómo funcionan, con detalles sobre su configuración y aplicaciones comunes.
Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión bipolar (BJT), transistores de efecto de campo (FET), transistores MOSFET, transistores JFET y fototransistores. Explica cómo funcionan y sus características principales, como la capacidad de amplificar señales, conmutar corrientes y detectar luz.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JFET, MOSFET, BJT y fototransistores. Proporciona definiciones, características y hojas de datos técnicos de ejemplos de cada tipo de transistor.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JFET, MOSFET, de contacto puntual, de unión bipolar, y fototransistores. Explica sus estructuras, símbolos y principios de operación. También menciona fuentes de información adicional sobre semiconductores y dispositivos relacionados.
Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET) y sus diferentes tipos como JFET y MOSFET. Explica que los MOSFET ocupan menos espacio y su proceso de fabricación es más simple que los transistores bipolares (BJT). También describe el principio de funcionamiento de los MOSFET, incluyendo cómo se forma el canal y cómo el voltaje de la puerta controla la corriente entre el drenador y la fuente.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor, el JFET y el MOSFET. Explica sus estructuras, funciones y aplicaciones comunes en dispositivos electrónicos.
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Algunas páginas que puedes visitar
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
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Este documento describe diferentes tipos de transistores de efecto de campo, incluyendo MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, MODFET, IGBT, FREDFET y DNAFET. Explica que los transistores de efecto de campo usan un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un semiconductor. También destaca algunas características clave de estos dispositivos como su alta resistencia de entrada, falta de voltaje de unión y menor ruido en comparación con otros tipos de transistores.
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Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión bipolar (BJT), transistores de efecto de campo (FET), transistores MOSFET, transistores JFET y fototransistores. Explica cómo funcionan y sus características principales, como la capacidad de amplificar señales, conmutar corrientes y detectar luz.
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Este documento describe los transistores de efecto de campo (FET) y sus diferentes tipos como JFET y MOSFET. Explica que los MOSFET ocupan menos espacio y su proceso de fabricación es más simple que los transistores bipolares (BJT). También describe el principio de funcionamiento de los MOSFET, incluyendo cómo se forma el canal y cómo el voltaje de la puerta controla la corriente entre el drenador y la fuente.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JFET, MOSFET, de contacto puntual, de unión bipolar, de unión unipolar, y fototransistores. Explica sus estructuras internas, principios de operación, y aplicaciones como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores.
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Describe transistores JFET, MOSFET, de contacto puntual, fototransistores y de unión bipolar, además de mencionar algunas compañías que venden dispositivos electrónicos.
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores unipolares controlados por un campo eléctrico. Existen dos tipos principales: los JFET de unión y los MOSFET de puerta aislada. Los FET tienen tres terminales (puerta, drenador y fuente) y funcionan como interruptores controlados por la tensión de puerta. Permiten aplicaciones de amplificación, conmutación y control de potencia debido a su alta impedancia de entrada y baja capacidad.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), e IGBT. Explica las características clave de cada tipo de transistor como su construcción, principio de operación, aplicaciones y diferencias con los transistores bipolares. También proporciona detalles sobre las curvas características, zonas de operación y polaridad de los transistores JFET y MOSFET.
El documento presenta información sobre dos tipos de transistores de efecto de campo: JFET y MOSFET. Explica que el JFET controla la corriente de drenador mediante la tensión de puerta, y que su canal se cierra cuando la tensión de puerta supera un límite. El MOSFET funciona formando un canal entre drenador y fuente al aplicar tensión de puerta, permitiendo el paso de corriente, la cual se controla variando la tensión de drenador. Finalmente, compara las características eléctricas de ambos dispositivos
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario como radios, televisores, computadoras, teléfonos celulares, etc. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor y el MOSFET. Los transistores se utilizan ampliamente en aplicaciones de electrónica de potencia como conversores estáticos de potencia
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo los transistores bipolares (BJT) y los transistores de efecto de campo (FET). Los BJT se fabrican comúnmente en silicio o germanio y tienen tres terminales (emisor, base y colector), mientras que los FET tienen tres terminales llamadas puerta, drenador y fuente. Los FET tienen mayores ventajas que los BJT, como mayor impedancia de entrada, menor ruido y mayor estabilidad con la temperatura. Ambos tipos de transistores se utilizan ampliamente en aplicaciones electr
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo como JFET, MOSFET y MESFET, así como HEMT, HBT y fototransistores. Explica sus características y funcionamientos básicos como dispositivos electrónicos amplificadores, conmutadores o rectificadores controlados por voltaje o corriente.
El documento describe 5 tipos diferentes de transistores: transistor, transistor de efecto de campo, transistor de unión bipolar, fototransistor, y transistor MOSFET. Cada tipo tiene características y funciones únicas como amplificador, conmutador o detector de luz. Los transistores se encuentran ampliamente en dispositivos electrónicos y cumplen un papel fundamental en su funcionamiento.
El MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Tiene cuatro terminales (surtidor, drenador, compuerta y sustrato), aunque a veces se considera de tres terminales. Es el transistor más utilizado en circuitos analógicos y digitales, y la base de los microprocesadores. Controla el flujo de corriente aplicando una tensión a la compuerta en lugar de una corriente como en los transistores bipolares.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares y de efecto de campo. Explica que los transistores bipolares consisten en tres regiones semiconductoras dopadas (emisor, base y colector) y pueden ser tipo NPN o PNP. También describe las características, símbolos y zonas de operación de los transistores JFET y MOSFET.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar, transistores de efecto de campo, JFET y MOSFET. El transistor de contacto puntual fue el primer transistor capaz de ganancia, mientras que el transistor de unión bipolar se fabrica sobre un sustrato semiconductor con zonas dopadas. Los transistores de efecto de campo como el JFET y MOSFET controlan la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta, con el MOSFET siendo el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
El documento describe el transistor MOSFET. Explica que los MOSFET tienen tres regiones de operación: la región de corte cuando no hay corriente, la región óhmica cuando actúa como una resistencia variable, y la región de saturación cuando mantiene una corriente constante independientemente de la tensión. También resume las ventajas de los MOSFET como su pequeño tamaño, proceso de fabricación simple, y su popularidad en aplicaciones electrónicas digitales y de potencia.
Este documento describe diferentes tipos de transistores como el transistor bipolar, JFET, MOSFET y fototransistor. Explica las zonas de funcionamiento del transistor bipolar como activa directa, saturación y corte, y cómo encontrar el circuito complementario PNP. También describe las características, componentes y funcionamiento básico del JFET, MOSFET y fototransistor.
Un transistor es un dispositivo semiconductor que puede amplificar o conmutar señales electrónicas. Los principales tipos de transistores son los transistores bipolares (BJT), los transistores de efecto campo (FET) como los MOSFET y JFET, y los transistores de potencia como IGBT y tiristores. Cada tipo tiene diferentes características de funcionamiento y aplicaciones comunes.
- El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos para amplificar señales y funcionar como conmutador. Existen diferentes tipos como los transistores de unión bipolar, de efecto de campo y fototransistores sensibles a la luz.
- Un transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza comúnmente como amplificador o conmutador en muchos aparatos electrónicos. Consiste en tres terminales (emisor, base y colector) que permiten controlar el flujo de corriente. Existen diferentes tipos como los transistores de unión bipolar, de efecto de campo y fototransistores sensibles a la luz.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo, HEMT, HBT y fototransistores. Los transistores son dispositivos semiconductores que cumplen funciones como amplificación, conmutación y rectificación, y se encuentran ampliamente en dispositivos electrónicos de uso diario. Los transistores bipolares (BJT) utilizan corriente para controlar la señal, mientras que los de efecto de campo (FET) usan voltaje para controlar la conductividad.
El documento describe cómo el MOSFET de enriquecimiento revolucionó la industria de los ordenadores debido a su capacidad de funcionar como un interruptor. Su tensión umbral permite conmutar fácilmente entre los estados de conducción y corte, lo que es fundamental para procesar datos digitales. Los circuitos CMOS que utilizan MOSFET complementarios consumen muy poca potencia y permitieron la miniaturización de los circuitos integrados, dando lugar a los ordenadores personales modernos. Los MOSFET de potencia se utilizan para controlar cargas de alta
Este documento describe dos tipos de transistores MOSFET y su configuración y polarización. Explica que los MOSFET de tipo de empobrecimiento funcionan cuando el voltaje de la compuerta es cero o negativo, mientras que los MOSFET de tipo de enriquecimiento requieren un voltaje positivo en la compuerta para conducir corriente. También describe las curvas de drenador características y los métodos comunes de polarización para cada tipo.
El documento describe los diferentes tipos de transistores. Resume los principales tipos como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de unión unipolar o JFET, y el transistor MOSFET. Explica brevemente el funcionamiento básico de cada uno y sus características clave.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de unión bipolar inventado en 1947, el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Actualmente los transistores se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de consumo y aplicaciones de potencia.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JFET, MOSFET, de contacto puntual, de unión bipolar, de unión unipolar, y fototransistores. Explica sus estructuras internas, principios de operación, y aplicaciones como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores.
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Describe transistores JFET, MOSFET, de contacto puntual, fototransistores y de unión bipolar, además de mencionar algunas compañías que venden dispositivos electrónicos.
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El documento presenta información sobre dos tipos de transistores de efecto de campo: JFET y MOSFET. Explica que el JFET controla la corriente de drenador mediante la tensión de puerta, y que su canal se cierra cuando la tensión de puerta supera un límite. El MOSFET funciona formando un canal entre drenador y fuente al aplicar tensión de puerta, permitiendo el paso de corriente, la cual se controla variando la tensión de drenador. Finalmente, compara las características eléctricas de ambos dispositivos
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario como radios, televisores, computadoras, teléfonos celulares, etc. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo, el fototransistor y el MOSFET. Los transistores se utilizan ampliamente en aplicaciones de electrónica de potencia como conversores estáticos de potencia
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo los transistores bipolares (BJT) y los transistores de efecto de campo (FET). Los BJT se fabrican comúnmente en silicio o germanio y tienen tres terminales (emisor, base y colector), mientras que los FET tienen tres terminales llamadas puerta, drenador y fuente. Los FET tienen mayores ventajas que los BJT, como mayor impedancia de entrada, menor ruido y mayor estabilidad con la temperatura. Ambos tipos de transistores se utilizan ampliamente en aplicaciones electr
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo como JFET, MOSFET y MESFET, así como HEMT, HBT y fototransistores. Explica sus características y funcionamientos básicos como dispositivos electrónicos amplificadores, conmutadores o rectificadores controlados por voltaje o corriente.
El documento describe 5 tipos diferentes de transistores: transistor, transistor de efecto de campo, transistor de unión bipolar, fototransistor, y transistor MOSFET. Cada tipo tiene características y funciones únicas como amplificador, conmutador o detector de luz. Los transistores se encuentran ampliamente en dispositivos electrónicos y cumplen un papel fundamental en su funcionamiento.
El MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Tiene cuatro terminales (surtidor, drenador, compuerta y sustrato), aunque a veces se considera de tres terminales. Es el transistor más utilizado en circuitos analógicos y digitales, y la base de los microprocesadores. Controla el flujo de corriente aplicando una tensión a la compuerta en lugar de una corriente como en los transistores bipolares.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares y de efecto de campo. Explica que los transistores bipolares consisten en tres regiones semiconductoras dopadas (emisor, base y colector) y pueden ser tipo NPN o PNP. También describe las características, símbolos y zonas de operación de los transistores JFET y MOSFET.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar, transistores de efecto de campo, JFET y MOSFET. El transistor de contacto puntual fue el primer transistor capaz de ganancia, mientras que el transistor de unión bipolar se fabrica sobre un sustrato semiconductor con zonas dopadas. Los transistores de efecto de campo como el JFET y MOSFET controlan la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta, con el MOSFET siendo el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
El documento describe el transistor MOSFET. Explica que los MOSFET tienen tres regiones de operación: la región de corte cuando no hay corriente, la región óhmica cuando actúa como una resistencia variable, y la región de saturación cuando mantiene una corriente constante independientemente de la tensión. También resume las ventajas de los MOSFET como su pequeño tamaño, proceso de fabricación simple, y su popularidad en aplicaciones electrónicas digitales y de potencia.
Este documento describe diferentes tipos de transistores como el transistor bipolar, JFET, MOSFET y fototransistor. Explica las zonas de funcionamiento del transistor bipolar como activa directa, saturación y corte, y cómo encontrar el circuito complementario PNP. También describe las características, componentes y funcionamiento básico del JFET, MOSFET y fototransistor.
Un transistor es un dispositivo semiconductor que puede amplificar o conmutar señales electrónicas. Los principales tipos de transistores son los transistores bipolares (BJT), los transistores de efecto campo (FET) como los MOSFET y JFET, y los transistores de potencia como IGBT y tiristores. Cada tipo tiene diferentes características de funcionamiento y aplicaciones comunes.
- El transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos para amplificar señales y funcionar como conmutador. Existen diferentes tipos como los transistores de unión bipolar, de efecto de campo y fototransistores sensibles a la luz.
- Un transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza comúnmente como amplificador o conmutador en muchos aparatos electrónicos. Consiste en tres terminales (emisor, base y colector) que permiten controlar el flujo de corriente. Existen diferentes tipos como los transistores de unión bipolar, de efecto de campo y fototransistores sensibles a la luz.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo, HEMT, HBT y fototransistores. Los transistores son dispositivos semiconductores que cumplen funciones como amplificación, conmutación y rectificación, y se encuentran ampliamente en dispositivos electrónicos de uso diario. Los transistores bipolares (BJT) utilizan corriente para controlar la señal, mientras que los de efecto de campo (FET) usan voltaje para controlar la conductividad.
El documento describe cómo el MOSFET de enriquecimiento revolucionó la industria de los ordenadores debido a su capacidad de funcionar como un interruptor. Su tensión umbral permite conmutar fácilmente entre los estados de conducción y corte, lo que es fundamental para procesar datos digitales. Los circuitos CMOS que utilizan MOSFET complementarios consumen muy poca potencia y permitieron la miniaturización de los circuitos integrados, dando lugar a los ordenadores personales modernos. Los MOSFET de potencia se utilizan para controlar cargas de alta
Este documento describe dos tipos de transistores MOSFET y su configuración y polarización. Explica que los MOSFET de tipo de empobrecimiento funcionan cuando el voltaje de la compuerta es cero o negativo, mientras que los MOSFET de tipo de enriquecimiento requieren un voltaje positivo en la compuerta para conducir corriente. También describe las curvas de drenador características y los métodos comunes de polarización para cada tipo.
El documento describe los diferentes tipos de transistores. Resume los principales tipos como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de unión unipolar o JFET, y el transistor MOSFET. Explica brevemente el funcionamiento básico de cada uno y sus características clave.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen diferentes tipos de transistores como el transistor de unión bipolar inventado en 1947, el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Actualmente los transistores se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de consumo y aplicaciones de potencia.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores JFET, MOSFET, de contacto puntual, de unión bipolar, de unión unipolar y fototransistores. Explica sus estructuras, símbolos y principios de operación.
Este documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión (JFET), transistores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), y transistores insulados de puerta bipolares (IGBT). Explica las características clave de cada tipo de transistor, como sus terminales, mecanismos de conducción, y aplicaciones comunes. También proporciona detalles sobre cómo los transistores MOSFET y JFET funcionan a nivel básico.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, de unión bipolar, de efecto de campo, MOSFET y JFET. Cada tipo tiene características únicas en términos de su construcción, funcionamiento y aplicaciones. Los transistores se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos modernos para funciones como amplificación, conmutación y control de potencia.
Este documento resume los principales tipos de transistores, incluyendo transistores de unión bipolar (BJT), transistores de efecto de campo (FET), transistores de unión unipolar (JFET), transistores de metal-óxido-semiconductor (MOSFET), fototransistores y el primer transistor de contacto puntual. Describe brevemente la estructura y funcionamiento de cada tipo de transistor.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar (NPN y PNP), transistores de efecto de campo (JFET, MOSFET, IGFET), y explica brevemente sus características y aplicaciones fundamentales.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, de efecto de campo como JFET y MOSFET, y fototransistores. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que funcionan como amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores, y se encuentran ampliamente en dispositivos electrónicos. También describe las diferencias clave entre los transistores bipolares y de efecto de campo.
Este documento describe el transistor de punto de contacto, el primer transistor inventado en 1947. Consta de una base de germanio con dos puntas metálicas que actúan como emisor y colector. Modula la resistencia vista en el colector a través de la corriente de base. También describe los transistores JFET y MOSFET, sus características y símbolos.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de unión bipolar, de contacto puntual, de efecto de campo (JFET y MOSFET), y fototransistores. Explica que el transistor es un dispositivo semiconductor que produce una señal de salida en respuesta a una señal de entrada y cumple funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentran en muchos aparatos electrónicos de uso diario.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET), transistores bipolares (BJT), transistores de unión bipolar aislada (IGBT), fototransistores y transistores uniunión. Explica las características clave de cada tipo de transistor como sus terminales, mecanismos de operación y aplicaciones comunes.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de contacto puntual, transistores de unión bipolar, transistores JFET, y transistores MOSFET. Explica las definiciones, características y funciones de cada tipo de transistor.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo de unión (JFET), el transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y el fototransistor. Explica brevemente sus características y usos.
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares NPN y PNP, transistores de efecto de campo como JFET y MOSFET, y fototransistores. Explica las características clave y usos de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo semiconductor que cumple funciones como amplificador, oscilador o conmutador. Existen varios tipos de transistores como el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo y el transistor MOSFET. Cada uno tiene características específicas en su diseño y funcionamiento.
El documento describe el transistor de unión bipolar (BJT), el cual se fabrica sobre un sustrato de semiconductor como silicio o germanio. Contiene tres zonas contaminadas que forman dos uniones PN, dando como resultado transistores PNP o NPN. La configuración de las uniones PN determina el comportamiento del transistor como dispositivo semiconductor.
El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de unión bipolar, el transistor de efecto de campo de unión (JFET), y el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET). El MOSFET es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El documento resume los diferentes tipos de transistores, incluyendo el transistor de contacto puntual inventado en 1947, el transistor de unión bipolar fabricado sobre un sustrato semiconductor, el transistor de efecto de campo que controla la corriente mediante una tensión aplicada a la puerta, y el fototransistor que puede regular su corriente mediante la luz incidente.
El documento describe los transistores de efecto de campo JFET y MOSFET. Los JFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta-fuente, formando un canal variable entre drenador y fuente. Los MOSFET controlan la corriente mediante la tensión de puerta, formando un canal mediante acumulación o deplexión de portadores en el sustrato entre drenador y fuente. Ambos se usan comúnmente como interruptores, amplificadores y en circuitos digitales.
El documento proporciona información sobre diferentes tipos de transistores, incluyendo sus características y usos. Describe los transistores JFET, MOSFET, Bipolar y Fototransistor, explicando que son dispositivos semiconductores que amplifican señales eléctricas. Se usan ampliamente en electrónica para funciones como amplificación, conmutación y detección de luz.
Este documento describe la nanoelectrónica y sus aplicaciones. Explica que la nanoelectrónica utiliza métodos a escala atómica para desarrollar máquinas a nanoescala y reducir el tamaño de los componentes electrónicos. También discute que la nanoelectrónica se aplica en hardware de computadoras, dispositivos de visualización, comunicaciones, audio y cámaras. Además, presenta algunos avances recientes como detectores de explosivos ultrasensibles y la generación de energía a partir del sonido usando nanotec
El presidente del Ceplan advirtió que el Perú tendrá una gran brecha de acceso a banda ancha en los próximos 20 años en comparación con el mundo y América Latina, por lo que llamó a las autoridades a implementar medidas para revertir esta tendencia. La red dorsal de fibra óptica que se implementará a nivel nacional favorecerá la caída de los precios de Internet en provincias, empezando por las capitales y luego los distritos. El proyecto tendrá una inversión de 350 millones de dólares entre 2014 y 2016 para
La pantalla de cristal líquido (LCD) se compone de varios componentes clave como el puente rectificador, el condensador de filtro, y el transformador SMPS que convierten la corriente alterna en corriente continua de bajo voltaje para alimentar de manera eficiente la pantalla. Otros componentes como los diodos Schottky y los condensadores de filtro de salida ayudan a cargar y descargar la tensión de manera óptima. Juntos, estos componentes electrónicos sincronizan para crear imágenes nítid
Este documento describe un circuito integrado de amplificador de audio de 10W que utiliza un solo circuito integrado TDA2003. El circuito puede proporcionar hasta 10W de potencia a una carga entre 2 y 8 ohmios. Para lograr la máxima potencia de 10W, se necesita una carga de 4 ohmios y una entrada de al menos 1Vpp. El circuito integrado TDA2003 requiere un disipador de calor adecuado para evitar daños térmicos.
El documento describe los componentes básicos de un circuito amplificador. Explica que un amplificador es un bloque funcional importante en sistemas electrónicos y que amplifica señales de entrada de pequeña amplitud. Describe que los transistores son componentes clave que pueden formar el núcleo de muchos amplificadores y cómo funcionan los semiconductores en los transistores.
Este documento describe un circuito rectificador de media onda que convierte una señal de corriente alterna (CA) en una señal de corriente continua (CC). El circuito rectifica a cero los semiciclos de una polaridad en la señal de CA y deja igual los semiciclos de la polaridad opuesta. Se muestra el esquema básico del circuito rectificador de media onda y las formas de onda correspondientes.
El documento describe diferentes tipos de diodos, incluyendo diodos Zener, rectificadores, LED, Schottky, túnel y varicap. Explica brevemente el funcionamiento de cada uno y proporciona su símbolo respectivo.
Este documento describe diferentes tipos de diodos semiconductor, incluyendo diodos rectificadores, diodos Zener y diodos túnel. Explica las características clave de cada uno, como su curva de tensión-corriente y sus aplicaciones principales. El diodo Zener se usa comúnmente como regulador de tensión debido a que mantiene un voltaje constante, mientras que el diodo túnel tiene una zona de resistencia negativa que lo hace útil para aplicaciones de alta velocidad como osciladores.
Este documento describe la conmutación de diodos y cómo se puede usar un diodo de unión PN como interruptor. Para que un diodo pueda conmutar rápidamente, debe tener muy pocas cargas fijas o portadores con un tiempo de vida muy corto. A medida que aumenta la frecuencia, el tiempo de conmutación de un diodo normal puede ser demasiado bajo.
Los semiconductores tienen una banda prohibida menor a 2 eV, lo que les da una conductividad intermedia entre los metales y los aislantes. A temperatura ambiente, los electrones en los semiconductores intrínsecos ocupan niveles en la banda de conducción, haciéndolos conductores. Los semiconductores extrínsecos o dopados aumentan su conductividad mediante la adición controlada de impurezas donadoras o aceptoras.
Este documento proporciona un enlace a una tabla de códigos de colores para valores de resistencia y pide al lector que complete una tabla con tres valores de resistencia basados en los códigos de colores provistos: negro marrón rojo plateado corresponde a 100 ohms con un 10% de tolerancia, rojo azul negro dorado corresponde a 26 ohms con un 5% de tolerancia, y verde amarillo rojo plateado corresponde a 5.4 kilohms con un 10% de tolerancia.
El documento describe las propiedades del silicio, germanio y galio. El silicio tiene una estructura cristalina covalente y es un semiconductor. Se usa para producir chips y dar resistencia a aleaciones. El germanio tiene una estructura cristalina similar al diamante y es un semiconductor con pequeña banda prohibida que responde a infrarroja. Se aplica en transistores, quimioterapia y detectores. El galio tiene estructura ortorrómbica y se emplea en semiconductores, diagnóstico médico y aleaciones de b
2. El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor
(«resistencia de transferencia»). Actualmente se
encuentran prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, etc.
3. TRANSITOR DE CONTACTO PUNTUAL
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por
John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y
el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de
«transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.
4. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en
inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el
diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son
del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos»
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o
Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
5. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en
inglés, que controla la corriente en función de una tensión;
tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido
mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada,
IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal
mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde
MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso
la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
6. FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores son sensibles a la radiación
electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz
visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado
por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB)
(modo común)
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP)
(modo de iluminación).
8. Ventajas del FET:
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre
debido a la alta capacidad de entrada.
Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general
son menos lineales que los BJT.
Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
Desventajas del FET:
Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia
de entrada muy elevada (107 a 1012Ω).
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues
precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en
un C1.
Los FET se comportan como resistencias controlados por
tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener
carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como
elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.
9. Estructura de los JFET
Barra semiconductora con contactos óhmicos en los
extremos
Puerta o elemento de control muy impurificado con
portadores distintos a los de la barra
Elementos: Fuente o surtidor (S), Drenador (D), Puerta
(G), y Canal (región situada entre las dos difusiones de
puerta
La tensión puerta surtidor (VGS) polariza inversamente las
uniones
La corriente entre
Drenado (D) y
Fuente (S) se
controla mediante
el campo creado
por la polarización
inversa aplicada a
la puerta (G)
11. a) Esquema de la estructura de un JFET de canal
tipo n. b) Esquema de un transistor JFET de canal
n fabricado según la tecnología planar. c) Símbolo
de circuitos de un JFET de canal n
12. Esquema de la sección transversal de
un JFET operando en la región lineal.
En la parte superior se muestra la
variación del voltaje V(x) a lo largo del
canal para un JFET de canal n.
14. Transistor de unión metal - semiconductor (MESFET)
El MESFET fué propuesto por Mead en 1966, y aunque su
funcionamiento es conceptualmente similar al JFET
discutido más arriba, desde un punto de vista práctico
puede operar a frecuencias bastante más altas, en la
región de las microondas. A diferencia del JFET, el
electrodo de puerta está formado por unión metal -
semiconductor (de ahí el nombre de MESFET) de tipo
Schottky en lugar de unión p-n
Esquema de la estructura de un transistor tipo
MESFET. El contacto de puerta está formado por
una unión metal- semiconductor, tipo Schottky
15. EL MOSFET COMO CARGA ACTIVA.
MOSFET de enriquecimiento como carga activa.
Si se conecta el drenaje y la puerta de un MOSFET de enriquecimiento (figura 5.04) el
funcionamiento queda fijado en la zona de estrangulación del canal pero el dispositivo
se comporta como una resistencia no lineal que puede ser utilizada como carga para
polarizar otro MOSFET de enriquecimiento.
16. Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de
campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son dispositivos
más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se
construyen con la tecnología MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal
N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de
acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están
prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación
también conocidos como de enriquecimiento.
En la figura 1.15 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro
terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a
la fuente. La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si02)
formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensión positiva en
la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un
camino de conducción entre los terminales drenador y fuente.
La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de
threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de
drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son de de 0.5 V a 3 V.
17. CONCLUSIONES
En esta entrega nos introdujimos en el mundo de los transistores MOSFET, presentando a
aquel que más se utiliza en la fuentes de alimentación modernas: el MOSFET de
empobrecimiento de canal N. En efecto, éste es el más adecuado para realizar llaves
digitales y salvo cuando se necesiten MOSFET complementarios, los otros no tienen
aplicación práctica. Si Ud. Desea más información sobre este tema, la puede tomar sin cargo
de nuestra web, con la clave “mosfet”.