Este documento describe diferentes tipos de transistores como BJT, MOSFET, JFET, HBT y sus características. Los transistores BJT están formados por dos junturas PN y tres regiones: emisor, base y colector. Los transistores MOSFET tienen tres terminales llamadas puerta, fuente y drenaje. Los transistores HBT son diseñados para aplicaciones de alta frecuencia y potencia debido a su alto rendimiento, eficiencia y linealidad.

1.  Carrera: Ing. De sistema
 Alumno: Jonathan Luis
Luna Barrientos
 Curso: Física Electrónica
 Tema: transistores
 Ciclo: IV

2.  Corrientes en un transistor de unión BJT
 Un transistor de juntura bipolar está formado por dos junturas PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta forma quedan
formadas tres regiones
 :Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxia.
 En su funcionamiento normal, la juntura base-emisor está polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector.

3.  Cuando funciona como amplificador suministra una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:
 Por el terminal del control no se absorbe corriente
 Una señal muy débil puede controlar el componente
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico
Existen dos transistores de efecto de campo los JFET ( transistores de efecto de
campo de unión ) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares
ocupan menos espacio por lo que su aplicación mas frecuente la encontramos
en los circuitos integrados
Es un componentes de tres terminales que se denominan: Puerta (G Gate )
fuente (S source) y Drenaje (D, Drain) según su construcción pueden ser de
canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes :

4.  Transistores Mosfet
características :
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

5.  Transistores Mosfet

6.  características
 El HBT tiene como principales características un alto rendimiento en
frecuencia, alta eficiencia y buena linealidad de la señal.
 Los HBT están diseñados para utilizarse en dispositivos de potencia
o de alta frecuencia, debido a sus características que incluyen
soporte altos voltajes de ruptura, altas densidades de corriente y
una buena uniformidad en el voltaje umbral.
 Kopin es una compañía de desarrollo y manufactura de tecnologías
de imagen digital y telecomunicaciones, los cuales son
comercializados a nivel mundial.
 La compañía provee obleas de HBT de 4 y 6 pulgadas, para clientes
que utilizan estos transistores en una gran variedad de aplicaciones,
principalmente en telefonía celular y redes

7.  La composición más habitual de estos transistores es una combinación de Arseniuro
de galio, Ga As, con Arseniuro de galio-aluminio, AlGaAs; aunque existe una gran
variabilidad en función de la aplicación a la que se destine. Existen transistores que
contienen Indio, que generalmente presentan mejores rendimientos a altas
frecuencias, mientras que recientemente se han introducido transistores con Nitrito de
Galio, GAN, que presentan mejor rendimiento en alta potencia.
 Las aplicaciones de estos transistores son similares a los
transistores MESFET, telecomunicación en las bandas de microondas y de onda
milimétrica, radar, radioastronomía y en general en cualquier aplicación que requiera
de alta ganancia y bajo ruido a altas frecuencias
 Habitualmente, los dos materiales distintos usados en una heterounión deben tener el
mismo parámetro de red, es decir, sus estructuras cristalinas deben ser
prácticamente iguales

8.  Link
 https://www.google.com.pe/search?um=1&hl=es&biw=1360&bih=667&tbm=isch&sa=1&q=t
ransistor+HBT&oq=transistor+HBT&gs_l=img.3..0i24.1190175.1198687.0.1198873.14.10.0.
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ganancia-hbt-de-ingap%252F%3B371%3B238
 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistores_HEMT
 http://www.electronicosonline.com/2005/04/05/Medio-millon-de-obleas-HBT/?imprimir=true
 http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
 http://gambox-bjt.blogspot.com/2009/09/teoria.html