Transistores JFET MOSFET

1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
"Año de la Inversión para el Desarrollo Rural y la Seguridad Alimentaria"
TRANSISTORES
CARRERA : Ingeniería de Sistemas e Informática
CURSO : Física Electrónica
CICLO : IV
DOCENTE : Jorge Carmona Espinoza
ALUMNO : Carlos Cahuana Espinoza
Mayo del 2015

2. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso
diario.

3. TRANSISTOR JFET
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores
eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de
los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del
transistor presentará una curva cara

5. TRANSISTOR MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas ,es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.

7. TRANSISTOR IGBT
Es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
Usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada,
control de la tracción en motores y cocina de inducción.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la
capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la
corriente de base para mantenerse en conducción.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La
tensión de control de puerta es de unos 15 V.

9. TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPOEl transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que
controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de
entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una
unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-
Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está
separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

13. TRANSISTOR DE UNION
BIPOLARLa denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos)
Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de
saturación y estado de actividad.