2. TIPOS DE TRANSISTORES
1-Transistor de contacto puntual
2-Transistor de unión bipolar
3-Transistor de efecto de campo
3.1. Transistor de Efecto Campo de Unión (Jfet O Fet)
3.2. Transistor de Efecto Campo Metal-Oxido (Mosfet)
4. Fototransistor
3. 1-Transistor de contacto puntual - Descripción
El transistor. Dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio
de funcionamiento se basa en la Física de los Semiconductores. Este
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador
6. 2-Transistor de Unión Bipolar – Descripción
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales.
Un transistor de unión bipolar consiste en
tres regiones semiconductoras dopadas: la
región del emisor, la región de la base y la
región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en
un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor
NPN.
Cada
región
del
semiconductor está conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B)
o colector (C), según corresponda.
7. 2-Transistor de Unión Bipolar – Descripción
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras
dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo
N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está
conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C),
según corresponda.
9. 3.1. Transistor de Efecto Campo de Unión (Jfet O Fet)
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo
de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según
unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el
caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S
(fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará
una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
10. 3.1. Transistor de Efecto Campo de Unión – Ficha Técnica
Transistor JFET interruptor canal N en
montaje superficial SOT23 MMBF4117
11. 3.2. Transistor de Efecto Campo Metal-Oxido - Descripción
Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
(MOSFET). Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso
comercial están basados en transistores MOSFET.
13. 4. FotoTransistor - Descripción
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los
infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en
ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El
fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
14. 4. FotoTransistor - Descripción
Materiales utilizados en la construcción de un
fotodiodo para su utilización