DIODO ZENER
Puede estar polarizado tanto en
directa como inversamente.
• En directa se comporta como una
pequeña resistencia.
• En inversa se comporta como
una gran resistencia.
SIMBOLO
UNIÓN P-N SIMBOLO
UNIÓN P-N de silicio.
Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha
perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente.
Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con
lo que queda cargada negativamente.
Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente,
rechazará a los huecos de la zona P que quieren atravesar la
unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión impedirá el
paso de los electrones provenientes de la zona N.
Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de
potencial llamada "Barrera de potencial interna", que
impide el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no
pudiendo existir corriente.
TRANSISTOR DE
CONTACTO PUNTUAL
Primer transistor, consta de una base
de germanio semiconductor, sobre la
que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y
el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se
"ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe
podía desplazar las puntas) y ruidoso,
en la actualidad ha desaparecido.
FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es igual a
un transistor común, con la
diferencia que el primero
puede trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal
con la corriente de base Ib
(modo común).
2.- Como fototransistor,
cuando la luz que incide en
este elemento hace las
veces de corriente de base.
Ip (modo de iluminación).
DISIPADORES DE CALOR
Un disipador es un componente metálico
generalmente de aluminio que se utilizan para evitar
que los transistores bipolares se calienten y se
dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un
transistor es deshacerse del calor interno del
encapsulado.

Transistores

  • 1.
    DIODO ZENER Puede estarpolarizado tanto en directa como inversamente. • En directa se comporta como una pequeña resistencia. • En inversa se comporta como una gran resistencia. SIMBOLO
  • 2.
    UNIÓN P-N SIMBOLO UNIÓNP-N de silicio. Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente. Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la zona P que quieren atravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión impedirá el paso de los electrones provenientes de la zona N. Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no pudiendo existir corriente.
  • 3.
    TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL Primertransistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.
  • 4.
    FOTOTRANSISTOR Un fototransistor esigual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: 1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común). 2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
  • 5.
    DISIPADORES DE CALOR Undisipador es un componente metálico generalmente de aluminio que se utilizan para evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen. Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse del calor interno del encapsulado.