Este documento trata sobre la conmutación de diodos. Explica que para que un diodo funcione como interruptor, debe minimizarse la corriente inversa y la tensión umbral, y debe tener muy pocas cargas fijas o portadores de vida corta. También habla sobre cómo añadir metales para reducir los portadores a altas frecuencias. Luego describe parámetros de diodos de silicio y cómo funciona la polarización directa de una unión PN, reduciendo la barrera de potencial.

1. CONMUTACIÓN DEL DIODO
Es importante minimizar la corriente inversa y la tensión umbral, un diodo de
unión se puede usar como interruptor, el tiempo que existe entre conexión y
desconexión tiene que ser cero, el diodo debe tener muy pocas cargas fijas o
portadores con un tiempo de vida muy corto, para fabricar diodos de
conmutación se añade el semiconductor un metal que sea eficaz para disminuir
los portadores;
A una frecuencia baja un diodo normal se puede conmutar cuando la
polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que incrementa la
frecuencia el tiempo de conmutación el tiempo puede ser muy bajo, poniendo
en peligro el dispositivo de diodos
Diodos de silicio
En la applet podemos editar los parametros , parametros circuito , aparecera
una ventada donde podemos editar los numeros ; tension directa ( vf) , la
tension inversa ( vr) y ohm y parametros de diodo donde podemos cambiar la
tension de disrupcion , zona dipolar , difusion huecos , difusion electrones

2. Diodo de union PN polarizado
Una polarizacion es p-n directa se da cuando la region p tiene la potencial
mayor que la region n .
En la
figura se
debe
desconectar el polo positivo de la bateria al anodo del diodo y el polo negativo
al catodo

3. En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:
Loshuecosdelaregiónpyloselectronesdelaregiónnsonempujadoshaciala
unión por el campo eléctrico Epola que da lugar la polarización. Por lo
tanto, se reduce la anchura de la zona de transición.
ElcampoeléctricodelapolarizaciónEpol seoponealdelauniónEu.Así,se
reduceelcampoeléctricodelaunión y, consecuentemente, la barrera de
potencial.Recordarque,como vimosenelTema 4, la barrera de potencial
sin polarizaciónesVJ=Vo.Conlapolarizacióndirectadelauniónp-
nsereduceen laformaVJ=Vo-V,siendoV
latensióndirectaaplicadaadichaunión,talycomo se muestra en la figura
siguiente.
En la applet podemos ver la union polarizada donde podemos seleccionar y
deseleccionar las casilas de recombinacion , electrones , arrastre , difusion ,
huecos

4. La ley de shockley
Es un dispositivo de 2 terminales que tiene 2 estados estables, uno de bloqueo
o de alta impedancia y de conducción o baja impedancia Está formado por
cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente. Es
un tipo de tiristor la característica Tensión-Corriente (V-I) se muestra en la
figura. La región I es la región de alta impedancia y la III, la región de baja
impedancia. Para pasar del estado apagado al de conducción, se aumenta la
tensión en el diodo hasta alcanzar la tensión de conmutación, denominada Vs.
La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente
que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo
equilibrio en la región III (Punto B). Para volver al estado apagado, se
disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En
ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la
corriente, mientras aumenta la tensión en sus terminales, cruzando la región II,
hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región I (Punto A). La tensión
inversa de avalancha es denominada Vrb
En la applet podemos observar el flujo de corriente de la unión, podemos
seleccionar recombinación, corrientes, parámetros