2. Transistor de efecto de campo de unión (JFET), o transistor
unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se
construyó el primer transistor práctico de efecto de campo.
Se puede considerar a este dispositivo como si fuese una
barra, o canal, de material semiconductor de silicio de
cualquiera de los tipos N o P. En cada extremo de la barra se
establece un contacto óhmico, que representa un transistor
de efecto de campo tipo N en su forma más sencilla. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N (desde
los extremos opuestos del canal N) y se conectan
externamente entre sí, se produce una puerta o graduador.
Un contacto se llama surtidor y el otro drenador. Si se aplica
una tensión positiva entre el drenador y el surtidor y se
conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente.
Esta corriente es la más importante en un dispositivo de
efecto de campo y se le denomina corriente de drenador
con polarización cero (IDSS).Finalmente, con un potencial
negativo de puerta denominado tensión de
estrangulamiento (pinch-off) cesa la conducción en el canal.

3. Es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas. Es el transistor
más utilizado en la industria microelectrónica,
ya sea en circuitos analógicos o digitales,
aunque el transistor de unión bipolar fue
mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro
terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el
sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal del surtidor, y por
este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.

4. Es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de
circuitos integrados. Su principal característica consiste en la
utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo
nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo,
el consumo de energía es únicamente el debido a las
corrientes parásitas, colocado obviamente en la placa base.
En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que
se fabrican utilizan la tecnología CMOS. Esto incluye
microprocesadores, memorias, procesadores digitales de
señales y muchos otros tipos de circuitos integrados
digitales cuyo consumo es considerablemente bajo.
drenador (D) conectada a tierra (Vss) (0), el valor 0 no se
propaga al surtidor (S) y por lo tanto a la salida de la puerta
lógica. El transistor pMOS, por el contrario, está en estado
de conducción y es el que propaga un '1' (Vdd) a la salida.
Otra de las características importantes de los circuitos CMOS
es que son regenerativos: una señal degradada que acometa
una puerta lógica CMOS se verá restaurada a su valor lógico
inicial 0 ó 1, siempre y cuando aún esté dentro de los
márgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

5. El transistor de efecto campo (Field-Effect
Transistor o FET, en inglés) es en realidad
una familia de transistores que se basan en
el campo eléctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por
diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando
las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la
oblea monocristalina semiconductora como
la región activa o canal. La región activa de
los TFT (thin-film transistor, o transistores
de película fina) es una película que se
deposita sobre un sustrato (usualmente
vidrio, puesto que la principal aplicación de
los TFT es como pantallas de cristal líquido
o LCD).

6. Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar
el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son
de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y
se usan generalmente en electrónica analógica aunque
también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones
PN en un solo cristal semiconductor, separados por una
región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:
EMISOR: que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
BASE: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
COLECTOR: de extensión mucho mayor.