1. ALUMNO: DILFOR ZEVALLOS ZARATE
CARRERA: ING. DE SISTEMAS

2. » El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la contracción
en inglés de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos domésticos
de uso diario: radios, televisores, grabadoras,
reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavadoras, automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
ordenadores, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos,
ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos celulares,
etc.

4. » El transistor de unión unipolar, también llamado
de efecto de campo de unión (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la
práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre sí,
se producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando a puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el
canal.

5. » El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que
controla la corriente en función de una tensión; tienen alta
impedancia de entrada.
» Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante
una unión PN.
» Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que
la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
» Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa
Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y
está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

6. » Los fototransistores son
sensibles a la radiación
electromagnética en
frecuencias cercanas a la
de la luz visible; debido a
esto su flujo de corriente
puede ser regulado por
medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un
transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2
maneras diferentes:

7. » Como un transistor normal con la corriente
de base (IB) (modo común).
» Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).

8. » Llamado también transistor de
punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por
J. Bardeen y W. Brattain. Consta
de una base de germanio,
semiconductor para entonces
mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas
que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia
que se "ve" en el colector, de ahí
el nombre de "transfer resistor".

9. » Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe
podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivió con el transistor de unión (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.

10. CARACTERISTICAS
» Los valores máximos absolutos TC = 25 ° C a
menos que se indique lo contrario
» Símbolo de los parámetros NDP6030PL
NDB6030PL unidades
» VDSS drenaje-fuente de tensión -30 V
» VGSS puerta-fuente de tensión - Continuo ± 16 V
» Identificación Consumo de corriente - continua -
30 A
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
» RqJC Resistencia térmica, conexión a Caso 2 ° C /
W
» RqJA Resistencia térmica, Junction-a-ambiente
62.5 ° C / W
» NDP6030PL Rev.B1
» Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5 V
» RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.
» Críticos de los parámetros eléctricos de corriente
continua especificadas a temperaturas elevadas

12. » Popular Fairchild JFET transistor para los
pedales de guitarra y preamplificadores en
un caso de TO-92.Compatible con RoHS.

14. CARACTERISTICAS
» Material: Si
» La estructura de transistor: npn
» Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 117W
» Limite el colector DC-base (Ucb): 110V
» Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 100V
» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 7V
» Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 15A
» Temperatura límite de unión pn (Tj): 200°C
» Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -
» Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 20/70
» Fabricante: KELTRON
» Caso: TO3

15. CARACTERISTICAS
» Material: Si
» La estructura de transistor: npn
» Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 75W
» Limite el colector DC-base (Ucb): 70V
» Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 60V
» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 8V
» Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 10A
» Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
» Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -
» Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 20/80
» Fabricante: STI
» Caso: TO220

16. CARACTERISTICAS
» Material: Si
» La estructura de transistor: npn
» Máxima disipación de potencia continua
colector del transistor (Pc): 3.5W
» Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
» Límite de colector-emisor del transistor de
tensión (Uce): 40V
» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
» Máxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 1A
» Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
» Frecuencia de corte de la relación de
transferencia corriente del transistor (Ft):
60MHz
» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf:
25
» Estática coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor común
(Hfe), min/max: 40/300
» Fabricante: PHO
» Caso: TO126