2. TRANSISTORES (BJT) - MATRICES
DST3906DJ
Hojas de datos DST3906DJ
Envase estándar 1
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores (BJT) - Matrices
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de transistor 2 PNP (doble)
Corriente de colector (Ic) máx. 200 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 40 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 400 mV a 5 mA, 50 mA
Corriente de corte del colector (máx.) -
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 100 a 10 mA, 1 V
Potencia máxima 300 mW
Frecuencia - Transición 300 MHz
Tipo de montaje Montaje en superficie
Otros nombres DST3906DJ-7DIDKR
3. DST3904DJ
Hojas de datos DST3904DJ
Envase estándar 10,000
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores (BJT) - Matrices
Serie -
Empaquetado Cinta y rollo (TR)
Tipo de transistor 2 NPN (doble)
Corriente de colector (Ic) máx. 200 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 40 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300 mV a 5 mA, 50 mA
Corriente de corte del colector (máx.) -
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 100 a 10 mA, 1 V
Potencia máxima 300 mW
Frecuencia - Transición 300 MHz
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete/Encapsulado SOT-963
Paquete de dispositivo de proveedor SOT-963
Otros nombres DST3904DJ-7DITR
DST3904DJ7
4. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE
JUNTURA (JFET)
2SK275100L
Hojas de datos 2SK275100L View all Specifications
Fotos de productos SOT-23-3
Planos de catálogo Mini Pkg 3-pin
Envase estándar 3,000
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0) 1.4µA a 10 V
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) -
Consumo de corriente (Id) - Máximo 10 mA
Tipo FET Canal N
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS) -
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id 3.5 V a 1µA
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5 pF a 10 V
Resistencia - RDS (activado) -
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete/Encapsulado TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo de proveedor Mini3-G1
Potencia máxima 200 mW
Otros nombres 2SK275100LTR
5. TRANSISTORES DE RF (BJT)
MMBTH10
Hojas de datos MMBTH10
Fotos de productos SOT23
Planos de catálogo SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
PCN Design/Specification Green Encapsulate 15/May/2008
Envase estándar 1
Categoría Productos semiconductores discretos
Familia Transistores de RF (BJT)
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT)
Tipo de transistor NPN
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.)
25 V
Frecuencia - Transición 650 MHz
Cifra de ruido (dB típ. a f) -
Ganancia -
Potencia máxima 300 mW
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 60 a 4 mA, 10 V
Corriente de colector (Ic) máx. 50 mA
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete/Encapsulado TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo de proveedor SOT-23-3
Otros nombres MMBTH10-FDICT
