Descripción Técnica de los Transistores donde se detallan las cpacidades en los voltajes

1. FICHA TÉCNICA DE
TRANSISTORES
Detalles de Transistores

2. UNIVERSIDAD PRIVADA
TELESUP
 CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA
 ESTUDIANTE: CRISTIAN ALONSO
PERALTA GUZMÁN
 SEDE: TRUJILLO

3. Transistor JEFT
 Número de Parte: BC548
 Material: Si
 Polaridad de transistor: NPN
 ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
 Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5
 Tensión colector-base (Ucb): 30
 Tensión colector-emisor (Uce): 30
 Tensión emisor-base (Ueb): 5
 Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1
 Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
150
 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 Producto de corriente -- ganancia —
ancho de banda (ft): 300
 Capacitancia de salida (Cc), pF: 6
 Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
 Empaquetado / Estuche: TO92
Fuente: http://www.goldmine-elec-products.
com/prodinfo.asp?numb
er=G15045

4. TRANSISTOR JEFT

5. TRANSISTOR MOFET
 Número de Parte: IRF840
 Tipo de FET: MOSFET
 Polaridad de transistor: N
 ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
 Disipación total del dispositivo (Pd):
125
 Tensión drenaje-fuente (Uds): 500
 Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20
 Corriente continua de drenaje (Id): 8
 Temperatura operativa máxima (Tj),
°C: 150
 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 Tiempo de elevación (tr):
 Conductancia de drenaje-sustrato
(Cd), pF: 1500
 Resistencia drenaje-fuente RDS
(on), Ohm: 0.85
 Empaquetado / Estuche: TO220
http://www.electronicrepai
rguide.com/mosfet-testing.
html

6. TRANSISTOR MOFET

7. TRANSISTOR IGBT
 Número de Parte: RJH60F5DPK
 Polaridad de transistor: N-Channel
 ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
 Disipación total del dispositivo (Pc):
 Tensión colector-emisor (Uce): 600V
 Voltaje de saturación colector-emisor
(Ucesat): 1.37V
 Tensión emisor-compuerta (Ueg):
 Corriente del colector DC máxima
(Ic): 80A
 Temperatura operativa máxima (Tj),
°C:
 Tiempo de elevación: 85
 Capacitancia de salida (Cc), pF:
 Empaquetado / Estuche: TO3P
http://http://www.tme.eu/e
n/katalog/igbt-transistors_
112840/

8. TRANSISTOR IGBT

9. TRANSISTOR TDT
 Número de Parte: IRFP064N
 Tipo de TDET
 Polaridad de transistor: N
 ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
 Disipación total del dispositivo (Pd):
200
 Tensión drenaje-fuente (Uds): 55
 Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20
 Corriente continua de drenaje (Id):
110
 Temperatura operativa máxima (Tj),
°C: 175
 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 Tiempo de elevación (tr):
 Conductancia de drenaje-sustrato
(Cd), pF: 4000
 Resistencia drenaje-fuente RDS
(on), Ohm: 0.008
 Empaquetado / Estuche: TO247
httphttp://www.ebay.com/it
m/2SA1012-
TRANSISTOR-A1012-
2SA-1012-TO-220-
/321448250761

10. TRANSISTOR TDT

11. TRANSISTOR DE
POTENCIA
 Número de Parte: 2N222 POTENCIA
 Material: Ge
 Polaridad de transistor: PNP
 ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
 Disipación total del dispositivo (Pc): 0.07
 Tensión colector-base (Ucb): 15
 Tensión colector-emisor (Uce): 12
 Tensión emisor-base (Ueb): 0
 Corriente del colector DC máxima (Ic):
0.07
 Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
85
 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 Producto de corriente -- ganancia —
ancho de banda (ft): 0.4
 Capacitancia de salida (Cc), pF: 70
 Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
 Empaquetado / Estuche: TO1
http://david-electronica-itca.
blogspot.com/p/comp
onentes-de-la-electronica.
html

12. TRANSISTOR DE
POTENCIA

13. FUENTE
 http://www.microelectronicash.com/
 http://www.ifent.org/lecciones/zener/de
fault.asp
 http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-
y-transistores-15335