1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERIA DE SISTEMAS E INFORMATICA
“TRANSISTORES"
CURSO : Física Electrónica
CICLO : IV to.
PROFESOR : Carrasco Sajami Eusebio
ALUMNO : Ramirez Huaman Miguel Angel
2012
LIMA – PERU

2. MOSFET N
CH, TRANS
PNP, SOT1118
Fabricante:
NXP Código
Farnell:
2053837
Referencia
de fabricante:
PBSM5240P
F

3. INFORMACIÓN DEL
PRODUCTO
MOSFET N CH, TRANS
PNP, SOT1118
Transistor Polarity: PNP + N
MOSFET
Continuous Drain Current Id:
660mA
Drain Source Voltage Vds: 30V
On Resistance Rds(on):
0.37ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V
Threshold Voltage Vgs Typ:
700mV
Power Dissipation Pd: 1.1W
Operating Temperature Range:
-55°C to +150°C
Transistor Case Style: SOT-
1118

4. LEGISLACIÓN Y
MEDIOAMBIENTE
Conformidad RoHS: Sí
Certificado de
Conformidad RoHS
Peso (kg): 0.000007
Partida arancelaria:
85412900
País de origen: CN China
País donde se realizó la
mayor parte del proceso
de producción

5. TRANSISTOR,
JFET
FAIRCHILD
SEMICONDUCTO
Fabricante:
R
FAIRCHILD
SEMICONDU
CTOR
Código
Farnell:
1017644
Referencia
de fabricante:
2N3819

6. INFORMACIÓN DEL PRODUCTO
TRANSISTOR, JFET, N, TO-92
Tipo de transistor: JFET
Breakdown Voltage Vbr: 25V
Zero Gate Voltage Drain Current
Idss: 2mA to 20mA
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off)
Max: 8V
Power Dissipation Pd: 350mW
Transistor Case Style: TO-92
N.º of Pins: 3
SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Código de aplicación: GPA
Corriente Idss máx.: 20mA
Corriente Idss mín.: 2mA
Current Ig: 10mA
Marcador: 2N3819

7. INFORMACIÓN DEL PRODUCTO
Drain Source Voltage Vds: 25V
Forward Transconductance Gfs Max:
6.5mA/V
Full Power Rating Temperature:
25°C
Gfs Min: 2mA/V
N.º of Transistors: 1
Operating Frequency Range: 1MHz
to 500MHz
Package / Case: TO-92
Configuración de pines: K
Formato de pin: K
Power Dissipation Pd: 350mW
Power Dissipation Ptot Max: 200mW
Tipo de terminación: Agujero pasante
Polaridad del transistor: Canal N

8. IGBT, 600V
INTERNATIONA
L RECTIFIER
Fabricante:
INTERNATION
AL RECTIFIER
Código
Farnell:
1909595
Referencia de
fabricante:
AUIRG4BC30
S-S

9. INFORMACIÓN DEL
PRODUCTO
IGBT, 600V, 34A, 100W, D
2PAK
Transistor Type: IGBT
DC Collector Current: 34A
Collector Emitter Voltage
Vces: 600V
Power Dissipation Pd:
100W
Collector Emitter Voltage
V(br)ceo: 600V
Operating Temperature
Range: -55°C to +150°C
Transistor Case Style: TO-
262
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (18-Jun-
2012)

10. LEGISLACIÓN Y
MEDIOAMBIENTE
Conformidad RoHS: Sí
Certificado de
Conformidad RoHS
Peso (kg): 0.000006
Partida arancelaria:
85412900
País de origen: MX
México
País donde se realizó la
mayor parte del proceso
de producción

11. TRANSISTOR, NP
N, SOT-23
Fabricante:
NXP Código
Farnell:
1626503
Referencia
de fabricante:
PMBTA42

12. INFORMACIÓN DEL
PRODUCTO
TRANSISTOR, NPN, SOT-
23
Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage
V(br)ceo: 300V
Power Dissipation Pd:
250mW
DC Collector Current: 100mA
DC Current Gain hFE: 40
Operating Temperature
Range: -65°C to +150°C
Transistor Case Style: SOT-
23
No. of Pins: 3

13. INFORMACIÓN DEL
PRODUCTO
SVHC: No SVHC (18-Jun-
2012)
Collector Emitter Voltage
Vces: 500mV
Current Ic @ Vce Sat: 20A
Current Ic Continuous a Max:
100mA
Current Ic hFE: 10mA
Gain Bandwidth ft Typ:
50MHz
Hfe Min: 40
Package / Case: SOT-23
Peak Current Icm: 0.2A
Power Dissipation Ptot Max:
250mW
SMD Marking: 1D
Termination Type: SMD

14. MOSFET, N
STMICRO
ELECTRONICS -
Fabricante:
STMICROEL
ECTRONICS
Código
Farnell:
1611428
Referencia
de fabricante:
STP120NF10

15. INFORMACIÓN DEL
PRODUCTO
MOSFET, N
Polaridad del transistor: Canal
N
Continuous Drain Current Id:
110A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
9mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Power Dissipation Pd: 312W
Transistor Case Style: TO-220
N.º of Pins: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-
2011)
Corriente, ID máx.: 110A
On State resistance @ Vgs =
10V: 10.5mohm
Package / Case: TO-220
Power Dissipation Pd: 312W

16. LEGISLACIÓN Y
MEDIOAMBIENTE
Conformidad RoHS: S-
Ex
Certificado de
Conformidad RoHS
Peso (kg): 0.0001
Partida arancelaria:
85412900
País de origen: MA
Marruecos
País donde se realizó la
mayor parte del proceso
de producción