3. Semiconductores
Cuando aplicamos
una diferencia de
potencial a un.
elemento
semiconductor, se
establece una.
“corriente de
electrones” en un
sentido y otra.
“corriente de
huecos” en sentido
opuesto.
Mecanismo
5. Intrínsecos
Estos elementos tienen 4
electrones de valencia, y
forman enlaces
covalentes y comparten
estos electrones con los
átomos vecinos. Este
enlace mantiene
«anclados» a los
electrones e impide su
desplazamiento, por lo
que da lugar a materiales
que no pueden conducir
la corriente eléctrica.
6. Intrínsecos
El espacio
correspondiente a la
banda prohibida es
mucho más estrecho en
comparación con los
materiales aislantes. La
energía de salto de
banda (Eg) requerida
por los electrones para
saltar de la banda de
valencia a la de
conducción es de 1 eV
aproximadamente.
Funcionamiento
7.
8. Dopados
A la izquierda se muestra una
oblea o cristal semiconductor de
Silicio pulida con brillo de
espejo, destinada a la
fabricación de transistores y
circuitos. integrados. A la
derecha aparece la cuarta parte
de la oblea conteniendo cientos
de minúsculos dados o “chips”,
que se pueden obtener de cada
una. Esos chips son los que
después de pasar por un proceso
tecnológico se convertirán en
transistores o circuitos
integrados. Luego serán
desprendidos de la oblea y
colocados dentro. de una cápsula
protectora con sus conectores
externos.
Funcionamiento
9. Silicio tipo P
Silicio tipo N
El exceso de cargas negativas
se consigue introduciendo
impurezas con más electrones
de valencia que el material
semiconductor base. Estas
son impurezas donadoras, el
material
obtenido, semiconductor tipo N.
El exceso de cargas positivas se
consigue introduciendo
impurezas con menos electrones
de valencia que el material
semiconductor base. Estas
son impurezas aceptadoras, el
material obtenido se
denomina semiconductor tipo P.