2. SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), Es un formato para módulos de memoria RAM
que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria
DRAM. Estos módulos se insertan en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras
están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMS. Fueron
muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por
JEDEC bajo el número JESD-21C.
Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line memory module, traducible como «módulo de memoria
con contactos duales») son, al igual que sus precedentes SIMM, módulos de memoria RAM que se
conectan directamente en las ranuras de la placa base de las computadoras personales y están
constituidos por pequeños circuitos impresos que contienen circuitos integrados de memoria. Los
módulos DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus
caras separadas del opuesto de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada contacto está unido
a su opuesto. La disposición física de los DIMM duplica el número de contactos diferenciados con
el bus.
RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module (Módulo de Memoria en Línea Rambus),
designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM,
desarrollada por RAM bus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de
memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100
MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.

3. DDR SDRAM es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios
de 1970.DDR permite a ciertos módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas
(SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la capacidad de transferir simultáneamente datos
por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad
máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
DDR2 SDRAM (de las siglas en Inglés Double Data Rate type two Synchronous Dynamic Random-
Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde
principios de 1970.
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en
un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia
de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la
DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido
a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para
luego transmitirla fuera del módulo de memoria. En el caso de la DDR convencional este buffer
trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final.
En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia
nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria. Las memorias
DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que
perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el
buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la
mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor
tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder
enviar la información.
DDR3 SDRAM (de las siglas en Inglés Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-
Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde
principios de 1970.
Los DIMMS DDR3 tienen 240 contactos, es el mismo número que DDR2; sin embargo, los DIMMS
son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
Ventajas
 El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de
datos más rápido, y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y
velocidades de bus más altas que las versiones DDR2.
 Proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que
lleva consigo una disminución global de consumo eléctrico.
Desventajas

4.  No hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta.
DDR4 SDRAM
Las memorias DDR4 SDRAM están actualmente (2014) en fase de producción.
Características
Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM La velocidad de datos
por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.
Las memorias DDR4 SDRAM tendrán un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias
DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores.
Ventajas
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de
reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparación con DDR3 de 800M a
2.133MT/s),la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para
DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple
canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
Desventajas
 No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y
otros factores.