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MEMORIA RAM
ELABORO: ESCOTO MARTINEZ MILKA GUADALUPE Y YAÑEZ
NAVARRO MARIA FERNANDA
GRUPO: 207
CARRERA: P.T.B BACHILLERATO EN INFORMATICA
TURNO: MATUTINO
ASIGNATURA: MANTENIMIENTO DE EQUIPO DE COMPUTO BASICO
DIM
Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line menor module, traducible como «módulo de memoria
con contactosduales») son, al igual que sus precedentes SIMM, módulos de memoria RAM que
se conectan directamente en las ranuras de la placa base de las computadoras y están
constituidos por pequeños circuitos impresos que contienen circuitos integrados de memoria.
Los módulos DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de
sus caras separadas del opuesto de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada contacto está
unido a su opuesto. La disposición física de los DIMM duplica el número de contactos
diferenciados con el bus.
RIMM
RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus),
designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM,
desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo
de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de
100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo
requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del
módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz
(PC-600), 356 MHz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 MHz (PC-1066) que por su pobre bus
de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un
rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores
que la DDR.
DDR
DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son
módulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente
en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741
824 bytes).
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su
Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en
ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a
cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles
con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de
datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
DDR2
Un módulo DDR2 de 1 GB con disipador Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con
4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho
de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200
MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800
MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer
que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria, este buffer
en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo
que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que
a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos
de memoria.
DDR3
Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-
1600 MHz, comparado con el rango actual del DDR 2 de 533-800 MHz ó 200-400 MHz del DDR.
Existen módulos de memoria DDR y DDR 2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.
Los DIMMS DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son
físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
La memoria GDDR 3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha
sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series Ge Forcé 6x00 o
ATI Rodeón X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de Xbox 360. A veces es
incorrectamente citada como "DDR 3".
Los módulos más rápidos de tecnología DDR 3 ya están listos al mismo tiempo que la industria se
preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnología.
DDR4
Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM. La
velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial
de 3,2 GT/s. Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo
que las memorias DDR predecesoras.

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Memoria ram

  • 1. MEMORIA RAM ELABORO: ESCOTO MARTINEZ MILKA GUADALUPE Y YAÑEZ NAVARRO MARIA FERNANDA GRUPO: 207 CARRERA: P.T.B BACHILLERATO EN INFORMATICA TURNO: MATUTINO ASIGNATURA: MANTENIMIENTO DE EQUIPO DE COMPUTO BASICO
  • 2. DIM Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line menor module, traducible como «módulo de memoria con contactosduales») son, al igual que sus precedentes SIMM, módulos de memoria RAM que se conectan directamente en las ranuras de la placa base de las computadoras y están constituidos por pequeños circuitos impresos que contienen circuitos integrados de memoria. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras separadas del opuesto de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada contacto está unido a su opuesto. La disposición física de los DIMM duplica el número de contactos diferenciados con el bus. RIMM RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años. Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 MHz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 MHz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.
  • 3. DDR DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes). Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz. DDR2 Un módulo DDR2 de 1 GB con disipador Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.
  • 4. DDR3 Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800- 1600 MHz, comparado con el rango actual del DDR 2 de 533-800 MHz ó 200-400 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR 2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC. Los DIMMS DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. La memoria GDDR 3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series Ge Forcé 6x00 o ATI Rodeón X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR 3". Los módulos más rápidos de tecnología DDR 3 ya están listos al mismo tiempo que la industria se preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnología. DDR4 Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s. Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras.