El documento explica los conceptos de semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos son aquellos que no contienen impurezas, donde la cantidad de electrones en la banda de conducción es igual a la cantidad de huecos en la banda de valencia. Los semiconductores dopados tienen pequeñas cantidades de impurezas que donan u aceptan electrones para crear portadores de carga mayoritarios, haciéndolos más conductores. El dopaje de tipo N usa impurezas como arsénico o fósforo que donan

2. SEMICONDUCTORES
 Ingresa a los siguientes links, descarga la información
relacionada con los semiconductores.
a) Infórmate 1
b) Infórmate 2
 Realiza una presentación en Power Point sobre los semiconductores intrínsecos y los
semiconductores dopados, como máximo 16 diapositivas. publica tu presentación en:
www.slideshare.net
 Envía la dirección de tu publicación a tu profesor.
Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de información de
donde has obtenido las imágenes. Esto demostrará que has realizado una buena
investigación.

3. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores , como por Ejem: el campo eléctrico o
magnético , la presión ,la radicación que le incide ,o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre .los elementos químicos semiconductores de la tabla
periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el germanio .posteriormente se
ha comenzado a emplear también el azufre .la características común a todos
ellos es que son tetralentes ,teniendo el silicio una configuración electrónica s2
p2.

4. IIIA IVA VA
B C N
IIB AI Si P
Zn Ga Ge As
Cd In Sn Sb
Hg Ti Pb Bi
Semiconductores de la tabla periódica química
Semiconductores

8. ¿Qué es un semiconductor intrínseco?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura
. En ese caso , la calidad de huecos que dejan los electrones en la
banda de valencia al atravesar la banda prohibida sea igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la
banda de conclusión

9. Semiconductores intrínsecos :
Como se puede observar en la induración , en el
caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho
mas estrecho en comparación con los materiales
aislantes . La energía de salto de banda
(Eg)requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conducción es de
1eV aproximadamente .en los semiconductores
de silicio (SI),la energía de salto de banda
requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio(Ge)es de
0,785eV.

10. Semiconductor intrínsecos:
Estructura cristalina de u semiconductor
intrínseco compuesta solamente por átomos
de silicio (si) que forman una celosía ,como se
puede observar en la ilustración ,los átomos
de silicio (que solo poseen cuatro electrones
en la ultima orbita o banda de valencia ), se
unen formando enlaces covalentes para
completar 8 electrones y crear así un cuerpo
solido semiconductor .en esos condiciones el
cristal de silicio se comportara igual que si
fuera un cuerpo aislante

11. Semiconductores dopados:
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una
diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es
muy pequeña cuando se agregan un pequeño numero de átomos
)entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se
agregan mucho mas átomos (en el orden de 1 cada
10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado
.este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los
mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes ya que
«donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el
arsénico y el fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la
neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al semiconductor
original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo
que los primeros serán los portadores mayoritarias y los últimos los
minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será funciones
directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.

12. Semiconductores dopado:
Es un ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo
(dopaje N). En el caso del fosforó ,se dona un
electrón

13. Semiconductores dopados :
Tipo P:
Se llama así al material que tiene átomos de impureza
que permiten formación de huecos sin que aparescan
electrones asociados a los mismos , como ocurre al
romperse una ligadura . Los átomos de este tipo se
llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman un
electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio
,el indio o el galio .nuevamente .el átomo introduciendo
es neutro ,por lo que no modificara la neutralidad
eléctrica del cristal pero debido a que solo tiene 3
electrones en su ultima capa de valencia , a parecerá
una ligadura rota. que tendera a tomar electrones s de
los átomos próximos ,generando finalmente mas
huecos que electrones , por lo que los primeros serán
los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios

14. Dopantes :
Tipo P:
Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). En el caso
del boro le falta un electrón y ; por tanto .es donado un hueco de
electrón.

15. INFORMACION:
 Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
 http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.
 http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29
 http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke _semiconducto
 http://es .wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductores¡ntr.C3.Adnsecos

16. Publicado en :
Publicado en :