Este documento proporciona información sobre semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos son aquellos que no contienen impurezas, mientras que los semiconductores dopados contienen pequeñas cantidades de impurezas que donan u aceptan electrones. Describe los tipos de dopaje N y P, señalando que el dopaje N produce un exceso de electrones y el dopaje P produce un exceso de huecos. También incluye ejemplos de dopantes comunes como el fosforo y el boro

2. SEMICONDUCTORES
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relacionada con los semiconductores.
a) Infórmate 1
b) Infórmate 2
 Realiza una presentación en Power Point sobre los semiconductores intrínsecos y los
semiconductores dopados, como máximo 16 diapositivas. publica tu presentación en:
www.slideshare.net
 Envía la dirección de tu publicación a tu profesor.
Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de información de
donde has obtenido las imágenes. Esto demostrará que has realizado una buena
investigación.

3. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?
Es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo
de diversos factores , como por Ejem: el
campo eléctrico o magnético , la presión ,la
radicación que le incide ,o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre .los
elementos químicos semiconductores de la
tabla periódica se indican en la tabla
adjunta.
El elemento mas usado es el silicio ,el
segundo el germanio .posteriormente se ha
comenzado a emplear también el azufre .la
características común a todos ellos es que
son tetralentes ,teniendo el silicio una
configuración electrónica s2 p2.

4. IIIA IVA VA
B C N
IIB AI Si P
Zn Ga Ge As
Cd In Sn Sb
Hg Ti Pb Bi
Semiconductores de la tabla periódica química
Semiconductores

8. ¿Qué es un semiconductor intrínseco?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su
estructura . En ese caso , la calidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida sea igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conclusión

9. Semiconductores intrínsecos :
Como se puede observar en la induración , en el
caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho
mas estrecho en comparación con los materiales
aislantes . La energía de salto de banda
(Eg)requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conducción es de
1eV aproximadamente .en los semiconductores
de silicio (SI),la energía de salto de banda
requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio(Ge)es de
0,785eV.

10. Semiconductor intrínsecos:
Estructura cristalina de u semiconductor
intrínseco compuesta solamente por átomos
de silicio (si) que forman una celosía ,como se
puede observar en la ilustración ,los átomos
de silicio (que solo poseen cuatro electrones
en la ultima orbita o banda de valencia ), se
unen formando enlaces covalentes para
completar 8 electrones y crear así un cuerpo
solido semiconductor .en esos condiciones el
cristal de silicio se comportara igual que si
fuera un cuerpo aislante

11. Semiconductores dopados:
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una
diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es
muy pequeña cuando se agregan un pequeño numero de átomos
)entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se
agregan mucho mas átomos (en el orden de 1 cada
10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado
.este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los
mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes ya que
«donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el
arsénico y el fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la
neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al semiconductor
original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo
que los primeros serán los portadores mayoritarias y los últimos los
minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será funciones
directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.

12. Semiconductores dopado:
Es un ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo
(dopaje N). En el caso del fosforó ,se dona un
electrón

13. Semiconductores dopados :
Tipo P:
Se llama así al material que tiene átomos de
impureza que permiten formación de huecos sin que
aparescan electrones asociados a los mismos , como
ocurre al romperse una ligadura . Los átomos de este
tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman
un electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el
aluminio ,el indio o el galio .nuevamente .el átomo
introduciendo es neutro ,por lo que no modificara la
neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que
solo tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia ,
a parecerá una ligadura rota. que tendera a tomar
electrones s de los átomos próximos ,generando
finalmente mas huecos que electrones , por lo que
los primeros serán los portadores mayoritarios y los
segundos los minoritarios

14. Dopantes :
Tipo P:
Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). En el
caso del boro le falta un electrón y ; por tanto .es donado un
hueco de electrón.

15. INFORMACION:
 http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf
 Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
 http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.
 http://es
.wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductores¡ntr.C3.Adnsecos
 http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke _semiconducto
 http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29

16. GRACIAS.