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UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

PRESENTA EL TEMA :
SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS Y DOPADOS

Elaborado por :
Avelardo J. Calcina M.
Ingeniero de sistemas

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

1
INTRODUCCIÓN
SEMICONDUCTOR ._es un elemento
que se comporta como un conductor o
como aislante dependiendo de diversos
factores, como por ejemplo el campo
eléctrico o magnético, la presión, la
radiación que le incide, o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre.
LOS MATERIALES
SEMICONDUCTORES.
según su pureza, se clasifican de la
siguiente forma:
1. Intrínsecos
2. Extrínsecos
.

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

2
1.SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

1.1. CONCEPTO :En un cristal de
Silicio o Germanio que forma una
estructura tetraédrica similar a la
del

carbono

mediante

enlaces

covalentes entre sus átomos, en la
figura representados en el plano
por simplicidad.

Fuente
:http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

3
1.2. CARACTERÍSTICAS
Las

palabras

“intrínsecos”

se

usa

para

describir

cristales

semiconductores que contienen una concentración tan pequeña de

impurezas químicas, que no afectan sus características eléctricas.
Los semiconductores intrínsecos se caracterizan por la estructura
de banda que se muestran en las figuras 3.2 c y 3.2 d, en las que la
banda de valencia está separada de la de conducción, por un
intervalo de energía vacío relativamente pequeño.
Fuente :http://proton.ucting.udg.mx/materias/tecnologia/Conductores.htm
Se cumple :

n= p = n¡

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

4
FIG 3.2 Diagramas del nivel de energía de: a) un
conductor, b) Un aislador; c) un semiconductor
intrínseco a T = 0 y d) un semiconductor intrínseco a T >
0.

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

5
1.2. ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Esta compuesta solamente por
átomos de silicio (Si) que forman
una celosía. Como se puede
observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo poseen
cuatro electrones en la última órbita
o banda de valencia), se unen
formando enlaces covalente para
completar ocho electrones y crear
así un cuerpo sólido semiconductor.
En esas condiciones el cristal de
silicio se comportará igual que si
fuera un cuerpo aislante.
Fuente:
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

6
2.SEMICONDUCTOR DOPADO

2.1. CONCEPTO :se denomina
dopaje al proceso intencional de
agregar
impurezas
en
un
semiconductor
extremadamente
puro
(también
referido
como
intrínseco) con el fin de cambiar sus
propiedades
eléctricas.
Las
impurezas utilizadas dependen del
tipo de semiconductores a dopar. A
los semiconductores con dopajes
ligeros y moderados se los conoce
como extrínsecos.

Si aplicamos una tensión al cristal de silicio,
el positivo de la pila intentará atraer los
electrones y el negativo los huecos
favoreciendo así la aparición de una
corriente a través del circuito

:http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

7
2.2. CARACTERÍSTICAS DE DOPAJE
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de
de otros elementos. A estos últimos se les conoce
impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con
semiconductor puro o intrínseco aparecen
semiconductores :
• Semiconductor tipo P
• Semiconductor tipo N
Fuente :http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp

silicio por átomos
con el nombre de
el que se dope al
dos clases de

Fuente imagen : http://www.google.com.pe/imgres?hl=es-419&biw=1366&bih=557&tbm=isch&tbnid=WBvFahXFElKFM:&imgrefurl=http://www.filmscanner.info/es/CCDSensoren.html&docid=twBzKiNezrgozM&imgurl=http://www.filmscanner.info/Bilder/CCD_01.gif
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Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

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2.2.1. SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio
(átomos de silicio enlazados entre sí)

....
Enlace covalente de átomos de
germanio, obsérvese que cada átomo
comparte
cada uno de sus electrones con otros
cuatro átomos
Fuente:

:

http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/tipo-P.asp

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

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SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO P
SI.... sustituimos uno de sus átomos (que como
sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior)
por un átomo de otro elemento que contenga
tres electrones en su capa exterior, resulta que
estos tres electrones llenarán los huecos que
dejaron los electrones del átomo de silicio, pero
como son cuatro, quedará un hueco por ocupar.
Ósea que ahora la sustitución de un átomo por
otros provoca la aparición de huecos en el cristal
de silicio. Por tanto ahora los "portadores
mayoritarios" serán los huecos y los electrones
los portadores minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de
impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

10
2.2.2. SEMICONDUCTOR TIPO N
Si en una red cristalina de silicio
(átomos de silicio enlazados entre sí)
....
Enlace covalente de átomos de
germanio, obsérvese que cada átomo
comparte cada uno de sus electrones
con otros cuatro átomos
Fuente
:http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/tipo-N.asp

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

11
SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO N

SI.... .... sustituimos uno de sus átomos (que como
sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por
un átomo de otro elemento que contenga cinco
electrones en su capa exterior, resulta que cuatro
de esos electrones sirven para enlazarse con el
resto de los átomos de la red y el quinto queda
libre.
A esta red de silicio "dopado" con esta clase de
impurezas se le denomina "Silicio tipo N"
En esta situación hay mayor número de electrones
que de huecos. Por ello a estos últimos se les
denomina "portadores minoritarios" y "portadores
mayoritarios" a los electrones
Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso
de dopado son el arsénico, el antimonio y el fósforo

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

12
APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES
• A partir de la década de 1950, los dispositivos semiconductores conocidos también como dispositivos de estado sólidoremplazaron los tubos electrónicos de la industria tradicional.
• Por la enorme reducción de tamaño,
• Menor consumo de energía y costo, acompañada de una mucho
mayor durabilidad y confiabilidad.
• los dispositivos semiconductores significaron un cambio
revolucionario en las telecomunicaciones, la computación, el
almacenamiento de información, etc.
• Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo
semiconductor más simple y fundamental es el diodo; todos los
demás dispositivos pueden entenderse en base a su
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Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

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  • 1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP PRESENTA EL TEMA : SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y DOPADOS Elaborado por : Avelardo J. Calcina M. Ingeniero de sistemas Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 1
  • 2. INTRODUCCIÓN SEMICONDUCTOR ._es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES. según su pureza, se clasifican de la siguiente forma: 1. Intrínsecos 2. Extrínsecos . Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 2
  • 3. 1.SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO 1.1. CONCEPTO :En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Fuente :http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 3
  • 4. 1.2. CARACTERÍSTICAS Las palabras “intrínsecos” se usa para describir cristales semiconductores que contienen una concentración tan pequeña de impurezas químicas, que no afectan sus características eléctricas. Los semiconductores intrínsecos se caracterizan por la estructura de banda que se muestran en las figuras 3.2 c y 3.2 d, en las que la banda de valencia está separada de la de conducción, por un intervalo de energía vacío relativamente pequeño. Fuente :http://proton.ucting.udg.mx/materias/tecnologia/Conductores.htm Se cumple : n= p = n¡ Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 4
  • 5. FIG 3.2 Diagramas del nivel de energía de: a) un conductor, b) Un aislador; c) un semiconductor intrínseco a T = 0 y d) un semiconductor intrínseco a T > 0. Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 5
  • 6. 1.2. ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO Esta compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. Fuente: http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 6
  • 7. 2.SEMICONDUCTOR DOPADO 2.1. CONCEPTO :se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito :http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 7
  • 8. 2.2. CARACTERÍSTICAS DE DOPAJE El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de de otros elementos. A estos últimos se les conoce impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con semiconductor puro o intrínseco aparecen semiconductores : • Semiconductor tipo P • Semiconductor tipo N Fuente :http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp silicio por átomos con el nombre de el que se dope al dos clases de Fuente imagen : http://www.google.com.pe/imgres?hl=es-419&biw=1366&bih=557&tbm=isch&tbnid=WBvFahXFElKFM:&imgrefurl=http://www.filmscanner.info/es/CCDSensoren.html&docid=twBzKiNezrgozM&imgurl=http://www.filmscanner.info/Bilder/CCD_01.gif &w=600&h=322&ei=JdLEUvmNNouSkQfQ9oCYBQ&zoom=1&iact=hc&vpx=411&vpy=109&dur=4004&hovh=164&hovw=307&tx=230&ty=90&page=1&tbnh= 123&tbnw=237&start=0&ndsp=19&ved=1t:429,r:2,s:0,i:81 Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 8
  • 9. 2.2.1. SEMICONDUCTOR TIPO P Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) .... Enlace covalente de átomos de germanio, obsérvese que cada átomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro átomos Fuente: : http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/tipo-P.asp Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 9
  • 10. SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO P SI.... sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un átomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarán los huecos que dejaron los electrones del átomo de silicio, pero como son cuatro, quedará un hueco por ocupar. Ósea que ahora la sustitución de un átomo por otros provoca la aparición de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" serán los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P" Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 10
  • 11. 2.2.2. SEMICONDUCTOR TIPO N Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) .... Enlace covalente de átomos de germanio, obsérvese que cada átomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro átomos Fuente :http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/tipo-N.asp Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 11
  • 12. SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO N SI.... .... sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un átomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los átomos de la red y el quinto queda libre. A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos. Por ello a estos últimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico, el antimonio y el fósforo Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 12
  • 13. APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES • A partir de la década de 1950, los dispositivos semiconductores conocidos también como dispositivos de estado sólidoremplazaron los tubos electrónicos de la industria tradicional. • Por la enorme reducción de tamaño, • Menor consumo de energía y costo, acompañada de una mucho mayor durabilidad y confiabilidad. • los dispositivos semiconductores significaron un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computación, el almacenamiento de información, etc. • Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo semiconductor más simple y fundamental es el diodo; todos los demás dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento. Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 13