Explicación de algunos dispositivos de 4 capas. SRC, diodo Shockey, Sidac, SBC.

1. DISPOSITIVO DE CUATRO
CAPAS

2. CARACTERÍSTICAS
• Son elaborados con cuatro capas semiconductoras
• Actúan como circuitos abiertos
• Soportan alto voltaje nominal hasta que son disparados

3. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SRC)
• Presentan 3 conexiones, Ánodo, Cátodo y Gate.
• Funcionan como válvulas de flujo al mismo
tiempo que rectifican el paso de la corriente.
• Se des excita cada alternancia o medio ciclo con
CA
• En CD necesita un circuito de bloqueo forzado.

4. • Al inicio presenta una resistencia alta
• Al aplicar corriente ambos diodos se
encienden
• Se tiene la opción de encendido sin utilizar a
puerta de disparo, incrementando el voltaje a
valores superiores al valor de ruptura.
• Se realiza la conmutación al sobre pasar el
voltaje de ruptura y se raliza el disparo.
• El tiempo de ruptura puede alcanzar los 30ms

5. APLICACIONES
• Circuitos retardadores de tiempo
• Cargadores de baterías
• Fuentes de alimentación reguladas

6. DIODOS SHOCKLEY
• Básicamente se trata de dispositivos interruptores .
• Inicialmente con corrientes bajas el diodo se encuentra n circuito abierto, cuando se aumenta la
tensión el dispositivo conmuta a fase de conducción.

7. Si se separan las dos mitades, la primera parte (izquierda) es un transistor NPN y la segunda mitad tiene una
configuración PNP.
Su funcionamiento se muestra en la gráfica.

8. ZONA DIRECTIVA (V>0)
• El diodo se encuentra con un voltaje bajo y
en posición de circuito abierto.
• Cuando la tensión es suficientemente
elevada se vence la región de ruptura, se
eleva la corriente y el diodo se comporta
como una resistencia negativa.
• En la región de saturación la caída de
voltaje está entre 0.5 y 1.5V, y se
mantendrá en este estado mientras se
conserven niveles de voltaje y corriente
altos (VH y IH)

9. ZONA INVERSA
• El diodo puede soportar tensión
máxima inversa, al superar se valor
entra en condición de ruptura.

10. SIDAC
• El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensión y alta
corriente.
Físicamente es un diodo de cuatro patas con características simétricas.
El SIDAC es empleado en aplicaciones donde se necesiten tensiones de
disparo iniciales entre los 120 y 127V
Símbolo típico en diagramas:

11. APLICACIONES…
• El SIDAC puede emplearse como generador de diente de sierra ya
que aprovecha de las características de disparo y bloqueo del
dispositivo.
• Para el momento en que el SIDAC entra en fase de conducción,
descarga rápidamente el condensador hasta la tensión de
mantenimiento, y permanecerá ahí siempre que la corriente se
mantenga en 100mA.

12. SILICON BIDIRECTIONAL SWITCH (SBS)
• Es un dispositivo de baja potencia con arquitectura
simétrica.
• Es más versátil que el SIDAC.
• Tiene una terminal adicional (Gate) que permite
cambiar sus disparos con corrientes de algunos mA.
• Este es un circuito integrado compuesto por diodos,
transistores y resistencias.

13. • El símbolo característico de los SBS es:
• Sus parámetros característicos son:
• V=8V
• Is=175mA
• IH=0.7mA
• VH=1.4V
• El disparo característico de este diodo puede lograr
se superando los 8V o al aplicar una corriente de
puerta de (IG) 100mA.