Ficha tecnica de transistores diferentes, incluyendo JFET y un MOSFET.

1. TEMA:

2. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario.

3. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos)
Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en
directa, mientras que la base-colector en inversa.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado
de saturación y estado de actividad.

5. Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y
fuente (source).
Es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
Comprende los
MOSFET,JFET, MESFET, HEMT,MODFET,IGBT, FREDFET, DNAT, etc.

7. Es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
Usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene
la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere
de la corriente de base para mantenerse en conducción.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
La tensión de control de puerta es de unos 15 V.

9. Los valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la
tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este
valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se
simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:
corte, óhmica y saturación.
Está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos
extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente)
flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se
conectan dos terminales conectados entre sí (puerta).

11. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
Es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador
(D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está
conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros
transistores de efecto de campo.